• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.274-274
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• 2014

금속칼코게나이드 화합물중 하나인 $MoS_2$는 초저 마찰계수의 금속성 윤활제로 널리 사용되고 있으며 흑연과 비슷한 판상 구조를 지니고 있어 기계적 박리법을 통한 그래핀의 발견 이후 2차원 박막 합성법에 대한 활발한 연구가 진행되고 있다. 최근 다양한 응용이 진행 중인 그래핀의 경우 높은 전자이동도, 기계적 강도, 유연성, 열전도도 등 뛰어난 물리적 특성을 지니고 있으나 zero-bandgap으로 인한 낮은 on/off ratio는 thin film transistor (TFT), 논리회로(logic circuit) 등 반도체 소자 응용에 한계가 있다. 하지만 $MoS_2$는 벌크상태에서 약 1.2 eV의 indirect band-gap을 지닌 반면 단일층의 경우 1.8 eV의 direct-bandgap을 나타내고 있다. 또한 단일층 $MoS_2$를 이용하여 $HfO_2/MoS_2/SiO_2$ 구조의 트랜지스터를 제작하였을 때 $200cm^2/v^{-1}s^{-1}$의 높은 mobility와 $10^8$ 이상의 on/off ratio 나타낸다는 연구가 보고되어 있어 박막형 트랜지스터 응용을 위한 신소재로 주목을 받고 있다. 한편 2차원 $MoS_2$ 박막을 합성하기 위한 대표적인 방법인 기계적 박리법의 경우 고품질의 단일층 $MoS_2$ 성장이 가능하지만 대면적 합성에 한계를 지니고 있으며 화학기상증착법(CVD)의 경우 공정 gas의 분해를 위한 높은 온도가 요구되므로 박막형 투명 트랜지스터 응용을 위한 플라스틱 기판으로의 in-situ 성장이 어렵기 때문에 이를 보완할 수 있는 $MoS_2$ 박막 합성 공정 개발이 필요하다. 특히 Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) 방법은 공정 gas가 전기적 에너지로 분해되어 chamber 내부에서 cold-plasma 형태로 존 재하기 때문에 박막의 저온성장 및 대면적 합성이 가능하며 고진공을 바탕으로 합성 중 발생하는 오염 요소를 효과적으로 제어할 수 있다. 본 연구에서는PECVD를 이용하여 plasma power, 공정압력, 공정 gas의 유량 등 다양한 공정 변수를 조절함으로써 저온, 저압 조건하에서의 $MoS_2$ 박막 성장 가능성을 확인하였으며 전구체로는 Mo 금속과 $H_2S$ gas를 사용하였다. 또한 향후 flexible 소자 응용을 위한 플라스틱 기판의 녹는점을 고려하여 공정 온도는 $300^{\circ}C$ 이하로 설정하였으며 합성된 $MoS_2$ 박막의 두께 및 화학적 구성은 Raman spectroscopy를 이용하여 확인 하였다. 공정온도 $200^{\circ}C$와 $150^{\circ}C$에서 성장한 $MoS_2$ 박막의 Raman peak의 경우 상대적으로 낮은 공정온도로 인하여 Mo와 H2S의 화학적 결합이 감소된 것을 관찰할 수 있었고 $300^{\circ}C$의 경우 약 $26{\sim}27cm^{-1}$의 Raman peak 간격을 통해 5~6층의 $MoS_2$ 박막이 형성 된 것을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.221-221
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• 2014

