In this study, CT specimens were prepared hem ASTM SA516 which was used for pressure vessel plates for room and low temperature service. And we got the following characteristics from fatigue crack growth test carried out in the environment of room and low temperature at $25^{\circ}C$, -3$0^{\circ}C$, -6$0^{\circ}C$, -8$0^{\circ}C$, -l$0^{\circ}C$ and -l2$0^{\circ}C$ and in the range of stress ratio of 0.1, 0.3 by means of opening mode displacement. At the constant stress ratio, the threshold stress intensity factor range ΔK$_{th}$ in the early stage of fatigue crack growth ( Region I ) and stress intensity factor range ΔK in the stable of fatigue crack growth ( Region II) was increased in proportion to descend temperature. It assumed that the fatigue resistance characteristics and fracture strength at low temperature is considerable higher than that of room temperature in the early stage and stable of fatigue crack growth region. The straight line slope relation of logarithm da/dN - ΔK in Region II, that is, the fatigue crack growth exponent m increased with descending temperature at the constant stress ratio. It assumed that the fatigue crack growth rate da/dN is rapid in proportion to descend temperature in Region H and the cryogenic-brittleness greatly affect a material with decreasing temperature.e.greatly affect a material with decreasing temperature.
In order to provide some insights into the influence of electric field, gas composition, and gas temperature on electron energy distribution and electron transport characteristics, the Boltzmann equation was solved by using cross section data for electron collisions, Critical electric fields for the corona development in dry air and flue gas are 150 and 80 Td, respectively. It was seen that the decrease of critical electric field in flue gas is mainly caused by the $H_2O$ addition through the comparison of ionization and attachment coefficients of gas components. Increase of $O_2$, $H_2O$, and $CO_2$ contents in gas affected discharge characteristics according to their reciprocal characteristics between lowering the ionization threshold and increasing the electro-negativity. As electric field increases, electrons with higher energies in the electron energy distribution also increase. The mean and characteristic electron energies also linearly increase with electric field. The variation of flue gas temperature did rarely affect on the electron energy distribution function and electron transport characteristics, because the gas temperature is several hundreds or thousands times lower than the electron temperature.
A semi-empirical approach to model the temperature effects on I-V characteristics of Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) is proposed. The model includes two thermal parameters describing CNTFET behaviour in terms of saturation drain current and threshold voltage, whose values are extracted from the simulated and trans-characteristics of the device in different temperature conditions. Our results are compared with those of a numerical model online available, obtaining I-V characteristics comparable but with a lower CPU calculation time.
In this study, the bias-temperature stress and current-temperature stress induced by the electrical stabilities of half-Corbino hydrogenated-amorphous-silicon (a-Si:H) thin-film transistors (TFTs) with different gate electrode geometries fabricated on the same substrate were examined. The influence of the gate pattern on the threshold voltage shift of the half-Corbino a-Si:H TFTs is discussed in this paper. The results indicate that the half-Corbino a-Si:H TFT with a patterned gate electrode has enhanced power efficiency and improved aperture ratio when compared with the half-Corbino a-Si:H TFT with an unpatterned gate electrode and the same source/drain electrode geometry.
The prediction of irradiation-induced transition temperature shift for RPV steels is an important method for long term operation of nuclear power plant. Based on the irradiation embrittlement data, an irradiation-induced transition temperature shift prediction model is developed with machine learning method XGBoost. Then the residual, standard deviation and predicted value vs. measured value analysis are conducted to analyze the accuracy of this model. At last, Cu content threshold and saturation values analysis, temperature dependence, Ni/Cu dependence and flux effect are given to verify the reliability. Those results show that the prediction model developed with XGBoost has high accuracy for predicting the irradiation embrittlement trend of RPV steel. The prediction results are consistent with the current understanding of RPV embrittlement mechanism.
2충의 BPSG를 사용하는 서브마이크론 CMOS DRAM에 있어 전기적 특성에 관한 BPSG flow온도의 영향을 비교하였다. BPSG flow온도를 $850^{\circ}C/850^{\circ}C,\;850^{\circ}C/900^{\circ}C,\;900^{\circ}C/900^{\circ}C$의 3가지 다른 조합을 적용하여 문턱전압, 파괴전압, Isolation전압과 더불어 면저항과 접촉 저항을 조사하였다. $900^{\circ}C/900^{\circ}C$ flow의 경우 NMOS에서 문턱전압은 $0.8\mu\textrm{m}$ 미만의 채널길이에서 급격히 감소하나 PMOS 경우는 차이가 없었다. NMOS와 PMOS의 파괴전압은 각각 $0.7\mu\textrm{m}$와 $0.8\mu\textrm{m}$ 이하에서 급격히 감소하였다. 그러나 $850^{\circ}C/850^{\circ}C$ flow의 경우에는 NMOS와 PMOS모두 문턱전압과 파괴전압은 채널길이 $0.7\mu\textrm{m}$까지 감소하지 않았다. Isolation전압은 BPSG flow온도 감소에 따라 증가하였다. 면저항과 접촉 저항은 BPSG flow온도가 $900^{\circ}C$에서 $850^{\circ}C$로 감소됨에 따라 급격히 증가되었다. 이와 같은 결과는 열처리 온도에 따라 dopant의 확산과 활성화에 관련 있는 것으로 생각된다. 접촉 저항 증가에 대한 개선 방법에 대하여 고찰하였다.
