• 한국산학기술학회논문지
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• 제21권8호
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• pp.334-341
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• 2020

훈련함 탐색레이더 최대 탐지거리 측정 운용시험평가 수행 중 탐색레이더 표적의 속도 및 침로 불안정 현상이 발생하여 표적에 대한 속도가 불안정하여 ◯◯knots로 접근하는 함정의 속도 편차가 ± 10knots 이상으로 정확한 표적 정보 산출이 불가하고 정보 불일치로 무장 교전 시 명중률 저하 및 표적관리 정확도 저하를 해결하기 위하여 속도 불안정 현상 개선에 대한 연구를 수행하였다. 이를 위해 4M1E에 근거한 Fishbone Diagram을 이용하여 9가지의 원인을 식별하였으며 가장 큰 원인으로 탐색레이더의 표적 처리 소프트웨어의 표적 처리 알고리즘으로 분석되었다. 본 연구에서는 기존 속도 산출 알고리즘을 검토하였으며, 표적 속도 불안정 현상의 원인이 되는 속도 안정화 필터 알고리즘과 안테나 회전수와의 영향성 검토를 수행하여 안테나 회전수 변경시 달라지는 𝜶, 𝞫값을 적용하지 못하는 문제점을 발견하여 이를 개선한 속도 안정화 필터 알고리즘을 표적 추적 관리 소프트웨어에 적용하였다. 본 개선사항에 대한 실선 시험을 통해 안테나 회전수 변경시에도 탐색레이더 표적 속도 정보가 일정하게 유지되는 개선 효과를 확인하였다.

• 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
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• 제20권4호
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• pp.44-50
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• 2016

본 연구에서는 상변화물질(PCM)을 반강성 포장체를 구성하는 초속경시멘트 페이스트 주입재에 적용하기 위한 연구를 수행하였다. 반강성포장용 주입재의 아크릴레이트를 PCM으로 치환에 따른 총 6종류의 주입재 배합에 대하여 경화 전 후 특성을 실험을 통해 평가하였다. 아크릴레이트를 PCM으로 치환하여 유동성을 평가한 결과 본 연구에서 목표로한 유하시간 10~13초를 모두 만족시킬 수 있는 것으로 나타났다. 응결시간의 경우 PCM으로 치환하더라도 초속경 시멘트의 성능을 확보할 수 있는 것으로 나타났고, PCM 치환 60%이상의 경우 초결시간이 다른 배합에 비해 1~2분 빨리 발생되었다. 압축강도 및 부착강도의 경우 Plain 배합과 유사한 강도특성을 나타내었고, 본 연구에서 목표로 하는 압축강도 36MPa, 부착강도 2MPa를 모두 만족시켰다. PCM으로 치환한 배합은 아크릴레이트만을 사용한 배합에 비해 우수한 염소이온침투저항성을 나타내었으나, OPC수준에는 미흡하였다. 반강성포장용 주입재에 대한 물리 역학적 성능평가 결과, 이 연구의 범위내에서는 PCM 대체율 20% 수준이 효과적인 것으로 판단된다.

• 한국음향학회지
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• 제38권5호
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• pp.549-557
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• 2019

표적의 음향 산란 특성은 표적의 재료 특성과 구조적 특성에 영향을 받으며, 이는 음향을 이용하여 수중에서 표적을 탐지, 식별하고자 할 때 매우 중요한 정보가 된다. 특히, 얇은 탄성체의 경우 램파(Lamb wave)에 의해 표적 주변 유체에 산란파가 생성된다. 본 논문에서는 계단 주파수 스윕 사인 파형을 이용하여 수조에서 알루미늄 구의 산란 신호를 측정한 결과를 제시한다. 특히 알루미늄 구의 내부에 물이 채워져 있는 경우와 공기가 채워져 있는 경우에 대하여 산란 신호의 차이를 측정하고 이론 모델과 비교하였다. 또, 내부 물질에 따른 표적 산란 신호 차이를 유사 위그널-빌 분포를 이용하여 분석하고, 유도파의 평균 주파수, 주파수 분포, 에너지의 차이를 비교하였다. 분석 결과, 구의 내부에 물이 채워진 경우가 공기가 채워진 경우에 비해 유도파의 평균 주파수, 주파수 분포, 에너지가 증가하는 것을 확인하였으며 이는 이론적인 예상과 부합한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.374-374
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• 2009

We have fabricated pure YBCO films and $BaZrO_3$ doped ones on $CeO_2$ buffered YSZ single crystal substrates using rf-sputtering method. In this work, pure YBCO and 2 vol% BZO doped YBCO target were used to investigate the flux pinning properties of BZO doped YBCO films compared to undoped ones. BZO nanodots within the superconducting materials was known to comprise the self-assembled columnar defects along the c-axis from the bottom of YBCO films up to the top surface, thus can be a very strong pinning sites in the applied magnetic field parallel to them. We will discuss the possibility of growing self-assembled columnar defects in the rf-sputtering method. It is speculated that BZO and YBCO phases can separate and BZO form nanodots surrounded by YBCO epitaxial layers and continuous phase separation and ordering between these two materials, which was well studied in Pulsed Laser Deposition method. For this purpose, some severe experimental conditions such as on-axis sputtering, shorter target-substrate distance, high rf-power, etc was adopted and their results will be presented.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권9호
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• pp.637-641
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• 2004