The present work proposes an improved numerical simulator for design and modification of large area capacitively coupled plasma (CCP) processing chamber. CCP, as notoriously well-known, demands the tremendously huge computational cost for carrying out transient analyses in realistic multi-dimensional models, because electron dissociations take place in a much smaller time scale (${\Delta}t{\approx}10-8{\sim}10-10$) than time scale of those happened between neutrals (${\Delta}t{\approx}10-1{\sim}10-3$), due to the rf drive frequencies of external electric field. And also, for spatial discretization of electron flux (Je), exponential scheme such as Scharfetter-Gummel method needs to be used in order to alleviate the numerical stiffness and resolve exponential change of spatial distribution of electron temperature (Te) and electron number density (Ne) in the vicinity of electrodes. Due to such computational intractability, it is prohibited to simulate CCP deposition in a three-dimension within acceptable calculation runtimes (<24 h). Under the situation where process conditions require thickness non-uniformity below 5%, however, detailed flow features of reactive gases induced from three-dimensional geometric effects such as gas distribution through the perforated plates (showerhead) should be considered. Without considering plasma chemistry, we therefore simulated flow, temperature and species fields in three-dimensional geometry first, and then, based on that data, boundary conditions of two-dimensional plasma discharge model are set. In the particular case of SiH4-NH3-N2-He CCP discharge to produce deposition of SiNxHy thin film, a cylindrical showerhead electrode reactor was studied by numerical modeling of mass, momentum and energy transports for charged particles in an axi-symmetric geometry. By solving transport equations of electron and radicals simultaneously, we observed that the way how source gases are consumed in the non-isothermal flow field and such consequences on active species production were outlined as playing the leading parts in the processes. As an example of application of the model for the prediction of the deposited thickness uniformity in a 300 mm wafer plasma processing chamber, the results were compared with the experimentally measured deposition profiles along the radius of the wafer varying inter-electrode gap. The simulation results were in good agreement with experimental data.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.413-413
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• 2014

In this paper, we present a fabrication method of functionalized gold nanostructures on flexible substrate that can be implemented for plasmonic sensing application. For biomolecular sensing, many researchers exploit unconventional lithography method like nanoimprint lithography (NIP), contact transfer lithography, soft lithography, colloidal transfer printing due to its usability and easy to functionalization. In particular, nanoimprint and contact transfer lithography need to have anti-adhesion layer for distinctive metallic properties on the flexible substrates. However, when metallic thin film was deposited on the anti-adhesion layer coated substrates, we discover much aggravation of the mold by repetitive use. Thus it would be impossible to get a high quality of metal nanostructure on the transferred substrate for developing flexible electronics based transfer printing. Here we demonstrate a method for nano-pillar mold and transfer the controllable nanoparticle array on the flexible substrates without an anti-adhesion layer. Also functionalization of gold was investigated by the different length of thiol applied for effectively localized surface plasmonic resonance sensing. First, a focused ion beam (FIB) and ICP-RIE are used to fabricate the nanoscale pillar array. Then gold metal layer is deposited onto the patterned nanostructure. The metallic 130 nm and 250 nm nanodisk pattern are transferred onto flexible polymer substrate by bi-layer functionalized contact imprinting which can be tunable surface energy interfaces. Different thiol reagents such as Thioglycolic acid (98%), 3-Mercaptopropionic acid (99%), 11-Mercaptoundecanoic acid (95%) and 16-Mercaptohexadecanoic acid (90%) are used. Overcoming the repeatedly usage of the anti-adhesion layer mold which has less uniformity and not washable interface, contact printing method using bi-layer gold array are not only expedient access to fabrication but also have distinctive properties including anti-adhesion layer free, functionalized bottom of the gold nano disk, repeatedly replicate the pattern on the flexible substrate. As a result we demonstrate the feasibility of flexible plasmonic sensing interface and anticipate that the method can be extended to variable application including the portable bio sensor via mass production of stable nanostructure array and other nanophotonic application.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.9
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• pp.837-842
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• 1998

