• 제목/요약/키워드: Technology roadmap

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고진공 및 극저온 달의 지상 환경 재현을 위한 지반열진공챔버 운영 효율성 평가 (Assessment of DTVC Operation Efficiency for the Simulation of High Vacuum and Cryogenic Lunar Surface Environment)

  • 진현우;정태일;이장근;신휴성;유병현
    • 한국지반공학회논문집
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    • 제38권12호
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    • pp.125-134
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    • 2022
  • 세계 우주 기관들로 조직된 국제 우주탐사 협력 그룹이 발간하는 글로벌 우주탐사 로드맵에서는 미래 달 탐사 방향과 달 자원 활용을 위한 거주 계획을 반영하는 등 달은 심우주 탐사를 위한 전초기지로 주목받고 있다. 따라서 달 행성 지반 환경 재현 인프라 기술은 미래 달 지상 탐사를 위해 필요한 다양한 장비들의 성능검증에 활용될 수 있다. 본 연구에서는 달 착륙 및 기지 건설 후보지인 달 남극 영구음영지역의 고진공 및 극저온 지상 환경을 재현하고자 하였다. 현재까지 달 지상 환경 재현을 위한 효율적 장비 운용 프로세스는 제시되지 못한 실정으로, 본 연구에서는 파일럿 지반열진공챔버에 인공월면 지반을 조성한 뒤 다양한 진공 환경에 대해 일방향 지반냉각 실험을 진행하고 이를 평가하였다. 냉각효율 및 장비 안정성 측면에서 가장 유리한 진공 환경은 30-80 mbar인 것으로 파악되었으나, 고진공 환경에서 얼음이 승화되지 않기 위한 극저온의 온도를 구현하기 위해서는 주변부 냉각이 추가적으로 요구되었다. 이를 위해 본 연구에서는 동결비 개념을 적용해 효율적인 주변부 냉각 가동 시점을 제안하였다.

국내외 우주탐사 프로그램 및 관련 기술의 개발현황 (Development Status of Domestic & Overseas Space Exploration & Associated Technology)

  • 주광혁
    • 한국항공우주학회지
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    • 제44권8호
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    • pp.741-757
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    • 2016
  • 구 소련이 달에 루나(Luna) 1호를 발사한 이래 달을 비롯한 지구 밖의 천체에 대한 우주탐사를 시작한 지 60년이 된 지금 인류는 아직 외계의 생명체는 발견하지 못하였으나 태양계의 거의 모든 행성을 근접거리에서 탐사하고 빠른 속도로 이동하는 혜성의 표면에 우주선을 착륙시키는 등 괄목할 만한 성과를 이룩하였다. 그렇지만 아직까지 사람이 외계에 착륙한 곳은 달 뿐이며, 미국을 비롯한 여러 나라들이 사람을 달 또는 화성에 보내 기지를 건설하고 생존할 수 있도록 하는 것을 목표로 우주탐사에 매진하고 있다. 한편, 1990년대 초반에 우주개발을 시작한 우리나라는 정부주도로 수립된 수차례의 우주개발계획에서 달 탐사를 포함한 우주탐사계획을 선언하고 달 탐사 계획을 박근혜정부의 국정과제로 추진하여 2016년 초 공식적으로 달 탐사 프로그램을 시작하였다. 본 논문에서는 우리나라 달 탐사계획과 세계 우주탐사 프로그램의 간략한 역사, 관련기술의 발전현황과 개발방향 등을 살펴본다. 아울러 우리나라의 우주탐사분야의 과학연구 현황 및 분야별 기술수준을 점검한다.

국내 PBN 이행을 위한 대안 항법 적용 방안 (Alternative Positioning, Navigation, and Timing Applicable to Domestic PBN Implementation)

  • 김무근;강자영;장재호
    • 한국항행학회논문지
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    • 제20권1호
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    • pp.37-44
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    • 2016
  • 한국은 성능기반항행 (PBN; performance-based navigation)으로 전환하기 위한 단계적 PBN 이행계획을 2010년에 수립하고 로드맵에 따른 새로운 비행절차를 개발 중에 있다. PBN 비행절차에는 GNSS (global navigation satellite systems), DME (distance measuring equipment), VOR (VHF omnidirectional range), INS (inertial navigation system) 등의 항행시설 (NAVAID; navigation aid)이 활용되는 것으로 되어있다. 그 중에서 GNSS를 이용한 PBN 업무제공이 중심을 이루고 있는 실정이다. 그러나 위성항법신호의 인위적, 자연적 간섭에 의한 취약성이 발견됨에 따라 세계 각국은 다양한 대안항법(APNT; alternative positioning, navigation and timing) 기술을 연구하고 있다. 본 논문에서는 GNSS 신호가 가용하지 않을 경우 기존의 항행시스템으로 지속적인 PBN 운항이 가능한지를 분석하였으며, 결과적으로 국내 일부 공항은 접근 단계 구역에서 대안항법의 구축이 필요한 것으로 나타났다.

