• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
• /
• pp.664-667
• /
• 2011

본 연구에서는 차세대 나노소자인 DGMOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 문턱전압특성에 대하여 분석하고자 한다. 특히 포아송방정식을 풀 때 전하분포를 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압의 변화를 관찰하고자 한다. 포아송방정식으로 부터 해석학적 전위분포 모델을 구하였으며 이를 이용하여 문턱전압을 구하였다. 문턱전압은 표면전위가 페르미전위의 두배가 될 때 게이트 전압으로 정의되므로 표면전위의 해석학적 모델을 구하여 문턱전압을 구하였다. 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 포텐셜 분포값을 수치해석학적 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 포텐셜모델이 수치해석학적 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 DGMOSFET의 도핑분포 함수의 형태에 따라 문턱전압 특성을 분석하였다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제25권8A호
• /
• pp.1153-1159
• /
• 2000

이 논문에서는 네트워크의 QoS에 가장큰 영향을 미치는 네트워크 선로 이용률의 과거데이터를 기반으로 단기간 예측과 계절성(seasonality) 예측에 적합한 계절자기회귀이동평균(SARIMA: seasonal ARIMA) 모형을 적용하여 앞으로의 시간대별 선로 이용률을 예측하고 그 신뢰 구간을 추정함으로써 확류에 근거한 선로 이용률의 임계값 위반 시점을 예측할 수 있으며 확률에 근거한 신뢰성을 제공할 수 있다 또한 제시한 모델의 적합성 여부를 평가하였으며 실험을 통하여 적절한 수준의 임계값과 임계값 탐지의 기준이 되는 탐지 확률값을 추론함으로써 본 알고리즘의 성능을 최대화하였다.

• Nuclear Engineering and Technology
• /
• 제41권8호
• /
• pp.1109-1114
• /
• 2009

The evolution of a high burnup structure (HBS) in a light water reactor (LWR) $UO_2$ fuel was simulated using the Potts model. A simulation system for the Potts model was defined as a two-dimensional triangular lattice, for which the stored energy was calculated from both the irradiation damage of the $UO_2$ matrix and the formation of a grain boundary in the newly recrystallized small HBS grains. In the simulation, the evolution probability of the HBS is calculated by the system energy difference between before and after the Monte Carlo simulation step. The simulated local threshold burnup for the HBS formation was 62 MWd/kgU, consistent with the observed threshold burnup range of 60-80 MWd/kgU. The simulation revealed that the HBS was heterogeneously nucleated on the intergranular bubbles in the proximity of the threshold burnup and then additionally on the intragranular bubbles for a burnup above 86 MWd/kgU. In addition, the simulation carried out under a condition of no bubbles indicated that the bubbles played an important role in lowering the threshold burnup for the HBS formation, thereby enabling the HBS to be observed in the burnup range of conventional high burnup fuels.

• 응용통계연구
• /
• 제29권1호
• /
• pp.221-230
• /
• 2016

주식시장 거래에서 기록되는 고빈도 자료를 사용하여 주식 수익률에 대한 변동성을 분석하였다. 변동성을 설명할 수 있는 한 요소로 주식거래에서 불규칙한 간격으로 발생하는 가격 듀레이션을 생각할 수 있는데, 실제 자료에 ACD 모형을 사용하여 듀레이션을 추정해 보았고, ACD-GARCH 모형을 사용하여 주식 수익률과 변동성에 미치는 듀레이션의 영향을 살펴보았다. 이 과정에서 ACD 모형 추정에는 ML과 EF 방법을 적용하였고, ACD-GARCH 모형에는 이중-분계점(double-threshold)을 추가하여 평균수익률의 비대칭성 및 변동성의 비대칭성을 동시에 분석해 보았다.

