Amorphous $MnO_{2}{\cdot}nH_{2}O$ in 1M KOH aqueous electrolyte proves to be an excellent electrode for a faradic electrochemical capacitor cycled between -0.5 and +1.0 versus Ag/AgCl. The effect of thermal treatment on the crystalinity, particle structure, and corresponding electrochemical properties of the resulting xerogel remained amorphous as Mn(OH)2 up to 160$^{\circ}C$. With an increase in the temperature above 200$^{\circ}C$, both the surface area and pore volume decreased sharply, because the amorphous Mn(OH)2 decomposed to form MnO that was subsequently oxidized to form crystalline Mn3O4. In addition, the changes in the crystallinity, and particle structure all had significant but coupled effects on the electrochemical properties of the xerogels. A maximum capacitance of 160.6F/g was obtained for an electrode prepared with the MnOx Xerogel calcined at 150$^{\circ}C$, which was consistent with the maxima exhibited in both the surface area and pore volume. This capacitance was attributed solely to a surface redox mechanism.
In this study, the dynamic characteristics of an air spring connected with an external chamber through a flexible tube are examined. The uncoupled dynamic parameters of the air spring are identified through experiments, followed by the suggestion of a model-based approach to obtain the remaining coupled dynamic parameters using the various frequency response functions derived in PART I paper [1]. To improve or control the damping characteristics of the air spring, this vibration isolation air spring system is physically established in laboratory scale. And we attempt to identify various parameters used to describe to air spring system by both theoretically [1] and experimentally, which is performed in this report. The damping parameter of the tube system is identified through experiments on the system incorporated with the air cylinder, and a nonlinear regression procedure is employed to find solutions. The resulting value is used to expect the frequency response function of dynamic pressure in the top chamber (air spring) with respect to that in the bottom chamber (external chamber). Comparison with the experimental data supports the validity of the present estimation procedures. Also, the dynamic mechanism of the damping effects particularly in a low frequency range is investigated through this experimental endeavor.
DSC를 이용하여 acom starch와 com starch 및 starch-saccharide-water system 의 겔화와 노화에 관한 열적 메카니즘을 알아보았다. 전분에 fructose와 maltose를 첨가한 starch-saccharide-water 계의 엔탈피를 측정한 결과, 당을 첨가하지 않은 경우의 엔탈피 값보다 컸으며 겔화 온도 역시 증가하였는데 이는 당이 물과 상호 작용하여 비결정성 영역에 흡수된 자유수가 감소하고 결정부분이 안정화되어 겔화가 일어나는 것을 지연시키기 때문이라고 생각되었다. 노화 엔탈피는 acorn starch 와 com starch에 대해 1일 ∼ 14일까지 저장시간에 따르는 변화를 관찰한 결과, 저장시간이 길어짐에 따라 엔탈피 값이 유의성 있게 증가하는 경향을 나타내었으며 이는 amylopectin 의 재결정화가 서서히 일어나기 때문으로 보였다. 또한 s-s-w system의 노화과정을 관찰한 결과, 저장시간이 길어짐에 따라 엔탈피 값이 증가하다가 7일이 지나면서부터는 일정해졌다. 이는 당이 amylopectin의 재결정화를 정지시켜서 노화를 지연시키기 때문으로 판단되었다. 당의 첨가가 노화에 미치는 영향은 fructose와 maltose 중에서 maltose의 노화지연 효과가 더 컸는데 이는 전분 겔 계를 안정시키는 junction zone의 수와 equatorial OH 수 및 활동적인 수화상태가 증가되는 요인을 maltose가 fructose보다 더 많이 갖고 있기 때문인 것으로 설명할 수 있었다.
PURPOSE. Polymethyl methacrylate (PMMA) is the most commonly used denture base material despite typically low in strength. The purpose of this study was to improve the physical properties of the PMMA based denture base resins (QC-20, Dentsply Ltd., Addlestone, UK; Stellon, AD International Ltd, Dentsply, Switzerland; Acron MC; GC Lab Technologies Inc., Alsip, Japan) by copolymerization mechanism. MATERIALS AND METHODS. Control group specimens were prepared according to the manufacturer recommendations. In the copolymer groups; resins were prepared with 5%, 10%, 15% and 20% acrylamide (AAm) (Merck, Hohenbrunn, Germany) content according to the moleculer weight ratio, respectively. Chemical structure was characterized by a Bruker Vertex-70 Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) (Bruker Optics Inc., Ettlingen, Germany). Hardness was determined using an universal hardness tester (Struers Duramin, Struers A/S, Ballerup, Denmark) equipped with a Vickers diamond penetrator. The glass transition temperature ($T_g$) of control and copolymers were evaluated by Perkin Elmer Diamond DSC (Perkin Elmer, Massachusetts,USA). Statistical analyses were carried out using the statistical package SPSS for Windows, version 15.0 (SPSS, Chicago, IL, USA). The results were tested regarding the normality of distribution with the Shapiro Wilk test. Data were analyzed using ANOVA with post-hoc Tukey test (P<.01). RESULTS. The copolymer synthesis was confirmed by FTIR spectroscopy. Glass transition temperature of the copolymer groups were higher than the control groups of the resins. The 10%, 15% and 20% copolymer groups of Stellon presented significantly higher than the control group in terms of hardness. 15% and 20% copolymer groups of Acron MC showed significantly higher hardness values when compared to the control group of the resin. Acrylamide addition did not affect the hardness of the QC-20 resin significantly. CONCLUSION. Within the limitation of this study, it can be concluded that copolymerization of PMMA with AAm increased the hardness value and glass transition temperature of PMMA denture base resins.
