• 한국방재학회 논문집
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• 제10권6호
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• pp.59-64
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• 2010

산불 지표화의 방화선 구축작업은 낙엽 및 관목류 등 지표 연료층을 제거함으로써 화염전파를 차단하는 대표적인 간접진화방법이다. 화재역학적인 의미의 방화선 구축은 화염으로부터 방출되는 열전달에너지에 미연소 연료가 착화되지 않도록 열전달 차단 구간을 설정하는 작업이다. 본 연구에서는 소나무 낙엽층에 대해 복사열전달 점열원 모델을 이용하여 풍속, 경사별로 지표화 화염을 방지할 수 있는 방화선 구축 폭 산정 방법을 제시하였고 평가를 실시하였다. 방화선 구축 폭은 소나무 낙엽 착화 임계 복사열유속인 $4.9\;kW/m^2$가 미치는 거리를 기준으로 평가하였다. 그 결과, 풍속 0~5 m/s, 경사 $0{\sim}50^{\circ}$ 조건에서의 방화선 구축 폭은 평균 화염 기준의 경우, 0.35~0.65 m, 최대 화염높이 기준의 경우, 0.75~1.05m로 산정되었다. 따라서 안전율을 고려한 적정 방화선 구축 폭은 최대 화염 높이를 적용한 1.05 m가 적합할 것으로 판단되며 향후, 실험 및 현장사례조사를 통하여 지표층 연료별 적정 방화선 구축 폭에 대한 비교분석 연구가 추가적으로 필요할 것으로 판단된다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권2호
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• pp.98-103
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• 2013

본 연구에서는 IZO를 활성층으로 하고 $HfSiO_x$를 절연층으로 한 TFT에 대하여 그 성능을 측정하였다. $HfSiO_x$는 $HfO_2$ target과 Si target을 co-sputtering 하여 증착하였으며 RF power를 달리 하여 네 가지의 $HfSiO_x$ 박막을 제작하였다. 공정의 간소화를 위해 게이트 전극을 제외한 모든 층들은 RF-magnetron sputtering system과 shadow mask만을 이용하여 증착하였으며 공정의 간소화를 위해 어떠한 열처리도 하지 않았다. 네 가지 $HfSiO_x$ 박막의 구조적 변화를 X-ray diffraction(XRD), atomic force microscopy(AFM)을 통해 분석하였고, 그 전기적 특성을 확인하였다. 박막 내 $HfO_2$와 Si의 조성비에 따라 그 특성이 현저히 차이가 남을 확인하였다. $HfO_2$(100W)-Si(100W)의 조건으로 증착한 $HfSiO_x$ 박막을 절연층으로 한 소자의 특성이 전류 점멸비 5.89E+05, 이동도 2.0[$cm^2/V{\cdot}s$], 문턱전압 -0.5[V], RMS 0.263[nm]로 가장 좋은 결과로 나타났다. 따라서 $HfSiO_x$ 박막 내의 적절한 $HfO_2$와 Si의 조성비가 계면의 질을 향상시킴은 물론, $HfO_2$자체의 trap이나 defect를 효과적으로 줄여 줌으로써 소자의 성능 향상에 중요한 요소라 판단된다.

• Maxillofacial Plastic and Reconstructive Surgery
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• 제18권4호
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• pp.679-700
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• 1996

Inferior alveolar nerve dysfunction may be the result of trauma, disease, or iatrogenic injury. Inferior alveolar nerve injury is inherent risk in endodontic therapy, orthognathic surgery of the mandible, and extraction of mandibular teeth, particularly the third molars. The sensory disturbances of inferior alveolar nerve associated with such injury have been well documented clinical problem that is commonly evaluated by several clinical sensory test including Tinels sign, Von Frey test(static light touch detection), directional discrimination, two-point discrimination, pin pressure nociceptive discrimination, and thermal test. These methods used to detect and assess inferior alveolar nerve injury have been subjective in nature, relying on the cooperation of the patients. In addition, many of these techniques are sensitive to differences in the examiners experience and skill with the particular technique. Data obtained at different times or by different examiners are therefore difficult to compare. Prior experimental studies have used electro diagnostic methods(sensory evoked potential) to objectively evaluate inferior alveolar nerve after nerve injury. This study was designed with inferior alveolar nerve of rabbit. Several types of injury including mind, moderate, severe compression and perforation with 19 gauze, 21 gauze needle and 6mm, 10mm traction were applied for taking the sesory evoked ppterntial. Latency and amplitude of injury rabbit inferior alveolar nerve were investigated with sensory evoked potential using unpaired t-test. The results were as follows : 1. Intensity of threshold (T1) was $128{\pm}16{\mu}A$ : latency, $0.87{\pm}0.07$ microsecond : amplitude, $0.4{\pm}0.1{\mu}V$ : conduction velocity, 23.3 m/s in sensory evoked potential of uninjured rabbit inferior alveolar nerve. 2. Rabbit inferior alveolar nerve consists of type II and III sensory nerve fiber. 3. Latency was increased and amplitude was decreased in compression injury. The more injured, the more changed in latency and amplitude. 4. Findings in perforation injury was similar to compression injury. Waveform for sensory evoked potential improved by increasing postinjured time. 5. Increasing latency was prominent in traction injury rabbit inferior alveolar nerve. 6. In microscopic histopathological findings, significant degeneration and disorganization of the internal architecture were seen in nerve facicle of severe compression and 10mm traction group. From the above findings, electrophysiological assessment(sensory evoked potential) of rabbit injured inferior alveolar nerve is reliable technique in diagnosis and prognosis of nerve injury.

