• 제목/요약/키워드: TiO-N박막

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ARAS용 TiNx 광학박막의 설계제작과 특성연구 (The design and characteristic of the TiNx optical film for ARAS coating)

  • 박문찬;정부영;황보창권
    • 한국안광학회지
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    • 제6권2호
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    • pp.31-35
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    • 2001
  • $TiN_xW_y$ 전도박막층으로 무반사, 무정전 광학박막을 Essential Macleod 프로그램을 이용하여 설계한 결과 [공가 ${\mid}TiN_xW_y{\mid}SiO_2{\mid}$ 유리]층은 단 두층코팅막으로 가시광선 파장영역 (450~700 nm)에서 넓게 AR 코팅이 되었다. RF magnetron 스퍼터링 장치에 질소가스와 아르곤가스를 동시에 주입하면서 Ti 타켓을 스퍼터링하여 $TiN_x$ 광학박막을 7 nm에서 10 nm의 두께로 유리기판 위에 제작하였다. 이 때 박막의 화학적 조성과 성분비를 분석하기 위해 XPS를 사용하였고, 박막의 면저항과 화화적 조성과의 관계를 분석하기 위하여 XPS depth profiling과 4점탐침법을 사용하였다.

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고밀도 플라즈마 CVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 특성 (Characteristics of TiN Barrier Metal Prepared by High Density Plasma CVD Method)

  • 최치규;강민성;오경숙;이유성;오대현;황찬용;손종원;이정용;김건호
    • 한국재료학회지
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    • 제9권11호
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    • pp.1129-1136
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    • 1999
  • TEMAT precursor를 사용하여 다양한 증착 조건으로 ICP-CVD 방법으로 Si(100) 기판 위에 TiN 박막을 형성하였다. 형성된 TiN 박막의 결정상, 미세구조, 그리고 전기적 특성은 XRD, XPS, HRTEM, 그리고 전기적 측정으로 특성을 조사하였다. BI 구조를 갖는 다결정 TiN 박막은 기판의 온도가 $200^{\circ}C$ 이상의 온도에서 형성되었다. TiN(111) 박막은 기판의 온도가 $300^{\circ}C$에서 TEMAT, $\textrm{N}_{2}$, 그리고 Ar 가스의 유량이 10, 5, 그리고 5sccm으로 반응로에 주입할 때 형성되었다. TiN/Si(100) 계면은 TiN과 $\textrm{SiO}_2$사이에 계면반응이 없었으며 평탄하였다. 기판의 온도가 $500^{\circ}C$에서 형성된 TiN 박막의 비저항, carrier 농도와 이동도는 21 $\mu\Omega$cm, 9.5$\times\textrm{10}^{18}\textrm{cm}^{-3}$$462.6\textrm{cm}^{2}$/Vs으로 주어졌다.

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졸-겔 방법으로 제조한 TiN 박막에 관한 연구 (A Study on the TiN Thin Film by Sol-Gel Method)

  • 김왕섭;선효님;김경용;김병호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제29권4호
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    • pp.328-334
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    • 1992
  • TiO2 sols were prepared by hydrolysis and polymerization of titanium tetra-isopropoxide (TTIP) in the presence of diethanolamine (DEA). The optimal mole ratio of water to TTIP is 2 and the concentration of the TiO2 sol 0.7 M. Golden TiN films without cracks were obtained by dipping Si(110) wafers into the TiO2 sol and followed by nitridation in NH3 at 1100$^{\circ}C$ for 5 h. The TiN films were studied by an optical microscope, DTA, TGA and X-ray analysis.

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TiN 기지위에 Cu doping에 의한 Ti-Cu-N 박막의 기계적 특성 향상에 관한 연구 (Study on Ti-Cu-N thin film for improvement of mechanical propertiesn by copper doping)