A novel sulfonate flame retardant, 1,3,5,7-tetrakis(phenyl-4-sodium sulfonate)adamantane (FR-A), was successfully synthesized from 1-bromoadamantane in sequential four-step reactions involving Fiedel-Crafts phenylation, sulphonation, hydrolysis, and neutralization. The success of synthesis was confirmed by FTIR spectra, $^1H$ NMR spectra, elemental analyses and mass spectra. The effect of FR-A on the flame retardacy of polycarbonate (PC) has been studied. Limiting oxygen index (LOI) and thermogravimetric analysis (TGA) showed that this novel sulfonate flame retardant had effective flame retardancy on polycarbonate (PC). With a small amount (0.08 wt%) of FR-A, the flame retardancy of PC was improved obviously, which got to UL 94 V-0 rating. TGA and DTA curves demonstrated that the additive raised the degradation rate of PC by promoting the quick formation of an insulating carbon layer on the surface, and confirmed that the flame retardant mechanism of PC/FR-A system was similar to potassium diphenylsulfone sulfonate (KSS).
In both gram-positive and several gram-negative bacteria, the transcription of dnaK and groE operons is negatively regulated by HrcA; however, the mechanism modulating HrcA protein activity upon thermal stress remains elusive. Here, we demonstrate that HrcA is modulated via reduction and oligomerization in vitro. Native-PAGE analysis was used to reveal the oligomeric structure of HrcA. The oligomeric HrcA structure became monomeric following treatment with the reducing agent dithothreitol, and this process was reversed by treatment with hydrogen peroxide. Moreover, the mutant HrcA C118S exhibited reduced binding to CIRCE elements and became less oligomerized, suggesting that cysteine residue 118 is important for CIRCE element binding as well as oligomerization. Conversely, HrcA mutant C280S exhibited increased oligomerization. An HrcA double mutant (C118S, C280S) was monomeric and exhibited a level of oligomerization and CIRCE binding similar to wild type HrcA, suggesting that cysteine residues 118 and 280 may function as checks to one another during oligomer formation. Biochemical fractionation of E. coli cells overexpressing HrcA revealed the presence of HrcA in the membrane fraction. Together, these results suggest that the two HrcA cysteine residues at positions 118 and 280 function as reduction sensors in the membrane and mediate oligomerization upon stress.
III-nitride계 물질들은 blue와 UV 영역의 LED, LD와 같은 광소자뿐만 아니라 HBT, FET와 같은 전자소자로도 널리 응용되고 있다. 이와 같은 물질을 이용한 소자를 제작할 수 있는 낮은 저항의 ohmic contact은 필수적이다. Al이나 Ti와 같은 물질을 기초로 한 n-GaN의 경우는 이미 많은 연구결과가 발표되어 전기적 광학적 소자를 동작하는데 충분히 낮은 ohmic contact저항( )을 었다. 그러나 p-GaN의 ohmic contact은 아직까지 많은 문제점을 내포하고 있다. 그 중의 하나는 높은 doping 농도( )의 p-GaN 박막을 성장하기가 어렵다는 것이며, 또 하나는 낮은 접촉 비저항을 얻기 위해선 7.5eV이상의 큰 재가 function을 지닌 금속을 선택해야 한다. 그러나 5.5eV 이상의 재가 function을 갖는 금속은 존재하지 않는다. 위와 같은 문제점들은 p-GaN의 접촉 비저항이 이상의 높은 값을 갖게 만들고 있으며, 이에 대한 해경방안으로는 고온의 열처리를 통하여 p-GaN와 금속 사이에서 화학적 반응을 일으킴으로써 표면 근처에서 캐리어농도를 증가시키고, 캐리어 수송의 형태가 tunneling 형태로 일어날 수 있도록 하는 tunneling current mechanism을 이용하는 것이다. 이로 인해 결국 낮은 접촉 비저항을 얻을 수 있게되며, 일반적으로 p-GaN에서는 Nidl 좋은 물질로 알려져 있다. 그러나 Ni은 50$0^{\circ}C$이상의 열처리에서 쉽게 산화되는 특성 때문에 높은 캐리어를 얻는데 어려운 문제점이 있다. 이에 본 연구에서는 MBE로 성장된 p-GaN박막을 Mg의 activation을 더욱 증가시키기 위해 N2 분위기에서 15분간 90$0^{\circ}C$에서 annealing을 하였으며, ohmic 접촉을 위한 금속으로 높은 재가 function과 좋은 adhesion 그리고 낮은 자체저항을 가지고 있는 Ni/Au를 ohmic metal로 하여 contact한 후에 90$0^{\circ}C$에서 10초간 rapid thermal annealing (RTA)처리를 했다. 성장된 박막의 광학적 성질은 PL로써 측정하였으며, photoconductivity 실험을 통해 impurity의 life time을 분석하였고, persistent photoconductivity를 통해 dark current를 측정하였다. 또한 contact resistance를 계산하기 위해 circular-TLM method을 이용하여 I-V 특성을 조사하였다.