• Safety and Health at Work
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• 제2권3호
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• pp.210-217
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• 2011

Objectives: The purpose of this study was to measure the concentration of volatile organic compound (VOC)s originated from the chemicals used and/or derived from the original parental chemicals in the photolithography processes of semiconductor manufacturing factories. Methods: A total of four photolithography processes in 4 Fabs at three different semiconductor manufacturing factories in Korea were selected for this study. This study investigated the types of chemicals used and generated during the photolithography process of each Fab, and the concentration levels of VOCs for each Fab. Results: A variety of organic compounds such as ketone, alcohol, and acetate compounds as well as aromatic compounds were used as solvents and developing agents in the processes. Also, the generation of by-products, such as toluene and phenol, was identified through a thermal decomposition experiment performed on a photoresist. The VOC concentration levels in the processes were lower than 5% of the threshold limit value (TLV)s. However, the air contaminated with chemical substances generated during the processes was re-circulated through the ventilation system, thereby affecting the airborne VOC concentrations in the photolithography processes. Conclusion: Tens of organic compounds were being used in the photolithography processes, though the types of chemical used varied with the factory. Also, by-products, such as aromatic compounds, could be generated during photoresist patterning by exposure to light. Although the airborne VOC concentrations resulting from the processes were lower than 5% of the TLVs, employees still could be exposed directly or indirectly to various types of VOCs.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.162-162
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• 1999

초고주파 집적회로의 핵심소자로 각광을 받고 있는 GaAs MESFET(MEtal-emiconductor)은 게이트 형성 공정이 가장 중요하며, WNx 내화금속을 이용한 planar 게이트 구조의 경우 임계전압(Vth:threshold voltage)의 균일도가 우수할 뿐만 아니라 특히 Side-wall을 이용한 self-align 게이트는 소오스 저항을 줄일 수 있어 고성능의 소자 제작을 가능하게 한다.(1) 본 연구의 핵심이 되는 Side-wall을 형성하기 위하여 PECVD법에 의한 SiOx 박막을 증착하고, 건식식각법을 이용하여 SiOx side-wall을 형성하였다. 이 공정을 이용하여 소오스 저항이 낮고 임계전압의 균일도가 우수한 고성능의 self-aligned gate MESFET을 제작하였다. 3inch GaAs 기판상에 이온주입법에 의한 채널 형성, d.c. 스퍼터링법에 의한 WNx 증착, PECVD법에 의한 SiOx 증착, MERIE(Magnetic Enhanced Reactive Ion Etcing)에 의한 Side-wall 형성, LDD(Lightly Doped Drain)와 N+ 이온주입, 그리고 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 사용하여 활성화 공정을 수행하였다. 채널은 40keV, 4312/cm2로, LDD는 50keV, 8e12/cm2로 이온주입하였고, 4000A의 SiOx를 증착한 후 2500A의 Side-wall을 형성하였다. 옴익 접촉은 AuGe/Ni/Au 합금을 이용하였고, 소자의 최종 Passivation은 SiNx 박막을 이용하였다. 제작된 소자의 전기적 특성은 hp4145B parameter analyzer를 이용한 전압-전류 측정을 통하여 평가하였다. Side-wall 형성은 0.3$\mu\textrm{m}$ 이상의 패턴크기에서 수직으로 잘 형성되었고, 본 연궁에서는 게이트 길이가 0.5$\mu\textrm{m}$인 MESFET을 제작하였다. d.c. 특성 측정 결과 Vds=2.0V에서 임계전압은 -0.78V, 트랜스컨덕턴스는 354mS/mm, 그리고 포화전류는 171mA/mm로 평가되었다. 특히 본 연구에서 개발된 트랜지스터의 게이트 전압 변화에 따른 균일한 트랜스 컨덕턴스의 특성은 RF 소자로 사용할 때 마이크로 웨이브의 왜곡특성을 없애주기 때문에 균일한 신호의 전달을 가능하게 한다. 0.5$\mu\textrm{m}$$\times$100$\mu\textrm{m}$ 게이트 MESFET을 이용한 S-parameter 측정과 Curve fitting 으로부터 차단주파수 fT는 40GHz 이상으로 평가되었고, 특히 균일한 트랜스컨덕턴스의 경향과 함께 차단주파수 역시 게이트 바이어스, 즉 소오스-드레스인 전류의 변화에 따라 균일한 값을 보였다. 본 연구에서 개발된 Side-wall 공정은 게이트 길이가 0.3$\mu\textrm{m}$까지 작은 경우에도 사용가능하며, WNx self-align gate MEESFET은 낮은 소오스저항, 균일한 임계전압 특성, 그리고 높고 균일한 트랜스 컨덕턴스 특성으로 HHP(Hend-Held Phone) 및 PCS(Personal communication System)와 같은 이동 통신용 단말기의 MMICs(Monolithic Microwave Integrates Circuits)의 제작에 활용될 것으로 기대된다.