• Genomics & Informatics
• /
• 제5권3호
• /
• pp.95-101
• /
• 2007

In this paper, we consider the variable selection methods in the Cox model when a large number of gene expression levels are involved with survival time. Deciding which genes are associated with survival time has been a challenging problem because of the large number of genes and relatively small sample size (n<

• 방송공학회논문지
• /
• 제19권2호
• /
• pp.268-271
• /
• 2014

소스 부호 왜곡 모델 및 채널 유도 왜곡 모델 기반의 기존의 FEC 부호율 결정 기법들은 일반적으로 높은 계산 복잡도와 구현 비용을 요구하는 모델 파라메터 트레이닝 과정을 요구한다. 본 논문에서는 복잡한 모델링 과정을 피하기 위해서 최적의 FEC 부호율 결정을 위한 채널 손실 한계집합을 추정하기 위한 정확한 소스-채널 결합 왜곡 모델을 제안한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1990년도 추계학술대회 논문집 학회본부
• /
• pp.88-92
• /
• 1990

An accurate analytical threshold model is presented for fully depleted SOI which has a Metal-Insulator-Semiconductor-Insulator-Metal structure. The threshold voltage is defined as the gate voltage at which the second derivative of the inversion charge with respect to the gate voltage is maximum. Therefore the model is self-consistent with the measurement scheme. Numerical simulations show good agreement with the model with less than 3% error.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제18권6호
• /
• pp.1422-1428
• /
• 2014

본 연구에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 하단 게이트전압에 대한 문턱전압이동 현상에 대하여 분석하였다. 비대칭 DGMOSFET는 4단자소자로서 상단과 하단의 게이트단자에 별도의 전압을 인가할 수 있으므로 하단게이트전압의 변화가 문턱전압에 영향을 미칠 것이다. 그러므로 단채널효과로 알려져 있는 문턱전압 이동현상이 하단게이트전압에 의하여 감소할 수 있는지를 관찰하고자 한다. 이를 위하여 문턱전압이하영역에서의 차단전류모델을 제시하였으며 차단전류가 채널폭 당 $10^{-7}A/{\mu}m$일 경우의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하여 채널길이 및 채널두께의 변화에 따라 하단게이트 전압의 변화에 대한 문턱전압의 이동현상을 관찰하였다. 결과적으로 하단게이트전압은 문턱전압이동현상에 커다란 영향을 미치는 것을 알 수 있었으며, 특히 단채널효과가 심각하게 발생하고 있는 채널길이 및 채널두께 영역에서는 더욱 큰 영향을 미치고 있다는 것을 알 수 있었다.

• Journal of applied mathematics & informatics
• /
• 제5권3호
• /
• pp.643-658
• /
• 1998

In this paper we analyze the performance of a statistical ATM multiplexer with bursty input traffic and two thresholds in the buffer by using queueing model. Two priority levels are considered for source traffic which is modeled by Markov Modulated Poisson Process to represent the bursty characteristics. Service time distributions of two priority sources are assumed to be same and deterministic for ATM environment. The partial buffer sharing scheme with one threshold may experience a sensitive state change around the threshold. But the proposed multiplexer with two thresholds avoids this hysterical phenominon to improve the system operation.

• 정보처리학회논문지C
• /
• 제12C권4호
• /
• pp.559-570
• /
• 2005

ECN 방법은 통신 혼잡 발생 초기에 이 사실을 명백히 알려주기 때문에 통신 혼잡을 판단하는 정확한 방법이다. 그래서, 무선 TCP 분야에서는 ECN 방법이 심도 있게 연구되고 있다. 본 논문은 ECN 마킹을 위한 최적의 임계치(threshold)를 찾는 계산식을 제시하고, ECN 전략을 적용하는 TCP의 페트리 넷 모형을 구축한 다음, 시뮬레이션을 통하여 제시된 식의 타당성을 검증한다. 또한, 제시된 식의 실용화 방안도 제안한다. 본 논문의 주된 공헌은 ECN 마킹을 위한 최적의 임계치를 찾는 공식을 제공하는 것이지만, 본 논문에 소개된 ECN 전략을 적용한 TCP의 페트리 넷 모형도 네트워크 프로토콜을 연구하는 학자에게 도움을 주리라고 믿는다. 소개된 페트리 넷 모형은 기존의 TCP 모형에 ECN 전략을 추가하기 위하여 네트워크 부분을 주로 변형하였으며, 송신자와 수신자도 역시 변형되었다.