스마트 농축산업을 위한 ICT 표준화 중점항목 분석 (ICT Standardization Strategy Item Analysis for Smart Farming and Livestock Farming)

  • 김동일
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제21권3호
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    • pp.607-612
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    • 2017
  • IT 와 농업 및 축산업의 융합은 생산, 유통, 소비 분야에서의 효율과 질적 향상을 기대하게 되었고 특히 IT 영역의 정보 분석 기술과 자동제어 기술은 농산물 생산에 많은 장점을 제공하게 되었다. 네트워크 기반에서의 농축산업 분야 ICT 확대는 기술적, 환경적인 측면에서의 어려움들을 해결하게 되었으며 ICT 융합을 주도하는 국내 및 국제 표준기구에서는 최근 스마트 농축산업 영역에서의 필수 기술 항목을 표준화하여 다양한 문제를 해결하려고 시도하고 있다. 본 논문에서는 IT와 접목한 스마트 농축산업 환경에서의 ICT 표준화 중점 항목을 분석하고 로드맵을 제시한다.

Epoxy/Fe2O3 나노 복합재의 물성치에 미치는 나노 입자의 역할 (The Role of Nano-particles on the Material Properties of Epoxy/Fe2O3 Nano-composites)

  • 박주혁;김정엽
    • 한국항공우주학회지
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    • 제30권5호
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    • pp.88-93
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    • 2002
  • 본 연구의 목적은 epoxy를 기지로 하고 $Fe_2O_3$ 나노 입자 포함하는 나노 복합재료의 특성에 미치는 나노입자의 영향을 알아보는데 있다. 이를 위하여 다음과 같은 연구가 이루어졌다. 나노 입자의 수지 내에서 최적 분산 기법, 나노 입자가 수지의 점성에 미치는 영향, 나노 입자의 조성비에 대한 나노 복합재료의 기계적 특성 변화 및 나노 복합재료의 다기능성에 대하여 조사를 하였다. 나노 입자의 분산을 위하여 초음파 가진을 사용하였으며 최적 분산을 위한 최적 초음파 가진 시간이 존재하며 초음파 외에도 기계적 교반이 필요함을 알 수 있었다. 첨가된 나노입자의 양에 따른 기계적 물성치의 변화를 알아보았다.

원자층 식각을 이용한 Sub-32 nm Metal Gate/High-k Dielectric CMOSFETs의 저손상 식각공정 개발에 관한 연구

  • 민경석;김찬규;김종규;염근영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.463-463
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    • 2012
  • ITRS (international technology roadmap for semiconductors)에 따르면 MOS(metal-oxide-semiconductor)의 CD (critical dimension)가 45 nm node이하로 줄어들면서 poly-Si/$SiO_2$를 대체할 수 있는 poly-Si/metal gate/high-k dielectric이 대두된다고 보고하고 있다. 일반적으로 high-k dielectric를 식각시 anisotropic 한 식각 형상을 형성시키기 위해서 plasma를 이용한 RIE (reactive ion etching)를 사용하고 있지만 PIDs (plasma induced damages)의 하나인 PIED (plasma induced edge damage)의 발생이 문제가 되고 있다. PIED의 원인으로 plasma의 direct interaction을 발생시켜 gate oxide의 edge에 trap을 형성시키므로 그 결과 소자 특성 저하가 보고되고 있다. 그러므로 본 연구에서는 이에 차세대 MOS의 high-k dielectric의 식각공정에 HDP (high density plasma)의 ICP (inductively coupled plasma) source를 이용한 원자층 식각 장비를 사용하여 PIED를 줄일 수 있는 새로운 식각 공정에 대한 연구를 하였다. One-monolayer 식각을 위한 1 cycle의 원자층 식각은 총 4 steps으로 구성 되어 있다. 첫 번째 step은 Langmuir isotherm에 의하여 표면에 highly reactant atoms이나 molecules을 chemically adsorption을 시킨다. 두 번째 step은 purge 시킨다. 세 번째 step은 ion source를 이용하여 발생시킨 Ar low energetic beam으로 표면에 chemically adsorbed compounds를 desorption 시킨다. 네 번째 step은 purge 시킨다. 결과적으로 self limited 한 식각이 이루어짐을 볼 수 있었다. 실제 공정을 MOS의 high-k dielectric에 적용시켜 metal gate/high-k dielectric CMOSFETs의 NCSU (North Carolina State University) CVC model로 구한 EOT (equivalent oxide thickness)는 변화가 없으면서 mos parameter인 Ion/Ioff ratio의 증가를 볼 수 있었다. 그 원인으로 XPS (X-ray photoelectron spectroscopy)로 gate oxide의 atomic percentage의 분석 결과 식각 중 발생하는 gate oxide의 edge에 trap의 감소로 기인함을 확인할 수 있었다.

