Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference (한국재료학회:학술대회논문집)
- 2003.11a
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- Pages.180-180
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- 2003
Preparation and Properties of Field Effect Transistor with (Bi,La)$Ti_3O_12/$ Ferroelectric Materials
(Bi,La)$Ti_3O_12/$ 강유전체 물질을 갖는 전계효과형 트랜지스터의 제작과 특성연구
Abstract
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)은 DRAM(Dynamic Random Access Memory)in 커패시터 재료을 상유전체 물질에서 강유전체 물질로 대체하여 전원 공급이 차단되어도 정보를 기억할 수 있고, 데이터의 고속처리가 가능하고 저소비전력과 집적화가 뛰어난 차세대 메모리 소자이다. 본 연구에서는 n-Well/P-Si(100) 기판위에
Keywords