• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.35 no.9
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• pp.945-952
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• 1998

Ferroelectric Sr0.8Bi2.4Ta2O9 stock solutions were prepared by MOD(Metaloganic Decompostion) process. The phase transformation for the layered perovskite of the SBT thin films by changing RTA(Rapid her-mal Annealing) temperatuer from 700$^{\circ}C$to 780$^{\circ}C$ were observed using XRD and SEM. Layered perovskite phase began to appear above 740$^{\circ}C$ and then SBT thin films were annealed at 800$^{\circ}C$ for 1hr for its com-plete crystallization. The specimens showed well shaped hysteresis curves without post annealing that car-ried out after deposition of Pt top electrode. The SBT thin films showed the asymmetric ferroelectric pro-perties. It was confirmed that the properties were caused by interface effect to SBT and electrode by leak-age current density measurement and asymmetric properties reduced by post annealing. At post annealing temperature of 800$^{\circ}C$ remanant polarization values (2Pr) were 6.7 9 ${\mu}$C/cm2 and those of leakage current densities were 3.73${\times}$10-7 1.32${\times}$10-6 A/cm2 at 3, 5V respectively. Also bismuth bonding types of SBT thin film surface were observed by XPS.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1999.11a
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• pp.195-198
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• 1999

A Bi$_4$Ti$_3$O$_{12}$ (BIT) thin film is prepared by sol-gel method using acetate precursors and evaluated whether it could be applied to NVFRAM. The drying and the annealing temperature are 40$0^{\circ}C$ and $650^{\circ}C$, respectively and they are determined from the DT-TG analysis. The BIT thin film deposited on Pt/Ta/SiO$_2$/Si substrate shows orthorhombic perovskite phase. The grain size and the surface roughness are about 100 nm and 70.2$\AA$, respectively. The dielectric constant and the loss tangent at 10 KHz are 176 and 0.038, respectively, and the leakage current density at 100㎸/cm is 4.71$mutextrm{A}$/$\textrm{cm}^2$. In the results of hysteresis loops measured at $\pm$250㎸/cm, the remanent polarization (Pr) and the coercive field (Ec) are 5.92$mutextrm{A}$/$\textrm{cm}^2$ and 86.3㎸/cm, respectively. After applying 10$^{9}$ square pulses of $\pm$5V, the remanent polarization of the BIT thin film decreases as much as about 33% from 5.92 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ of initial state to 3.95 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.4
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• pp.7-14
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• 2000

A Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ (BIT) thin film is prepared by sol-gel method using acetate precursors and evaluated whether it could be applied to NVFRAM (Non-Volatile Ferroelectric RAM). The drying and the annealing temperature are 40$0^{\circ}C$ and $650^{\circ}C$, respectively and they are determined from the DT-TG (Differential Thermal-Thermal Gravimetric) analysis. The BIT thin film deposited on Pt/Ta/SiO$_{2}$/Si substrate shows orthorhombic perovskite phase. The grain size and the surface roughness are about 100 nm and 70.2$\AA$, respectively. The dielectric constant and the loss tangent at 10 KHz are 176 and 0.038, respectively, and the leakage current density at 100 ㎸/cm is 4.71 $mutextrm{A}$/$\textrm{cm}^2$. In the results of hysteresis loops measured at $\pm$250 ㎸/cm, the remanent polarization (Pt) and the coercive field (Ec) are 5.92 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and 86.3 ㎸/cm, respectively. After applying 10$^{9}$ square pulses of $\pm$5V, the remanent polarization of the BIT thin film decreases as much as about 33% from 5.92 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ of initial state to 3.95 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07d
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• pp.1553-1555
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• 1999