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중성빔 식각을 이용한 Metal Gate/High-k Dielectric CMOSFETs의 저 손상 식각공정 개발에 관한 연구

  • 민경석;오종식;김찬규;염근영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.287-287
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    • 2011
  • ITRS(international technology roadmap for semiconductors)에 따르면 MOS (metal-oxide-semiconductor)의 CD(critical dimension)가 45 nm node이하로 줄어들면서 poly-Si/SiO2를 대체할 수 있는 poly-Si/metal gate/high-k dielectric이 대두되고 있다. 일반적으로 metal gate를 식각시 정확한 CD를 형성시키기 위해서 plasma를 이용한 RIE(reactive ion etching)를 사용하고 있지만 PIDs(plasma induced damages)의 하나인 PICD(plasma induced charging damage)의 발생이 문제가 되고 있다. PICD의 원인으로 plasma의 non-uniform으로 locally imbalanced한 ion과 electron이 PICC(plasma induced charging current)를 gate oxide에 발생시켜 gate oxide의 interface에 trap을 형성시키므로 그 결과 소자 특성 저하가 보고되고 있다. 그러므로 본 연구에서는 이에 차세대 MOS의 metal gate의 식각공정에 HDP(high density plasma)의 ICP(inductively coupled plasma) source를 이용한 중성빔 시스템을 사용하여 PICD를 줄일 수 있는 새로운 식각 공정에 대한 연구를 하였다. 식각공정조건으로 gas는 HBr 12 sccm (80%)와 Cl2 3 sccm (20%)와 power는 300 w를 사용하였고 200 eV의 에너지로 식각공정시 TEM(transmission electron microscopy)으로 TiN의 anisotropic한 형상을 볼 수 있었고 100 eV 이하의 에너지로 식각공정시 하부층인 HfO2와 높은 etch selectivity로 etch stop을 시킬 수 있었다. 실제 공정을 MOS의 metal gate에 적용시켜 metal gate/high-k dielectric CMOSFETs의 NCSU(North Carolina State University) CVC model로 effective electric field electron mobility를 구한 결과 electorn mobility의 증가를 볼 수 있었고 또한 mos parameter인 transconductance (Gm)의 증가를 볼 수 있었다. 그 원인으로 CP(Charge pumping) 1MHz로 gate oxide의 inteface의 분석 결과 이러한 결과가 gate oxide의 interface trap양의 감소로 개선으로 기인함을 확인할 수 있었다.

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한국 섬유기업의 스마트섬유 개발 동향 - 대구경북지역 업체를 대상으로 - (Examination of Development State of Smart Fiber in Korean Textile Industry - Focused on Companies in Daegu/North Gyeongsang Province -)

  • 유화숙;박광희
    • 한국의류학회지
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    • 제31권8호
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    • pp.1262-1272
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    • 2007
  • The purpose of this study was to examine the development trend of smart fiber by textile companies in Daegu/North Gyeongsang Province. This examination includes the development fields of smart fiber, investment size, information sources and the use degree of those, research-related infrastructure, relationship between companies' characteristics and their interests in smart fiber. Research data were collected by a survey. The definition and classification(4 areas and 12 development products) of smart fiber followed ones of Smart Fiber Technology Roadmap by the Ministry of Commerce, Industry and Energy. Data were analyzed using SPSS 11.0 program for frequency, means, t-test, and $X^2$-test. Among respondents, the numbers of dying and finish companies and export traders were the highest. It revealed that 19.6% of companies were developing smart fibers. Within 12 development products, vapor permeable/waterproof fiber showed to be most being developed, while medical fiber for human has not been developed and wasn't made an investment plan for developing. It was discovered that the biggest problem of smart fiber development was the lack of experts and the best outcome of smart fiber development was preoccupation of future market. It showed that companies got information from textile fairs but didn't often use information sources. The companies appeared to have a weak intention about research of smart fiber. The more important a company considered functionality of textile products and the more innovative and stabler the company was, the higher interest in smart fiber companies had. It was concluded that textile companies in Daegu/North Gyeongsang Province were aware of the importance of smart fiber development but they were not strongly interested in it and not enthusiastic in taking action on it.