  • 이혁민;김상식;박헌규;이호영;한전건
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2001년도 춘계학술발표회 초록집
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    • pp.13-13
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    • 2001
  • 현재 초고속 가공 공구의 국내 시장은 150억원이며 향후 3년 내에 1500억원으로 급성 장활 전망이다. 무윤활 초고속 가공을 실현하기 위해서는 윤활특성이 우수한 초고경도 코팅의 개발이 필요하며 이를 통해 기계설비의 수명향상과 폐유문제 해결을 기대할 수 있다. 기존의 고체윤활 코팅은 초고경도 코팅의 상부에 $MoS_2$, Graphite 등 윤활성 박막을 합성하였으나, 이들은 Hexagonal 구조의 연질 박막이며 수분이 존재하는 대기중에서는 윤활 및 내마모 특성이 급격히 저하된다. 환경친화 대체소재 개발의 일원으로 TiN, ZrN 박막 등이 이미 개발되었고 기계적 특성이 우수하여 널리 응용되고 있으나 아직 경도(약 20GPa 내외) 및 윤활성의 한계 (마찰계수 $\mu=O.6$)를 극복하지 못하고 있다. TiN박막 위의 Cu의 첨가는 TiN의 구조와 성질을 크게 변화시키는 것으로 알려져 있다. 따라서 본 연구에서는 TiN 기지 위에 Cu를 도핑함으로써 경도의 상승을 통환 내구력의 향상과 마찰계수의 감소를 통한 윤활성의 향상을 보고자하였다. TiN합성의 안정화를 위하여 magnetron sputtering과 arc ion pIatingd을 병용한 hybrid 공정을 이용하였다. Cu첨가에 따른 결정 성장 거동의 변화를 보기 위해 XRD 분석을 실행하였고, EDS 분석을 통해 Cu target 전류밀도에 의한 기지내의 Cu의 함량변화를 고찰하였으며, 경도 및 윤활특성을 고찰하기 위해서 경도 시험과 마모 시험(ball-on disc type test)를 하였다.

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XPS를 이용한 Cu/TiN의 계면에 관한 연구 (Interface characteristics of Cu/TiN system by XPS)

  • 이연승;임관용;정용덕;최범식;황정남
    • 한국진공학회지
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    • 제6권4호
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    • pp.314-320
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    • 1997
  • XPS를 이용하여 공기 중에 노출된 TiN박막과 상온 증착된 Cu사이의 계면에서의 화학적 반응과 전자 구조적인 변화를 조사하였다. Ti(2p), O(1s), N(1s), Cu(2p) core-level과 Cu LMM Auger line의 spectrum을 보면, Cu의 증착두께가 증가하여도 peak의 위치 뿐만 아니라 line shape이 전혀 변화하지 않는다. 그리고 XPS에 의한 valence bands를 보아도 전 혀 변화가 없다. 이것은 공기 중에 노출된 TiN박막과 Cu사이의 계면에서 Cu화합물의 어떠 한 형태도 존재하지 않을 뿐만 아니라 전자 구조적인 면에서도 전혀 변화가 없음을 의미한 다. 계면에서 Cu가 화학적 반응을 일으키지 않는 것은 계면접합력을 나쁘게 하는 요인이 된 다. 우리는 계면에서의 화학 반응 또는 전자구조의 변화에 대한 연구를 통하여 Cu와 TiN박 막의 계면접합력을 이해할 수 있었다.

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$TiN_xO_y/TiN_x$다층 박막을 이용한 고저항 박막 저항체의 특성평가 (Characteristic and Electrical Properties of $TiN_xO_y/TiN_x$ Multilayer Thin Film Resistors with a High Resistance)

  • 박경우;허성기;안준구;윤순길
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.19-19
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    • 2009
  • TiNxOy/TiNx multilayer thin films with a high resistance (~ k$Omega$) were deposited on SiO2/Si substrates at room temperature by sputtering. The TiNx thin films show island and smooth surface morphology in samples prepared by dc and rf magnetron sputtering, respectively. TiNxOy/TiNx multilayer has been developed to control temperature coefficient of resistance (TCR) by the incorporation of TiNx layer (positive TCR) inserted into TiNxOy layers(negative TCR). Electrical and structural properties of sputtered TiNxOy/TiNx multilayer films were investigated as a function of annealing temperature. In order to achieve a stable high resistivity, multilayer films were annealed at various temperatures in oxygen ambient. Samples annealed at 700 oC for 1 min exhibit a good TCR value and a stable high resistivity.

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SKD61과 Radical Nitriding 처리된 SKD61 기판상에 Arc Ion Plating으로 증착된 TiN 박막의 미세구조 및 기계적 특성에 관한 연구

  • 주윤곤;송기오;윤재홍;조동율;박봉규;정길봉;전윤조
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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    • pp.136-138
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    • 2007
  • 최근 기계가공기술의 발달에 따라 내마모용 TiN 박막의 수요가 증가하였고, TiN박막은 내마모용으로 높은 경도 및 밀착력을 필요로 한다. TiN박막을 증착시키는 방법은 PVD, CVD 등 여러 가지가 있으나 본 연구에서 공구강 SKD 61기판 표면과 Radical Nitriding(RN) 처리된 SKD 61 기판에 arc ion plating(AIP)를 이용하여 TiN 박막을 증착시켜 표면경도를 향상시키고, 이 코팅층의 미세구조가 기계적 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 그 결과 RN처리된 SKD61에서 코팅 두께가 많이 나왔고, 스크래치테스트 결과 접착력이 향상되었음을 알 수 있었다.