We investigated the effects of SiH$_4$ gas on the surface of Hf-silicate films during the deposition of polycrystalline (poly) Si films and the thermal stability of sputtered Hf-silicate films in poly Si/Hf-silicate structure by using High Resolution Transmission Electron Microscopy (HR-TEM) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). Hf-silicate films were deposited by using DC-mag-netron sputtering with Hf target and Si target and poly Si films were deposited at 600$^{\circ}C$ by using Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) with SiH$_4$ gas. After poly Si film deposition at 600$^{\circ}C$, Hf silicide layer was observed between poly Si and Hf-silicate films due to the reaction between active SiH$_4$ gas and Hf-silicate films. After annealing at 900$^{\circ}C$, Hf silicide, formed during the deposition of poly Si, changed to Hf-silicate and the phase separation of the silicate was not observed. In addition, the Hf-silicate films remain amorphous phase.

• 음성과학
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• 제15권1호
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• pp.7-23
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• 2008

This paper investigates tonal patterns of the prosodic constituents of an AP and a PWD in Korean and their relation with the morphological/syntactic structure. Specifically, this paper asks the following questions: First, if there are more than one PWD in an AP, how is each PWD specified in terms of tones? Secondly, in case that there is only one PWD in an AP that consists of several morphemes, is there any preference of the association between tones and the morphemes that constitute that PWD? Thirdly, if an AP dominates a PWD and if a PWD contains at least one morpheme of the lexical category, it follows that an AP should contain at least one morpheme of the lexical category. Can this be verified with the experimental data? In order to answer these questions, Experiment I and II were conducted with the target material consisting of a stem and suffixes that varied in length. The results of this preliminary test show that as the number of syllables in the target material increases, the more number of an AP tonal pattern occurs in it and as a result, in some cases, an AP consisting of suffixes only may occur.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.901-904
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• 2001

For the c-axis oriented epitaxial YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$ thin film on r-cut sapphire substrate it is necessary to deposit buffer layers. The CeO$_2$buffer layer was deposited on sapphire substrate using RF magnetron sputtering system. We investigated XRD pattern of CeO$_2$thin films at various sputtering conditions such as sputtering gas ratio, sputtering power, target to substrate distance, sputtering pressure and substrate temperature. The optimum condition was 15 mTorr with deposition pressure, 1:1.2 with $O_2$and Ar ratio and 9cm with target to substrate distance. The CeO$_2$(200) peak was notable for a deposition temperature above 75$0^{\circ}C$. The YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$ was deposited on CeO$_2$buffered r-cut sapphire substrate using pulsed laser ablation. The YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$CeO$_2$(200)/A1$_2$O$_3$thin film was exhibited a critical temperature of 89K.xhibited a critical temperature of 89K.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.302-305
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• 1995

ITO(indium tin oxide) that is both conductive in electricity and transparent to the visible ray is called transparent conducting thin film. Nowaday, according to the development of flat panel display such as LCD(Liquid Crystal display, EL(electolumine- scence display), PDP(plasma display panel), ECD(electrocromic display), the higher quality in the low temperature process has been asked to reduce the production cost and to have a good uniformity on a large substrate. In this study, we prepared indium tin oxide(ITO) by a cylindrical DC magnetron sputtering with Indium-tin (9:1) alloy target instead of indium-tin oxide target. To reduce the defact in ITO, the effect on ITO by varing the magnetic field intensity and the applied voltage ares studied. the resistivity of the film deposited in oxygen partial pressure of 5% and substrate temperature of 140$^{\circ}C$. is 1.6${\times}$10$\^$-1/$\Omega$$.$cm with 85% optical transmission in viaible ray.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.477-480
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• 2004

Ga doped zinc oxide films (ZnO:Ga) were deposited on glass substrate by RF magnetron sputtering from a ZnO target mixed with $Ga_O_3$. The effects of RF discharge power on the electrical, optical and structural properties were investigated experimentally. The structural and electrical properties of the film are highly affected by the variation of RF discharge power. The lowest electrical resistivity of $4.9{\times}10^{-4}\;\Omega-cm$ were obtained with the film deposited from 3 wt% of $Ga_2O_3$ doped target and at 200 W in RF discharge power. The transmittance of the 900 nm thin film was 91.7% in the visible waves. The effect of annealing on the as-deposited film was also studied to improve the electrical resistivity of the ZnO:Ga film.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.539-542
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• 2004

The $ZnGa_2O_4$ phosphor target is synthesized through solid-state reactions at the calcine temperature of $700^{\circ}C$ and sintering temperature of $1300^{\circ}C$ in order to deposit $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film by rf magnetron sputtering system. The $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film is deposited on Si(100) substrate and prepared $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film is annealed by rapid thermal processor(RTP) at $700^{\circ}C$, 15sec. The x-ray diffraction patterns of $ZnGa_2O_4$ phosphor target and thin film show the position of (311) main peak. The cathodoluminescenre(CL) spectrums of $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film show main peak of 420nm and maximum intensity at the substrate temperature of $500^{\circ}C$ and annealing temperature of $700^{\circ}C$ 15sec.