• International Journal of Industrial Entomology and Biomaterials
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• 제21권2호
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• pp.180-183
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• 2010

This study was performed to investigate the temperature-dependent development, longevity and oviposition of an indigenous larval parasitoid, Meteorus pulchricornis, on tobacco cutworm, Spodoptera litura. M. pulchricornis were reared at nine constant temperatures between 15 and $35^{\circ}C$. The developmental times of each three developmental stage decreased from 38.7 to 16.3 d between 15 and $30^{\circ}C$. However, M. pulchricornis showed longer developmental time at $32.5^{\circ}C$ (9.5, 7.7 and 17.2 days for each three developmental stage) than at $30^{\circ}C$ (8.9, 7.3 and 16.3 days for each three developmental stage). Immature M. pulchricornis could not develop any more at $35^{\circ}C$. The lower developmental threshold estimated by linear regression equation for the egg to cocoon, cocoon to adult emergence and egg to adult emergence were 5.1, 4.6 and $4.5^{\circ}C$. The thermal constant for each of the three stages were 217.2, 176.2 and 403.8 degree-days, respectively. When no food or 50% honey solution as a food source is provided for M. pulchricornis, the parasitoid survived for 8.3 and 55.9 days at $25^{\circ}C$, respectively. M. pulchricornis females laid 5.2 eggs daily and total of 131.6 eggs at $25^{\circ}C$ until it died. Peak age-specific fecundity was observed on $14^{th}$ day (9.6 cocoons) after parasitoid emergence and gradually decreased thereafter.

• Journal of Forest and Environmental Science
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• 제13권1호
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• pp.51-56
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• 1997

각(各) 항온조건(恒溫條件)에서 솔잎혹파리 3령 유충을 식이물로 공급하며 응애류 Caloglyphus sp. 의 발육특성(發育特性)과 증식능력(增植能力)을 조사하였다. 본 응애는 란(卵), 유충(幼蟲), 제(第)1약충(若蟲), 제(第)2약충(若蟲), 성충(成蟲)의 4발육단계를 경과하며, 란(卵)을 제외한 모든 발육충태는 솔잎혹파리 유충을 포식(捕食)하였다. 란(卵)부터 성충(成蟲)까지의 발육소요일수(發育所要日數)는 온도가 높을수록 짧았으며, 발육한계온도(發育限界溫度)는 $8.2^{\circ}C$, 유효적산온도(有效積算溫度)는 122.0일도(日度)이었다. $25^{\circ}C$항온에서 란(卵)부터 제(第)2약충(若蟲)까지의 생존율(生存率)은 66.4%으며, 성충의 평균수명(平均壽命)은 수컷이 12.3일, 암컷이 10.2일 이었다. 성충은 1~2일 경과후 산란하기 시작하여 산란기간 초기에 다수의 알을 낳았으며 일생동안 평균 360.6 개체를 산란(産卵)하였다. 발육소요일수(發育所要日數) 및 령별생존율(齡別生存率)과 산란수(産卵數)를 이용하여 산출한 순번석율(純繁殖率)(Ro)과 평균(平均) 세대기간(世代期間)(T), 내적자연증가율(內的自然增加率)($r_m$)은 각 101.1, 9.3일, 0.494/♀/일 이었다.