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N 도핑된 TiO2 광촉매 박막의 제조 및 특성분석 (Manufacturing and Characterization of N-doped TiO2 Photocatalytic Thin Film)

  • 박상원;남수경;허재은
    • 한국환경과학회지
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    • 제16권6호
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    • pp.683-688
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    • 2007
  • In this study, N doped $TiO_2$ (TiO-N) thin film was prepared by DC magnetron sputtering method to show the photocatalytic activity in a visible range. Various gases (Ar, $O_2\;and\;N_2$) were used and Ti target was impressed by 1.2 kW -5.8 kW power range. The hysteresis of TiO-N thin film as a function of discharge voltage wasn't observed in 1.2 and 2.9kW of applied power. Cross sections and surfaces of thin films by FE-SEM were tiny and dense particle sizes of both films with normal cylindrical structures. XRD pattern of $TiO_2$ and TiO-N thin films was appeared by only anatase peak. Red shift in UV-Vis adsorption spectra was investigated TiO-N thin film. Photoactivity was evaluated by removal rate measurement of suncion yellow among reactive dyes. The photodegradation rate of $TiO_2$ thin film on visible radiation was shown little efficiency but TiO-N was about 18%.

초고집적회로를 위한 구리박막의 화학적 형성기술 (Chemical vapor deposition of copper thin films for ultra large scale integration)

  • 박동일;조남인
    • 한국진공학회지
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    • 제6권1호
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    • pp.20-27
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    • 1997
  • 0.25$\mu\textrm{m}$이하의 최소선폭을 같는 초고집적회로에 사용할 수 있는 구리박막의 형성기술 을 조사하였다. 본 실험에서는 측면박막 형성에 적합한 화학적 증착을 시도하였으며 (hfac)Cu(VTMS)(hexafluoroacetylacetonate vinyltrimethylisilane copper(I))로 명명된 금속 유기 화합물을 원료로 사용하였다. 구리박막의 형성은 TiN와 $SiO_2$모재 위에 이루어 졌으며, 형성 중에 모재의 온도와 증착용기 내 압력의 함수로서 집적회로 공정상 주요 변수인 박막 의 비저항, 박막의 증착선택도를 측정하였다. 구리박막은 모재온도 $180^{\circ}C$와 증착용기의 압력 0.6Torr의 조건에서 가장 좋은 전기적 성질을 보여 주었다. 이 조건에서 형성된 구리박막은 다결정 구조를 나타내었으며 구리박막의 증착속도는 120nm/min, 비저항은 0.25$mu \Omega$.cm, 평균거칠기는 15.5nm로서 0.25$\mu\textrm{m}$이하 선폭의 집적회로에서 요구되는 전기적, 재료적 사양에 근접한 구리박막을 얻었다. 또한 140-$250^{\circ}C$의 모재 온도 범위에서 TiN모재와 $SiO_2$모재 사 이에 뚜렸한 증착선택성이 관측되었다.

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TiAlCrSiN 박막의 고온 산화 부식 (High-temperature Oxidation of the TiAlCrSiN Film)

  • 이동복;김민정
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.107-107
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    • 2016
  • TiCrAlSiN films were developed in order to improve the high-temperature oxidation resistance, corrosion resistance, and mechanical properties of conventional TiN films that are widely used as hard films to protect and increase the lifetime and performance of cutting tools or die molds. In this study, a nano-multilayered TiAlCrSiN film was deposited by cathodic arc plasma deposition. It displayed relatively good oxidation resistance at $700-900^{\circ}C$, owing to the formation protective oxides of $Al_2O_3$, $Cr_2O_3$, and $SiO_2$, and semiprotective $TiO_2$. At $1000^{\circ}C$, the increased temperature led to the formation of the imperfect oxide scale that consisted primarily of the outer ($TiO_2$,$Al_2O_3$)-mixed scale and inner ($TiO_2$, $Al_2O_3$, $Cr_2O_3$)-mixed scale.

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