For the lower-temperature preparation of calcium monoaluminate(CA, C:CaO, A:$Al_2O_3$) clinker which is hard to synthesize purely within its melting point, an equimolar hydrate was obtained and then used as a starting raw material of clinker burning. The hydrate was prepared from a mixture of waste oyster shell and industrial aluminium hydroxide by heating to $1200^{\circ}C$, grinding and mixing with water. The hydrate was composed of amorphous aluminium hydroxide and $C_3AH_6$(H:$H_2O$) formed by resolution-precipitation mechanism of the system C-A-H. By heating the hydrate, nearly pure and porous calcium monoaluminate clinker was formed at $1400^{\circ}C$ which is fairly lower temperature than that of its melting point. The formation of calcium monoaluminate was performed mainly by the reaction between amorphous alumina and $C_{12}A_7$ caused by the decomposition of $C_3AH_6$. The immediate and earlier formation of $C_{12}A_7$ seemed to be accelerated by not only high surface area and instability of the thermally decomposed hydrate but also the catalytic effect of water decomposed from the hydrate. The final calcium monoaluminate clinker was very porous because of the influence of highly porous shape of the thermally decomposed hydrate.
Ni/Ti/Al multilayer system ('/'denotes the deposition sequence) was tested for low-resistance ohmic contact formation to Al-implanted p-type 4H-SiC. Ni 30 nm / Ti 50 nm / Al 300 nm layers were sequentially deposited by e-beam evaporation on the 4H-SiC samples which were implanted with Al (norminal doping concentration = $4\times10^{19}cm^{-3}$) and then annealed at $1700^{\circ}C$ for dopant activation. Rapid thermal anneal (RTA) temperature for ohmic contact formation was varied in the range of $840\sim930^{\circ}C$. Specific contact resistances were extracted from the measured current vs. voltage (I-V) data of linear- and circular transfer length method (TLM) patterns. In constrast to Ni contact, Ni/Ti/Al contact shows perfectly linear I-V characteristics, and possesses much lower contact resistance of about $2\sim3\times10^{-4}\Omega{\cdot}cm^2$ even after low-temperature RTA at $840^{\circ}C$, which is about 2 orders of magnitude smaller than that of Ni contact. Therefore, it was shown that RTA temperature for ohmic contact formation can be lowered to at least $840^{\circ}C$ without significant compromise of contact resistance. X-ray diffraction (XRD) analysis indicated the existence of intermetallic compounds of Ni and Al as well as $NiSi_{1-x}$, but characteristic peaks of $Ti_{3}SiC_2$, a probable narrow-gap interfacial alloy responsible for low-resistance Ti/Al ohmic contact formation, were not detected. Therefore, Al in-diffusion into SiC surface region is considered to be the dominant mechanism of improvement in conduction behavior of Ni/Ti/Al contact.
Electrical properties of $C_{22}$-Quinolium(TCNQ) Langmuir-Blodgett(LB) films are reported depending on a type of applied voltage on a type of applied voltage and temperature. A conductivity was identified to be anisotropic with a ratio of ${\sigma}||/{\sigma}{\bot}{\simeq}10^7$ at room temperature. The I-V characteristics along the film surface direction show an ohmic behavior up to a few hundred volts. But the I-V characteristics in the vertical direction display an ohmic behavior for low-electric field, and a nonohmic behavior for high-electric field. This nonohmic behavior has already been interpreted as a conduction mechanism of space-charge limited current and Schottky effect near the electric-field strengh of $10^6$ V/cm. When the electric field exceeds further, there is anormalous phenomia similiar to breakdown. From the study of I-V characteristics with the application of step or pulse voltage, we have found that the breakdown voltage shifts to higher one as the step or pulse interval becomes shorter. These results indicate that the breakdown is due to both electrical and thermal effect. To see the infulence of temperature, current was measured as function of temperature with several bias voltages, which are lower than that of breakdown. It shows that the current increases about 3 orders of magnitude near $60{\sim}70^{circ}C$, and remains constant for a while up to $140^{\circ}C$ and then suddenly drops. Arahidic acid was used to cmpare with $C_{22}$-Quinolium(TCNQ) LB films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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