• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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• pp.133-136
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• 2004

In this study, the characteristics of 3C-SiC ohmic contact were investigated. Titanium-tungsten(TiW) films were used for contact metalization. The ohmic contact resistivity between 3C-SiC and TiW was measured by HP4155 and then calculated with the circular transmission line method(C-TLM). And also the physical properties of TiW and the interface between TiW and 3C-SiC were analyzed using XRD and AES. TiW films make a good role of a diffusion barrier and their contact properties with 3C-SiC are stable at high temperature.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권4호
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• pp.632-639
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• 1997

단일상으로서는 치밀한 소결이 힘든 TiC 와 $TiB_2$ 혼합조성을 상압소결하여 얻어진 TiC-$TiB_2$ 고온복합체의 소결밀도와 미세구조를 연구하였다. 소성조제의 임계첨가량은 1 wt% Fe 및 3 wt% Ni으로 최대 소결밀도는 약 95%이었다. TiC-$TiB_2$ 복합체의 미세구조에서 TiC상은 matrix로서 $TiB_2$입자성장을 저지하였고, wave 흑은 계단식 상계면의 존재는 석출된 Ni-rich phases가 소결중 액상으로 존재하다가 냉각시 고화한 것으로 TEM분석결과 확인할 수 있었다. 또한, 이들 Ni-rich phases는 matrix grain안에서 dislocation형성 요인으로 작용하고 있음이 확인되었다.

• 한국진공학회지
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• 제3권4호
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• pp.405-413
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• 1994

초고진공에서 기판 Si(111)-7$\times$7 위에 Ti:Si 또는 1:2의 조성비로 Ti와 Si을 동시증착한 후 in situ 열처리하여 TiSi2 박막을 에피택셜 성장시켰다 XRD와 XPS 분석결과 동시증착된 혼합 층에서 C49-TiSi2 박막의 성장은 핵형성에 의함을 확인하였으며 양질의 C49-TiSi2 박막은 Ti를 증착한후 Ti와 Si를 동시 증착한 (Ti+2Si)/(Ti)/Si(111)-7$\times$7구조의 시료를 초고진공에서 50$0^{\circ}C$에서 열처리하여 얻을수 있었다. 형성된 C49-TiSi2/Si(111)의 계면은 깨끗하였고 HRTEM 분석 결과 C49-TiSi2\ulcornerSi(111)의 계면은 약 10。 의 편의를 가지면서 TiSi2[211]∥Si[110] TiSi2(031)/Si(111) 의 정합성을 가졌으며 시료의 전 영 역에 에피택셜 성장되었다.

• 한국재료학회지
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• 제5권7호
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• pp.820-828
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• 1995

초청정 Si 기판위에 Ti을 증착하여 형성시킨 Ti-silicide의 상전이와 각상의 표면 및 계면형상을 Ti 증착두께, 열처리 온도, 기판의 방위에 따라 조사하였다. 초 고진공 챔버에서 각각 400$\AA$ 및 200$\AA$의 Ti를 50$0^{\circ}C$부터 90$0^{\circ}C$까지 10$0^{\circ}C$간격으로 가열되어 있는 Si(100) 및 Si(111) 기판에 증착하여 Ti-silicide를 형성하였다. 형성된 Ti-silicide를 XRD, SEM, TEM으로 상전이와 각상의 표면 및 계면 형상을 관찰하였다. 관찰결과 C49에서 C54상으로의 상전이 온도는 $650^{\circ}C$정도이었고, 기판의 방위와 박막의 증착 두께에 따라 상전이 온도의 변화가 관찰되었으며, 이 상전이 온도의 변화를 표면에너지와 체적에너지에 기초를 둔 고찰을 통해 설명하였다. 그리고 C49상은 증착한 박막에서의 Si 원자의 비균질한 확산 특성으로 인해 거친 계면을 나타내고 있으나, C54상은 비교적 균질한 계면을 나타내고 있으며 응집화에 의해 island가 형성된 것이 관찰되었다.

• 한국분말재료학회지
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• 제1권1호
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• pp.15-20
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• 1994

The effect of SiC addition on sintering behaviors and microstructures of TiB2 ceramics were studied. The sintering of TiB2 was limited due to the surface diffusion and rapid grain growth at high temperature. However the addition of SiC to TiB2 ceramics improved the densification to above 99% of the theoretical density. The sintering of TiB2-SiC composite starts at 120$0^{\circ}C$ with the melting of the oxides in particle surface as impurities. After the reduction of the oxide by additional cabon at above 140$0^{\circ}C$, the grain boundary diffusion through the interface of TiB2-SiC play an important role. TEM observation showed neither chemical reactions nor other phases formed at the TiB2-SiC interfaces but the microcracks were observed due to the mismatch of thermal expansion between TiB2-SiC.