As the size of the integrated circuit is scaled down the importance of Si cleaning has been emphasized. One of the major concerns is abut the removal of metallic impurities such as Cu and Fe on Si surface. In this study, we intentionally contaminated Cu and Fe on the Si wafers and cleaned the wafer by cleaning splits of the chemical mixture of $\textrm{H}_2\textrm{O}_2$ and HF and the combination of HF treatment with UV/$\textrm{O}_3$ treatment. The contamination level was monitored by TXRF. Surface microroughness of the Si wafers was measured by AFM. The Si wafer surface was examined by SEM. AES analysis was carried out to analyze the chemical composition of Cu impurities. The amount of Cu impurities after intentional contamination was abut the level of $\textrm{10}^{14}$ atoms/$\textrm{cm}^2$. The amount of Cu was decreased down to the level of $\textrm{10}^{10}$ atoms/$\textrm{cm}^2$ by cleaning splits. The repeated treatment exhibited better Cu removal efficiency. The surface roughness caused by contamination and removal of Cu was improved by repeated treatment of the cleaning splits. Cu were adsorbed on Si surface not in a thin film type but in a particle type and its diameter was abut 100-400${\AA}$ and its height was 30-100${\AA}$. Cu was contaminated on Si surface by chemical adsorption. In the case of Fe the contamination level was $\textrm{10}^{13}$ atoms/$\textrm{cm}^2$ and showed similar results of above Cu cleaning. Fe was contaminated on Si surface by physical adsorption and as a particle type.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.55.2-55
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• 1998

다견정 심리판-거l르마늄(JXlly-SiGe)은 TFT(thin-film transistor)와 갇븐 소자 응용에 있어서 중요한 불칠이다 .. LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) 방법으로 비정칠 SiGc (a-SiGe) 박막올 증 착시키고 고상결정화(SPC: solid-phase crystallization)시켜 poly-SiGc옹 얻는 것은 잘 알려져 있다. 그러 나 그러나 PF'||'&'||'pound;VD-SPC 방법올 이용한 poly-SiGc의 제조에 대해서는 아직 두드러지게 연구된 바 없다. 우리단 PF'||'&'||'pound;VD 방법으로 a-SiGc 박막올 증착시키고 고상캘정화시켜 poly-SiGc올 얻었 R며, :~ 결정성, G Gc 농도, 결정핍의 평끌 크기 눔올 XRD (x-ray diffraction) 방법으호 조사하였다. 특히 pr'||'&'||'pound;VD 증착시 가판온도,Gc 함유량 등이 고상화에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. P PECVD 장치는 터보펌프콸 사용하여 71저진공이 2xlOlongleftarrow5 Torr에 이르렀다. 가판윤 SiOOO) 웨이퍼륜 사용하고 기판 온도는 약 150- 35()"C 사이에서 변화되었다. 증착가스는 SiH4, GcH4, 112 등흘 썼다. 증착 압력과 r.f 전력용 각각 O.25ToIT와 3W로 일정하게 하였다 .. Gc 함유량(x)은 x x=O.O-O.5 사이에서 변화되었다 .. PECVD모 증착된 SiGc 박막들은 고상결정화를 위해 $\theta$X)"(:: Nz 분위기에서 24시간동안, 혹은 5OO'C에서 4열간 가열되었다. 고상결정화 후 poly-SiGc 박막은 SiGc(Ill), (220), (311) XRD 피크들올 보여주었으며, 각 피 크들은 poly-Si에 비하여 왼쪽으로 Bragg 각이 이동되었고, Vegard’slaw에 의해서 x의 값올 확 인할 수 있었다. 이것온 RBS 결과와 열치하였다. 약 150-350'C 사이에서 변화된 기판온도의 범위 에서 증착온도가 낮올수콕 견정립의 크기는 대체로 증가하는 것으로 나타났다 .. XHD로 추정된 형 균 결정립의 크기는 최대 약 3$\alpha$1m 정도였다. 또한 같끈 샘플뜰에 대해서 기판온도가 낮올수록 증착속도가 증가함옴 확인하였다 .. Gc 함유량이 x=O.1에서 x=O.5로 증가함에 따라서도 결정립의 크기와 SiGc 증착속도는 증가하는 것으로 나타났다 .. Hwang [1] , Kim[2] 둥의 연구자들은 Gc 함유 량이 증가함에 따라 결정 립 크기가 캄소하는 것올 보고하였으냐, Tsai [3] 둥은 반대의 결과플 보 고하고 Ge 힘유량의 증가시 결정립 크기의 증가에 대해 Gc의 Si보다 낮은 융점 (melting point) 올 강조한 바 있다. 결정립 크기의 증가는 대체로 SiGe 중착속도의 증가와도 관련이 있음올 볼 때, poly-SiGc의 경우에도 polv-Si의 고상화에서와 같이 증착속도가 빠를수록 최종적언 결정럽의 크기가 커지는 것으로 이해될 수도 있다 .. PECVD 증착시 증착속도의 증가는 증착된 박딱에서의 무켈서도를 증 가시킬 수 있음올 고려하면, 이라한 결파플온 p이y-SiGc의 고상결정화에서도 ploy-Si의 고상결정 화에서와 마찬가지로 초기 박막에서의 구조직 무절서도가 클수록, 고상결정화 후 결정 립의 크기 가 커칠 수 있음올 보여준다고 생각휠 수 있다,

