• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.183-187
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• 2000

In this study the SrBi$_2$Ta$_2$$O_{9}$ (SBT) thin films were etched by using magnetically enhanced inductively coupled Ar/CHF$_3$plasma as function of CHF$_3$/(Ar+CHF$_3$)gas mixing ratio. Maximum etch rate of SBT thin films was 1650 $\AA$/min and the selectivities of SBT to Pt and photoresist(PR) were 1.35 and 0.94 respectively under CHF$_3$/(Ar+CHF$_3$) of 0.1 For study on etching mechanism of SBT thin film X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) surface analyses and secondary ion mass spectrometry (SIMS) mass analysis of etched SBT surfaces were performed. Among the elements of SBT thin film. M(Sr, Bi, Ta)-O bonds are broken by Ar ion bombardment and form SrF and TaF$_2$by chemical reaction with F. SrF and TaF$_2$are removed more easily by Ar ion bombardment. Scanning electron microscopy(SEM) was used for the profile examination of etched SBT film and the cross-sectional SEM profile of etched SBT film under CHF$_3$(Ar+CHF$_3$) of 0.1 was about 85$^{\circ}$X>.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.445-448
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• 2006

Bias stress effect in pentacene organic thin-flim transistors with cross-linked PVA gate dielectric is analyzed. For negative gate bias stress, positive threshold voltage shift is observed. The injected charges from the gate electrode to the defect states of gate dielectric are regarded as the main origin of $V_T$ shift. The reduced bias stress effect using $SiO_2$ blocking layer confirms the assumed mechanism. It is also demonstrated that the inverter with $SiO_2$ blocking layer shows the negligible hysteresis owing to the reduced bias stress effect.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.230-231
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• 2006

We synthesized sol according to kinds(particle size/stabilized ion) of colloidal silica(CS), content ratio of alkoxysilane versus CS and reaction degree in sol solution and studied the surface property of coated gel materials. The contact angle of the thin films prepared from LHSA/N1030 CS/tetramethoxysilane(TMOS)/methyltrimethoxysilane(MTMS) sol-gel reaction system showed a little good relationship with content ratio of TMOS/MTMS silanes. The surface roughness of LHSA CS/TMOS/MTMS reaction system showed flatter than that of LHSA/N1030 CS. The thermal degradation of LHSA CS/TMOS/MTMS coating flim occurred at $550^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.479-480
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• 2005

The Analog data is impossible to perfect reconstruct original data at a hologram data storage because of noise such as cross talk. So it is necessary that data can be stored by digital signal unavoidably. Therefore this work deals with experiments from this point of view through writing & reading of digital data. We stored 256bit digital data at one point on As-Ge-Se-S chalcogenide thin film and we reconstruct original data of 100% through the specified algorithm such as the histogram equalization, the interactive correction, etc. This result shows that the data is able to reconstruct under relative low diffraction efficiency. As the result, we expect the possibility of chalcogenide thin film for HDDS as the analysis of the effective resolution refer to reconstruction rate and diffraction efficiency.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.104-107
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• 2001

The fabricated La-modified lead titanate (PLT) thin flim without paling treatment was investigated for modulation frequency dependence of pyroelectric properties by the dynamic method. $Pb_{1-x}La_{x}Ti_{1-x/4}O_{3}$ PLT (x=0.1) thin film having 10 mol% La content was deposited on a $Pt/TiO_{x}/SiO_{2}/Si$ substrate by sol-gel method. The PLT(10) thin film exhibits a relatively excellent dielectric property. The pyroelectric coefficient (p) of the PLT(10) thin film is $6.6{\times}10^{-9}C/cm_{2}\cdot K$ without frequency dependence. The figure of merits for the voltage responsivity and specific detectivity are $1.03{\times}10^{-11}C\cdot cm/J$ and $1.46\times 10^{-9}C\cdot cm/J$, respectively. The PLT(10) thin film has voltage responsivity (Rv) of 5.15 V/W at 8 Hz. Noise equivalent power (NEP) and specific detectivity (D*) of the PLT(10) thin film are$9.93{\times}10^{-8}W/Hz^{1/2}$ and $1.81\times 10^{6}cmHz^{1/2}/W$ at the same frequency of 100 Hz, respectively. The results means that PLT thin film having 10 mol % La content is suitable for the sensing materials of pyroelectric IR sensors.