• 한국재료학회지
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• 제1권1호
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• pp.9-17
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• 1991

화학증착법에 의해 $Si_3N_4-TiC$ 복합재료 위에 코팅된 TiC 박막은 TiN 박막에 비하여 우수한 미세구조와 열충격저항, 계면결합을 가지고 있는 것으로 나타났다. 화학증착법에 의한 TiN 박막은 TiC 박막에 비해 강철과의 마찰계수가 작고 화학적으로 안정하였다. 실험결과는 코팅된 절삭공구가 우수한 내 마모성을 갖고 있는 것으로 나타났다. 또한, 다중 코팅된 절삭공구는 단일 코팅된 공구보다 우수한 내 마모성을 보였다

• 자원리싸이클링
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• 제33권1호
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• pp.22-30
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• 2024

2차원 물질 MXene의 전구체로 사용되는 Ti₃AlC₂ MAX 상 합성을 위해, 출발물질로써 타이타늄 (Ti) 스크랩을 활용하는 것은 경제적인 접근이 될 수 있다. 본 연구는 Ti 스크랩을 활용하여 Ti₃AlC₂ MAX상의 상분율 향상을 위한 합성 조건의 최적화를 수행하였다. Ti 스크랩으로부터 수소화-탈수소화(hydrogenation-dehydrogenation, HDH) 공정에 의해 제조된 Ti 분말의 산소 함량은 고상탈산(Deoxidation in solid state, DOSS) 공정을 통하여 효과적으로 감소되었다. 최적 합성 조건은 25 ~ 32 ㎛의 DOSS-Ti, Al, graphite 분말을 3:1.1:2의 몰 비율로 혼합하여 합성되었다. 이 때의 Ti₃AlC₂, TiC 및 Al₃Ti의 상분율은 각각 97.25%, 0.93%, 1.82%로 나타났으며, 25 ~ 45 ㎛의 Ti₃AlC₂ MAX 분말의 산소 함량은 4,210 ppm으로 확인되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권3호
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• pp.231-238
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• 1998

Cr3C2 -dispersed TiC composites were prepared via HPCS(high pressure-self combustion sintering) pro-cess using mixtures of Ti, Cr and a carbon source for the purpose of increasing the facture toughness and sinterability of TiC. In this study the microstructure and properties of the composites were investigated in terms of relation to the carbon source the particle size of Ti and the amount of Cr. It was found that car-bon black was the most effective carbon source among the various carbon sources tested and the reaction was more effective as the particle size of Ti decreased. Among the sintered composites of Ti-C-Cr system the one with 30wt% Cr showed the best physical properties with 0.5% in apparent porosity 98.8% in re-lative density 18.2 GPa in hardness and 4.46 MPa.m1/2 in fracture toughness. In addition it was observed that the lattice constant of TiC decreased gradually with increasing the amount of Cr.

• 한국분말재료학회지
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• 제9권5호
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• pp.352-358
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• 2002

The effects of boron or manganese added as $B_4C$, Mn, $TiB_2$, B on TiC-30vo1.%$Ni_3Al$ cermet sintered at 1380 and $1400^{\circ}C$ for 1 hour, were examined in relation with shrinkage, relative density, microstructure, lattice parameter, hardness and fracture toughness ($K_{IC}$). The results are summarized as follows: 1) The highest shrink-age showed about 30.5% in the specimen added B$_4$C and the maximum relative density was about 99% in the specimen added $TiB_2$; 2) The grains of TiC were grown during sintering and made the surrounding structure by adding boron and manganese. The largest grain size showed about $2.8\mutextrm{m}$ in the specimen with boron sintered at $1400^{\circ}C$;3) The lattice parameter of TiC was about $4.325\AA$ and $Ni_3Al$ about $3.592\AA$ by adding other elements; 4) The highest hardness was about $1100kgf/\textrm{mm}^2$ in the specimen with B4C; 5) The fracture toughness ($K_{IC}$) showed about $15MNm^{-3/2}$ in the specimen added $TiB_2$.

• 한국재료학회지
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• 제4권2호
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• pp.136-142
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• 1994

초청장 Si(111)기탄상에 초고진공 챔버에서 Ti을 증착하여 $TiSi_{2}$를 에피층으로 성장시켰다. 재구성된 (reconstructed) Di(111)표면에 상온에서 50$\AA$ 두께의 Ti을 증착한 후 $100^{\circ}C$간격으로 $800^{\circ}C$까지 열처리 하였다. $TiSi_{2}$박막의 구조는 전자회절 패턴 분석을 통하여 준안정상인 C49상임을 확인하였다. SEM 사진은 세가지 형태의 island를 보이고 있다. 각 island 는 단결정이며 그 구조는 서로 다른 결정학적 방향을 갖는 에피구조이다. 이러한 TiSi$_{2}$ island[112]C49 TiSi$_{2}$/[110]Si, (021) C49 $TiSi_{2}$/(111)Si의 방향관계를 가지고 있다.