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.13 no.3
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• pp.103-108
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• 2004

High-quality ZnO films were grown on sapphire (001) substrates by the atomic layer epitaxy (ALE) technique using DEZn as a Zinc precusor and $H_2O $ as an oxidant at both $170^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$ which are in the ALE and the CVD process temperature ranges, respectively. The films were annealed in an oxygen atmosphere in the temperature range from 600 to 100$0^{\circ}C$ for an hour and then investigate photoluminescence (PL) properties using He-Cd laser. PL intensity tends to increases as the annealing temperature increase for both the annealed ZnO films grown at $170^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$ , while PL did not nearly occur at the as-deposited ones. The PL intensity of the ZnO film grown at $400^{\circ}C$ is low after it is annealed at high temperature owing to a large number of Zn-Zn bonds although it has increased in the visible light wavelength region after annealing. In contrast the PL intensity has increased significant in the visible light region after annealing

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.2
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• pp.246-254
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• 1993

In order to increase the capacitance of storage electrode in the DRAM capacitor, two approaches were performed. First, hemispherical and rugged poly silicon films were made by LPCVD to increase the effective surface area of storage electrode. The even surface morphology of conventional poly silicon electrode was changed into the uneven surface of hemispherical of rugged poly silicon films. Second, PECVD $Ta_2O_5$ dielectric films were deposited and thermally treated to study the dielectrical characteristics of $Ta_2O_5$ film on each electrode. MIS capacitors with $Ta_2O_5$ films were electrically characterized by I-V, C-V and TDDB measurements. As a result, the capacitance of the electrode with uneven surface were increased by a factor of 1.2~1.5 and leakage current was increased compared with those of even surface. TDDB result indicates that the electrode with uneven surface has dielectrically more degraded than that of even surface. These results can be helpful as a basic research to develop new generation DRAM capacitors with $Ta_2O_5$ films.

• Journal of the Korean Society of Radiology
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• v.1 no.1
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• pp.11-16
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• 2007

In this study, we have performed contrast-detail analysis for an amorphous selenium(a-Se) based digital X-ray imaging system by using a contrast-detail phantom(CDRAD 2.0) to test its low contrast performance. The X-ray imaging system utilizes an 500-mm-thick a-Se semiconductor X-ray absorber coated over an amorphous silicon(a-Si) TFT(thin-film transistor) detector matrix with a $139mm{\times}139mm$ pixel size and a $46.7cm{\times}46.7cm$ active area. In the measurement of contrast-detail curves we first acquired X-ray images of the CDRAD 2.0 phantom at given test conditions(i.e., 40, 50, 60, 70, 80 kVp, and 16 mA.s), and then evaluated the contrast-detail characteristics of the imaging system from each phantom image by using an image quality factor called the image-quality-figure-inverse(IQFinv). The IQFinv values for the imaging system gradually improved with the photon fluence, indicating the improvement of image visibility: 24.4, 35.3, 39.2, 41.5, and 43.4 at photon fluences of $1.8{\times}105$, $5.9{\times}105$, $11.3{\times}105$, $19.4{\times}105$, and $29.4{\times}105$ photons/$mm^2$, respectively.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2007.05a
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• pp.800-804
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• 2007