WN 박막을 이용한 저항 변화 메모리 연구

  • 홍석만;김희동;안호명;김태근
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.403-404
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    • 2013
  • 최근 scaling down의 한계에 부딪힌 DRAM과 Flash Memory를 대체하기 위한 차세대 메모리(Next Generation Memory)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. ITRS (international technology roadmap for semiconductors)에 따르면 PRAM (phase change RAM), RRAM (resistive RAM), STT-MRAM (spin transfer torque magnetic RAM) 등이 차세대 메모리로써 부상하고 있다. 그 중 RRAM은 간단한 구조로 인한 고집적화, 빠른 program/erase 속도 (100~10 ns), 낮은 동작 전압 등의 장점을 갖고 있어 다른 차세대 메모리 중에서도 높은 평가를 받고 있다 [1]. 현재 RRAM은 주로 금속-산화물계(Metal-Oxide) 저항 변화 물질을 기반으로 연구가 활발하게 진행되고 있다. 하지만 근본적으로 공정 과정에서 산소에 의한 오염으로 인해 수율이 낮은 문제를 갖고 있으며, Endurance 및 Retention 등의 신뢰성이 떨어지는 단점이 있다. 따라서, 본 연구진은 산소 오염에 의한 신뢰성 문제를 근본적으로 해결할 수 있는 다양한 금속-질화물(Metal-Nitride) 기반의 저항 변화 물질을 제안해 연구를 진행하고 있으며, 우수한 열적 안정성($>450^{\circ}C$, 높은 종횡비, Cu 확산 방지 역할, 높은 공정 호환성 [2] 등의 장점을 가진 WN 박막을 저항 변화 물질로 사용하여 저항 변화 메모리를 구현하기 위한 연구를 진행하였다. WN 박막은 RF magnetron sputtering 방법을 사용하여 Ar/$N_2$ 가스를 20/30 sccm, 동작 압력 20 mTorr 조건에서 120 nm 의 두께로 증착하였고, E-beam Evaporation 방법을 통하여 Ti 상부 전극을 100 nm 증착하였다. I-V 실험결과, WN 기반의 RRAM은 양전압에서 SET 동작이 일어나며, 음전압에서 RESET 동작을 하는 bipolar 스위칭 특성을 보였으며, 읽기 전압 0.1 V에서 ~1 order의 저항비를 확보하였다. 신뢰성 분석 결과, $10^3$번의 Endurance 특성 및 $10^5$초의 긴 Retention time을 확보할 수 있었다. 또한, 고저항 상태에서는 Space-charge-limited Conduction, 저저항 상태에서는 Ohmic Conduction의 전도 특성을 보임에 따라 저항 변화 메카니즘이 filamentary conduction model로 확인되었다 [3]. 본 연구에서 개발한 WN 기반의 RRAM은 우수한 저항 변화 특성과 함께 높은 재료적 안정성, 그리고 기존 반도체 공정 호환성이 매우 높은 강점을 갖고 있어 핵심적인 차세대 메모리가 될 것으로 기대된다.

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Advanced Korean Industrial Safety and Health Policy with Risk Assessment

  • Kwon, Hyuck-Myun;Cho, Jae-Hyun;Moon, Il;Choi, Jae-Wook;Park, Doo-Yong;Lee, Young-Soon
    • Safety and Health at Work
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    • 제1권1호
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    • pp.29-36
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    • 2010
  • This article describes a systematic roadmap master plan for advanced industrial safety and health policy in Korea, with an emphasis on. Since Korean industries had first emergence of industrial safety and health policy in 1953, enormous efforts have been made on upgrading the relevant laws in order to reflect real situation of industrial work environment in accordance with rapid changes of Korean and global business over three decades. Nevertheless, current policy has major defects; too much techniques-based articles, diverged contents in less organization, combined enforcement and punishments and finally enforcing regulations full of commands and control. These deficiencies have make it difficult to accommodate changes of social, industrial and employment environment in customized fashion. The approach to the solution must be generic at the level of paradigm-shift rather than local modifications and enhancement. The basic idea is to establish a new system integrated with a risk assessment scheme, which encourages employers to apply to their work environment under comprehensive responsibility. The risk assessment scheme is designed to enable to inspect employers' compliances afterwards. A project comprises four yearly phases based on applying zones; initially designating and operating a specified risk zone, gradually expanding the special zones during a period of 3 years (2010-2012) and the final zone expanded to entire nation. In each phase, the intermediate version of the system is updated through a process of precise and unbiased validation in terms of its operability, feasibility and sustainability with building relevant infrastructures as needed.