• 한국추진공학회지
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• 제10권2호
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• pp.87-94
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• 2006

모델 표면의 임의 영역에서 나타나는 이차원 전단응력의 분포를 측정하는 실험적 연구가 수행되었다. 오일막 위에 형성된 간섭영상을 이용한 이 측정법은 시험부 표면에 있는 오일막의 국소 기울기의 분포로부터 오일 윤활이론을 적용하여 전단응력의 분포를 얻어낼 수 있다. 평판 위에 수직으로 설치된 원형 실린더 전방의 박리영역에 이 측정법을 적용되어 전단응력의 이차원 분포가 측정되었다. 실험에서 관찰된 전단응력 분포는 유사한 유동조건에서 얻어진 과거 실험 및 수치결과와 비교분석 되었으며, 연구에서 전단응력 분포가 다른 연구결과들과 서로 잘 일치하고 있음이 관찰되어 이 측정법의 응용성이 검증되었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제5권4호
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• pp.439-445
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• 1992

최근 광자기 기록매체로 주목받고 있는 RE-TM계 비정질 박막을 T $b_{x}$ (F $e_{0.9}$ $Co_{0.1}$)$_{100-x}$ (x=14, 17, 20, 23, 27[at%])의 조성비를 갖는 모합금을 만든후 진공증착방법으로 합금박막을 제작하였다. 각시료의 조성에 따른 자기광학효과를 알아보기 위하여 80K부터 600K에서 포화자화( $M_{s}$ )와 보자력( $H_{c}$)에 대한 온도의존성과 자기이방성상수(Ku), Polar Kerr 이력곡선을 측정하였다. 또한 Curie 온도 근처에서 열처리 시간에 따른 자기 토크 곡선의 변화를 분석 함으로써 합금박막 표면의 산화정도를 정성적으로 평가할 수 있었다. 실험결과 T $b_{22.72}$(F $e_{68.78}$ $Co_{8.5}$)인 시료가 상온에서 8.4KOe의 보자력을 가졌으며 T $b_{x}$(x=23[at%])인 경우가 가장 큰 수직자기이방성을 나타냈다. Polar Kerr 이력곡선은 Tb함량 x=25~26[at%]에서 부호가 반전됨을 알 수 있었다.다.다.다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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• pp.196-198
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• 2012

TiN 박막을 자전거용 서스펜션 프레임의 재질로 사용되는 고비강도 경량 합금에 적용하기 위해 Arc ion plating 방식으로 코팅하고 기계적 특성을 분석하였다. TiN 박막의 코팅 특성 평가는 XRD, 박막 경도, 마찰 계수, 밀착력을 측정하였고 피로시험을 실시하였다. 박막의 경도는 약 19 GPa로 측정되었고, 마찰 계수는 약 0.4로써 박막의 코팅 전(마찰계수 0.8)보다 낮아졌다. 밀착력은 약 13.9 N로 나타났으며, 피로 시험은 약 30,000회의 수직 하중 실험에도 박막의 가시적 크랙과 파손이 관찰되지 않았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.41-42
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• 2008

p-type(100) Si 위에 BTMSM과 산소를 혼합한 전구체를 가지고 PECVD 방법을 사용 하여 저유전상수를 갖는 SiOCH막을 형성하였다. 알루미늄 전극을 구현한 MIS (Al/SiOCH/p-si(100)) 구조의 커패시터를 가지고 C-V 특성을 측정하여 유전상수를 계산하였다. 상온에서 증착된 SiOCH 박막의 유전상수는 $450^{\circ}C$에서 30분 동안 열처리 후 뚜렷하게 감소하는 경향을 나타냈으며, 상온 및 대기압에서 공기 중에 노출시켜 자연 산화과정을 겪은 후에 각각의 유전상수는 전체적으로 증가하였지만, 열처리한 박막이 상대적으로 경시효과(aging effects)에 대하여 안정화된 것을 확인하였다.

• 한국태양에너지학회:학술대회논문집
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• 한국태양에너지학회 2012년도 춘계학술발표대회 논문집
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• pp.146-148
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• 2012

In our study, we have focused on optimizing good quality of ZnS buffer layer by chemical bath deposition (CBD) from a bath containing $ZnSO_4$, Thiourea and Ammonia in aqueous solution onto CIGS solar cells. The influence of deposition parameter such as pH, deposition temperature, stirring speed played a very important role on transmission, homogeneity, crystalline of ZnS buffer layer. The transmission spectrum showed a good transmission characteristic above 80% invisible spectral region. CIGS thin flim solar cell with ZnS buffer layer has been realized with the efficiency of 14.2%.