지표면에서 방출된 $11{\mu}m$와 $12{\mu}m$의 복사량은 대기 입자에 의해 선택적으로 산란되고 흡수된다. 에어로솔이 대기 중에 존재할 경우 지표면에서 방출되는 $11{\mu}m$의 복사량이 $12{\mu}m$보다 흡수를 많이 하므로 밝기 온도가 낮게 나타나고, 반대로 구름에 대해서는 $12{\mu}m$가 흡수를 많이 하여 $11{\mu}m$의 밝기 온도가 높게 나타난다. 그러므로 $11{\mu}m$와 $12{\mu}m$의 밝기 온도 차이(BTD)를 통해 구름과 에어로솔의 존재 유무를 판별할 수 있고, 에어로솔의 광학 두께를 추정할 수 있다. 본 연구에서는 대기의 구성 물질과 연직 분포 상태, 지표면의 온도와 형태, 그리고 에어로솔의 구성성분에 따라 BTD 경계값과 민감도를 분석하였다. BTD 경계값은 이론적으로 $0^{\circ}K$라고 알려져 있으나 본 연구에서 US 표준 대기 상태일 때 $0.8^{\circ}K$의 경계값을 보인다. BTD 값은 태양 천정각, 에어로솔의 고도, 지표면 반사도, 그리고 대기의 연직적 온도 분포에 따라서는 영향을 적게 받았다. 그러나 위성 천정각, 지표면 온도와 방출율, 연직적 수증기 분포에 대해 영향이 크게 나타나며 에어로솔 탐지에 50%이상의 오차를 유발할 수도 있다. 그러므로 BTD 방법을 사용하는데 있어 주의가 요구되며, BTD값에 영향을 미치는 인자를 보정해 준다면 좀 더 정확한 에어로솔 탐지가 가능하리라 사료된다.
As-Te.Si-Ge 유리질 반도체의 직류 펀도도는 실온에서 3x10-7Ω-1cm-1∼1.5x10-8Ω-1cm-1이었고 각 시료의 온도 인화에 따른 전도특성은 상전이 온도(Tg) 이하에서 o=ooexp(-△E/kT)로 표시할 수 있었다. 또한 실온에서 각 시료의 교류 전도도의 주파수 의존도는 거의 같았으며 직류 전도도에 비해 상당치 높게 나타나서 o(w)=oo+Awn으로 표시할 수 있었다. 200KHz 경우에 교류 펀도도는 295。K∼473。K에서 온도에 무관하고 200Hz 경우에는 433。K에서 부터 심하게 증가하였다. 각 시fy는 기억스위칭 현상은 없었고 문지받스위칭 현상만 관찰할 수 있었다. The dc conductivity, ac conductivity and switching effect of As·Te-Si·Ge have beon investigated. The dc conductivity ranged from 3x10-7Ω-1cm-1∼1.5x10-8Ω-1cm-1 at room temperature and was found to be expressed by o=ooexp(-△E/kT) below the phase transition temperature Tg. The ac conductivity was much higher than dc conductivity and this result is consistent to experimental formula o(w)=oo+Awn. In the temperature range of 298。K∼147。K, the ac conductivity was independent of temperature at 200KHs. At lower frequencies the ac conductivity increased strong1y with temperature. Also, it has been found that all samples showed a threshold switching, but not a memory switching.
매미나방(Lymantria dispar)은 나비목(Lepidoptera) 독나방과(Lymantriidae)에 속하는 해충으로 매미나방은 한국, 일본, 시베리아, 유럽, 북아메리카 등에 분포하며, 주로 배나무, 사과나무, 블루베리 등의 식물을 가해하는 광식성 해충이다. 매미나방은 수목해충으로 관리되어 왔으나 최근 산림 발생지 인접 농경지로 유입 빈도가 높아지면서 방제 대책이 수립되지 않은 농작물에 피해가 심하다. 본 연구는 매미나방(L. dispar)의 방제기술의 일환으로 매미나방 발육에 미치는 온도의 영향을 알아보기 위해 2021년 전라남도 장흥군 황금측백나무에서 채집한 알집을 이용해 18, 21, 24, 27, 30, 33℃ (14L:10D, 상대습도 60±5%) 항온조건에서 온도별, 발육단계별 발육기간을 조사하였다. 매미나방 유충의 발육속도는 온도가 높을수록 빨라졌으나, 매미나방 유충의 생존율이 33℃에서 가장 낮게 나타났다. 따라서 발육적온은 30℃였으며, 30℃에서 총 발육기간은 암컷 43.8일, 수컷 42.5일 소요되었다. 암컷과 수컷 발육영점온도는 각각 13.1℃, 12.5℃, 유효적산온도는 각각 641.1 DD, 657.8 DD였다.
Temperature-dependent electroretinogram responses were investigated in the dark adapted bullfrog eyes within the physiological temperature range 0-40$\^{C}$. In hypothermic process(25→0→25$\^{C}$), the amplitude of b-and c-wave decreased with lowering the temperature again. Both b-wave amplitude and threshold responses were maximal around 15$\^{C}$ during the temperature increment. Upon warming to room temperature again (25$\^{C}$), the b-wave amplitude was approximately doubled as compared to that of control without temperature changes. During the hyperthermic process (25→40→25$\^{C}$), however, the responses decreased with warming, and the wave amplitude failed to recover by cooling to 25$\^{C}$ again. As describe above, the recoveries of ERG in both processes show the striking difference. The hypothermia induces the amplification of the b-wave, that is, enhances the retinal function with the temperature recovery toward room temperature. While the hypertherima produces the decrease of the b-wave even though recovered to room temperature, which indicates an irreversible retina. The morphological alteration is shown both hypothermic and hyperthermic process, such as an appearance of large vacuoles and degenerating outer segments, more intense in hyperthermia, similar to light induced damage.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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