전 세계에서 홍수로 인한 인명손실과 재산적 피해의 기록을 살펴보면 최근 몇 년 동안 꾸준히 증가하고 있다. 이로 인해서 홍수를 방어하기 위한 노력은 증가하게 되었다. 이로 인해 홍수터에서 인구집중과 개발로 인해 홍수방어를 위해서 막대한 투자가 필요하다. 이와 동시에 지속가능하고 효과적인 수자원 관리는 전체적인 접근방법이 요구되며, 사회와 경제발전과 생태계 보호 및 토지이용과 수자원 이용의 적절한 관리와 연결된 개념이 필요하다. 유역은 육지와 수계 사이의 많은 상호작용이 있는 동적인 시스템이다. 이러한 관점에서 유역을 간단한 고정된 지역적인 문제라고 생각하는 것보다 전체로서의 유역 기능을 개선하는데 노력이 필요하고 시도되어야 할 것이다. 통합홍수관리(IFM : Integrated Flood Management)는 홍수의 긍정적인 측면과 부정적인 측면을 고려한 새로운 접근방법이며, 홍수가 자원적 가치를 지닌 것이라고 생각하는 개념이다. 통합홍수관리의 특징은 홍수조절 대책의 적절한 혼합, 대책의 목적 및 형태(구조적 및 비구조적 대책), 단기간 및 장기간 대책 등의 대책들을 통합하는 것이다. 여기에는 전유역의 수문순환 관리, 통합 토지이용 및 수자원 관리, 최적 혼합대책의 적용 및 통합재해관리 적용 등이 있다. 홍수는 자연적인 수문학적 체계의 중요한 요소이며, 주요 수자원이기도 하다. 그리고 빈번한 홍수로 인해 제방을 넘어 홍수터를 점령한다. 이 결과로 상습 홍수범람지역은 점점 더 인구가 밀집되고 있고 홍수에 더 취약하게 된다. 그러므로 금호강유역에 발생한 홍수의 개요, 원인 및 결과에 대해서 살펴보고, 홍수관리대책과 실효성에 대해서 조사 분석하였다. 그리고 홍수가 발생한 후 홍수관리대책과 관리기술의 변화를 통합홍수관리의 개념에서 분석하였다.Jones matrix, which allows a new interpretation in the conversion efficiency of the thin-film optical waveguides.있다는 장점이 있었다. 따라서 소아에서 복막투석도관 수술 시 복강경적 방법을 이용하는 것이 효율적인 복막 투석을 위해 유용하다고 생각된다.상부 방광천자에 비해 민감도 59.5%(25/42), 특이도 86.6%(13/15)였고 위양성률 13.3%(2/15), 위음성률 40.5%(17/42) 로 정확도가 낮았다. 결론 : 소변을 가리지 못하는 영유아에서 요로 감염을 진단하기 위해서는 도뇨관 채뇨에 비해 초음파 감시하 치골상부 방광천자가 정확하고 안전한 채뇨법으로 권장되어야 한다고 생각한다.應裝置) 및 운용(運用)에 별다른 어려움이 없고, 내열성(耐熱性)이 강(强)하므로 쉬운 조건하(條件下)에서 경제적(經濟的)으로 공업적(工業的) 이용(利用)에 유리(有利)하다고 판단(判斷)되어진다.reatinine은 함량이 적었다. 관능검사결과(官能檢査結果) 자가소화(自家消化)시킨 크릴간장은 효소(酵素)처리한 것이나 재래식 콩간장에 비하여 품질 면에서 손색이 없고 저장성(貯藏性)이 좋은 크릴간장을 제조(製造)할 수 있다는 결론을 얻었다.이 있음을 확인할 수 있었다.에 착안하여 침전시 슬러지층과 상등액의 온도차를 측정하여 대사열량의 발생량을 측정하고 슬러지의 활성을 측정할 수 있는 방법을 개발하였다.enin과 Rhaponticin의 작용(作用)에 의(依)한 것이며, 이는 한의학(韓醫學) 방제(方劑) 원리(原理)인 군신좌사(君臣佐使) 이론(理論)에서 군약(君藥)이 주증(主症)에 주(主)로 작용(作用)하는 약물(藥物)이라는 것을 밝혀주는 것이라고 사료(思料)된다.일전 $