• 한국응용곤충학회지
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• 제35권2호
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• pp.119-125
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• 1996

가루깍지벌레 월동안 부화시기 예찰모형을 수립하기 위하여 월동알에 대한 온도발육 실험이 수행된다. 5개온도(10, 15, 20, 25, 27$^{\circ}C$)와 채집시기별로 월동알 부화기간을조사하여 비교분석하였다. Wagner 등 (1984a)의 비선형발육모형이 온도별 평균발육률에 대하여 적용되었으며 ($R^2$=0.9729). 발육영점온도는 15~$25^{\circ}C$ 영역에서 얻은 직선회귀식에 의하여 $11.9^{\circ}C$로 추정되었으며, 발육완료를 위해서는 154.14일도가 필요하였다. 적산온도 모형과 발육률전산(Wagner 등 1985) 모형이 부화시기 예측에 이용된다. 적산온도 모형은 평균온도에서 발육영점온도 이상의 온도를 적산하는 방법(Mean-minus-base 추정법), Sine wave 추정법(Allen 1976), 그리고 Rectangle 추정법(Arnold 1960)을 잉요하여 계산하였다. 50% 부화예측일을 실측일과 비교한 결과 적산온도를 이용하는 경우 Mean-minus-base 추정법은 18~28일, Sine wave 추정법은 11~14일, 그리고 Rectangle 추정법은 3~5일의 편차를 보였고, 발육률 적산모형은 2~3일의 편차가 있었다.

• 한국응용곤충학회지
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• 제44권3호
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• pp.225-230
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• 2005

도둑나방(Mamestra brassicae L.)의 온도별 발육특성과 고랭지배추포장에서의 발생소장을 조사하였다. 15, 20, 22, $25^{\circ}C$ 항온조건에서 알의 발육기간은 각각 9.2, 6.2, 5.0, 3.9일이었고, 유충의 발육기간은 각각 40.5, 30.1, 23.3, 21.2일이었다. 또한 알에서 성충으로 발육하기까지 각각 88.3, 63.0, 52.3, 42.8일이 소요되었다. 발육영점온도와 유효적산온도는, 알에 대해서 $7.9^{\circ}C$와 69.4 DD, 유충에 대해서 434.8 DD, 번데기에 대해서 $6.7^{\circ}C$와 344.8 DD이었다. 암컷의 총 산란수는 온도가 상승할수록 커졌는데, $15^{\circ}C$에서 1262.1개, $20^{\circ}C$에서 1663.8개, $25^{\circ}C$에서 1763.2개를 낳았다. 또한 난괴당 알의 수는 온도별로 각각 99.4, 114.7, 167.9개였다. 도둑나방 성충은 대관령 고랭지 배추재배지역에서 6월 중순부터 8월 하순까지 발생하였으며, 일년에 2회 발생하였는데, 6월 하순과 8월 초순에 각각 최대발생량을 보였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.220-225
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• 2016

본 논문은 전류 센싱 FET가 내장되어 있고 온-저항이 낮으며 고전류 구동이 가능한 트렌치 게이트 고 전력 MOSFET를 제안하고 전기적 특성을 분석하였다. 트렌치 게이트 전력 소자는 트렌치 폭 $0.6{\mu}m$, 셀 피치 $3.0{\mu}m$로 제작하였으며 내장된 전류 센싱 FET는 주 전력 MOSFET와 같은 구조이다. 트렌치 게이트 MOSFET의 집적도와 신뢰성을 향상시키기 위하여 자체 정렬 트렌치 식각 기술과 수소 어닐링 기술을 적용하였다. 또한, 문턱전압을 낮게 유지하고 게이트 산화막의 신뢰성을 증가시키기 위하여 열 산화막과 CVD 산화막을 결합한 적층 게이트 산화막 구조를 적용하였다. 실험결과 고밀도 트렌치 게이트 소자의 온-저항은 $24m{\Omega}$, 항복 전압은 100 V로 측정되었다. 측정한 전류 센싱 비율은 약 70 정도이며 게이트 전압변화에 대한 전류 센싱 변화율은 약 5.6 % 이하로 나타났다.