• 한국표면공학회지
• /
• 제24권4호
• /
• pp.196-205
• /
• 1991

Multi-level thin films are very important in ULSI applications because of their high electromigration resistance. This study presents the effects of titanium, titanium nitride and titanium tungsten underlayers of the stability of multi-aluminum thin films during isothermal annealing. High purity Al(99.999%) films have been electron-beam evaporated on Ti, TiN, TiW films formed on SiO2/Si (P-type(100))-wafer substrates by RF-sputtering in Ar gas ambient. The hillock growth was increased with annealing temperatures. Growth of hillocks was observed during isothermal annealing of the thin films by scanning electron microscopy. The hillock growth was believed to appear due to the recrystallization process driven by stress relaxation during isothermal annealing. Thermomigration damage was also presented in thin films by grain boundary grooving processes. It is shown that underlayers of Al/TiN/SiO2, Al/TiW/SiO2 thin films are preferrable to Al/SiO2 thin film metallization.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
• /
• pp.247-248
• /
• 2008

The etching characteristics of Titanium Nitride (TiN) and etch selectivity of TiN to $SiO_2$ and $HfO_2$ in $CH_4$/Ar plasma were investigated. It was found that TiN etch rate shows a non-monotonic behavior with increasing both Ar fraction in $CH_4$ plasma, RF power, and gas pressure. The maximum TiN etch rate of nm/min was obtained for $CH_4$ (80%)/Ar(20%) gas mixture. The plasmas were characterized using optical emission spectroscopy (OES) analysis measurements. From these data, the suggestions on the TiN etch characteristics were made.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
• /
• 한국조명전기설비학회 2002년도 학술대회논문집
• /
• pp.329-334
• /
• 2002

This study evaporates TiO$_2$ layer thickness differently with RF sputtering method on Si Wafer(n-100). Thin film is made with the structure of Si+TiO$_2$ and Si+TiO$_2$+Al by evaporating TiN which is used as Antireflection of superintegrated semiconductor integrated circuit with Photo Catalyst. The research is performed to increase the characteristics of photon energy according to TiO$_2$ thickness and the reliability and reproducibility of TiO$_2$ thin film. Reversal of electric Permittivity values is induced by dipole polarization shown in the dielectric of thin film. Complex electric constant ($\varepsilon$$_1$, $\varepsilon$$_2$) has larger peak values as it's thickness is thinner and then it is larger according to the increase of frequency. Electric Permittivity by photon energy has large value in imaginary number and is reduced exponentially by the increase of carrier density according to that of photon energy.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제19권6호
• /
• pp.298-304
• /
• 2009

고온 열수송시스템용 구조재료인 Inconel 617의 표면 처리에 따른 고온물성 개선에 대한 연구를 수행하였다. 표면처리 방법으로는 Inconel 617 기판 상에 급속가열(RTP) 및 수열처리를 통한 균질산화물 형성과 물리적 기상증착법(Arc discharge)법에 의한 TiAlN(두께 약 $2{\mu}m$ 박막 코팅을 적용하였다. 불균질 산화물($Cr_2O_3$) 형성 억제에 미치는 표면처리의 효과 및 표면 미세구조가 물성에 미치는 영향에 대해 알아보기 위해 표면처리된 Inconel 617 시편들을 $1000^{\circ}C$, 대기중에서 열처리 하였으며, 열처리된 시편들에 대해 고온 상형성 및 미세구조를 비교 분석하였다. RTP와 수열처리를 통한 표면산화물 형성보다는 TiAlN 박막 증착을 통한 보호피막의 형성이 Inconel 617 표면에서 생성되는 불균일 $Cr_2O_3$ 막의 성장을 효과적으로 억제할 수 있어서 더 균질한 미세구조와 가장 우수한 내마모 특성을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.290-294
• /
• 2001

In this study, ZnO is evaporated to be coated on n-type Si wafer substrate. Refractive coefficient of thin film that is evaporating TiO$_2$ onto ZnO increases linearly as thickness is getting thinner to have high value and high angle and it satisfies theoretical equation I(x)=Io exp (-$\alpha$x) theory that represents the strength of photon energy advancing through ZnO thin film. And dielectric constant of TiO$_2$ thin film evaporated onto ZnO is high and $\varepsilon$$_2$ is smaller than $\varepsilon$$_1$. The specimen TiO$_2$ thin film evaporated onto ZnO has much higher dielectric constant when photon energy is increased.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1999년도 제16회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.186-186
• /
• 1999

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.180-180
• /
• 2003

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)은 DRAM(Dynamic Random Access Memory)in 커패시터 재료을 상유전체 물질에서 강유전체 물질로 대체하여 전원 공급이 차단되어도 정보를 기억할 수 있고, 데이터의 고속처리가 가능하고 저소비전력과 집적화가 뛰어난 차세대 메모리 소자이다. 본 연구에서는 n-Well/P-Si(100) 기판위에 $Y_2$O$_3$ 박막을 중간층 (buffer layer)으로 사용하여 (Bi,La) Ti$_3$O$_{12}$ (BLT) 강유전체 박막을 졸-겔 방법으로 형성하여 MFM(I)S(Metal Ferroelectric Metal (Insulation) Silicon) 구조의 커패시터 및 전계효과형 트랜지스터(Field Effect Transistor) 소자를 제작하였다. 제작된 소자에 대해 형상학적, 전기적 특성을 조사, 분석하였다.

• 대한화학회지
• /
• 제30권1호
• /
• pp.19-26
• /
• 1986

공기산화와 수증기 산화법에 의하여 Ti$O_{2-x}$박막을 만들었고, 알곤 기체속에서 $TiO_2$단결정을 환원하였다. Ti$O_{2x}박막의 전극 특성은 환원된 단결정 rutile의 특성과 거의 같았다. 산소가 용해된 전해질용액에서 측정된 Ti$O_{2-x}$전극들의 전류-전압 곡선으로 부터 음극전류의 peak는 -0.8V ~ -1.0V에서 나타났으며, 영볼트 근처의 Ti$O_{2-x}$전극들의 음극전류는 공기로 포화된 용액에서 보다 질소로 포화된 용액에서 더 크게 나타났다. 시간에 따르는 전류 (i)의 변화는 $i_0e^{-kt}$식에 의존하였고 이때의 속도상수(k)는 $k_0{[H^+]}^nexp(A{\eta}+\frac{E_a}{RT})$로 나타낼 수 있었다. 여기서 활성화에너지 Ea는 0.035~0.145V의 과전압에서는 4.6~4.8kcal/mole, 0.2~0.5V의 과전압에서는 1.6kcal/mole이고, 위식중의 n과 A는 0.035~0.145V에서 0.1과, 5.4~5.6/V, 0.2~0.5V에서는 0.04와 1.3/V이었다. 산소의 환원반응은 전체적으로 비가역 반응임을 알았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1999년도 제16회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.70-70
• /
• 1999

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1999년도 제16회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.43-43
• /
• 1999