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2007.05a
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• pp.805-809
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• 2007

최근 도시의 발달은 하상공간에 대한 이용도를 높이는 방향으로 개발이 진행되어가는 추세이며, 하상도로 및 하상주차장의 이용은 이제 도시 내에서 이용 가능한 마지막 여유 공간으로 인식될 정도로 그 의존도가 높아져가고 있다. 그러나 하상공간의 활용도가 높아져갈수록 도시홍수의 발생으로 인한 대피문제가 발생하게 되고 돌발홍수로 인하여 하상도로의 차단 혹은 하상 주차장에 주차된 차량의 소거가 늦어지는 경우 고스란히 피해를 보게 되는 등 그 부작용도 계속 증가되고 있다. 도시홍수의 특성을 살펴보면 국지성 돌발 강우에 의한 유량의 급격한 증가와 짧은 유하시간, 작은 유역면적 등에 의하여 주요 예보지점까지의 도달시간이 매우 짧아 수문학적 홍수예측 모형을 이용하여 홍수예측 업무를 수행하는데 선행시간을 충분히 확보할 수 없다는 단점을 지니고 있다. 이에 따라 본 연구에서는 기존의 하천시스템에 대한 설계 등을 목적으로 하여 모형의 적용을 통한 시뮬레이션 기법을 적용하고 이를 통하여 홍수 예경보를 발령하기에는 선행시간의 확보(대피시간의 확보)라는 측면에서 상당한 어려움을 지닐 수 있으므로 시시각각으로 측정되는 실시간 수위측정 자료 및 실시간 강우자료를 이용하여 모형의 수행과정을 생략하고 하천의 수위변동을 직접 예측하고 대피할 수 있는 시나리오 기반의 수문모형을 개발하였다. SPSS를 사용한 통계학적 모형을 대전광역시 3대 하천에 대하여 적용한 결과 예측자료가 실측자료를 고수위 및 저수위 부근에서 정확히 모의하지 못하는 경향이 나타났으나 경계 및 위험수위를 설정하고 이를 넘어가는 시점에 대한 예측을 하는 홍수경보 시점 예측에는 효율적인 적용성을 나타내었다.씬 간편하면서도 정확도가 높아서, 환경방사성 스트론튬의 정량분석에 적절히 사용될 수 있다.e form of Jones matrix, which allows a new interpretation in the conversion efficiency of the thin-film optical waveguides.있다는 장점이 있었다. 따라서 소아에서 복막투석도관 수술 시 복강경적 방법을 이용하는 것이 효율적인 복막 투석을 위해 유용하다고 생각된다.상부 방광천자에 비해 민감도 59.5%(25/42), 특이도 86.6%(13/15)였고 위양성률 13.3%(2/15), 위음성률 40.5%(17/42) 로 정확도가 낮았다. 결론 : 소변을 가리지 못하는 영유아에서 요로 감염을 진단하기 위해서는 도뇨관 채뇨에 비해 초음파 감시하 치골상부 방광천자가 정확하고 안전한 채뇨법으로 권장되어야 한다고 생각한다.應裝置) 및 운용(運用)에 별다른 어려움이 없고, 내열성(耐熱性)이 강(强)하므로 쉬운 조건하(條件下)에서 경제적(經濟的)으로 공업적(工業的) 이용(利用)에 유리(有利)하다고 판단(判斷)되어진다.reatinine은 함량이 적었다. 관능검사결과(官能檢査結果) 자가소화(自家消化)시킨 크릴간장은 효소(酵素)처리한 것이나 재래식 콩간장에 비하여 품질 면에서 손색이 없고 저장성(貯藏性)이 좋은 크릴간장을 제조(製造)할 수 있다는 결론을 얻었다.이 있음을 확인할 수 있었다.에 착안하여 침전시 슬러지층과 상등액의 온도차를 측정하여 대사열량의 발생량을 측정하고 슬러지의 활성을 측정할 수 있는 방법을 개발하였다.enin과 Rhaponticin의 작용(作用)에 의(依)한 것이며,