Recently, $SrBi_2Ta_2O_9$(SBT) and $Pb(ZrTi)O_3$(PZT) were much attracted as materials of capacitor for ferroelectric random access memory(FRAM) showing higher read/write speed, lower power consumption and nonvolartility. Bi-layered SBT thin film has appeared as the most prominent fatigue free and low operation voltage for use in nonvolatile memory. To highly integrate FRAM, SBT thin film should be etched. A lot of papers on SBT thin film and its characteristics have been studied. However, there are few reports about SBT thin film due to difficulty of etching. In order to investigate properties of etching of SBT thin film, SBT thin film was etched in $CF_4$/Ar gas plasma using magnetically enhanced inductively coupled plasma (MEICP) system. When $CF_4/(CF_4+Ar)$ is 0.1, etch rate of SBT thin film was $3300{\AA}/min$, and etch rate of Pt was $2495{\AA}/min$. Selectivities of SBT to Pt. $SiO_2$ and photoresist(PR) were 1.35, 0.6 and 0.89, respectively. With increasing $CF_4$ gas, etch rate of SBT thin film and $P_t$ decreased.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.05c
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• pp.111-115
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• 2003

200nm 정도의 두께를 가진 SBT 박막이 liquid delivery MOCVD 공정에 의해 (111) oriented Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 증착되었다 이 실험에서는 $Sr(TMHD)_2$tetraglyme, $Bi(ph)_3$ 그리고 $Ta(O^iPr)_4$(TMHD)를 출발 물질로 사용하였다. Sr 출발 물질의 열적 안정화를 위해서 adduct로 tetraglyme를 사용하여 실험하였고 유기 용매로는 n-butyl acetate를 사용하였다 Substrate temperature와 reactor pressure는 각각 $570^{\circ}C$와 5Torr로 유지시켰다. 또한 vaporizer의 용도는 $190-200^{\circ}C$, 그리고 delivery line 의 온도는 vaporizer 보다 높게 유지 $(220-230^{\circ}C)$하여 출발 용액을 분당 0.1ml로 50분간 주입하였다. 수송가스로 Ar, 산화제로 $O_2$ 가스를 사용하였다. 제조한 SBT 박막은 $750^{\circ}C$에서 열처리한 후 인가전압 3V와 5V에서 $2P_r$값이 각각 6.47, $8.98{\mu}C/cm^2$이었으며, $2E_c$값은 인가전압 3V와 5V에서 각각 2.05, 2.31V이었다 그리고 $800^{\circ}C$에서는$750^{\circ}C$에서 열처리한 SBT 박막보다 다소 우수한 이력특성을 나타내어 $2P_r$ 값은 인가전압 3V와 5V에서 각각 7.59, $10.18{\mu}C/cm^2$ 이었으며, $2E_c$값은 인가 전압 3V와 5V에서 각각 2.00, 2.21V 이었다.

• MALSORI
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• no.31_32
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• pp.173-193
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• 1996

불어의 "묵음 e(e muet)"에 대한 정의를 내리기는 매우 까다롭다. 불어에서 "e"가 "묵음 e(e muet)"로 불리우는 이유는 "e"가 흔히 탈락되기 때문이다. 현재 "e muet"는 다음 발화체에서 볼 수 있듯이 열린음절에서만 나타난다. "Je/le/re/de/man/de/ce/re/por/ta/ge/." [omitted](나는 그 리포트를 다시 요구한다. : 이 경우 실제 발화시 schwa 삭제 규칙이 적용된다.) 둘째, 접두사에 나타나는 "e muet"는 s의 중자음 앞에서 s가 유성음, [z]로 발음되는 것을 막기 위해 쓰인다. "ressembler[omitted](닮다); ressentir[omitted](느끼다)" 같은 경우, 셋째, 몇몇 낱말의 경우 고어의 철자가 약화되어 "e muet"로 발음이 되고 있다. "monsieur[$m{\partial}sj{\emptyset}$](미스터), faisan[$f{\partial}z{\tilde{a}}$](꿩), faisait[$f{\partial}z{\varepsilon}$]("하다"동사의 3인칭 단수 반과거형)"등. 또 과거 문법학자들은 이를 "여성형의 E"로 불렀는데, 이는 형태론적으로 낱말의 여성형을 남성형과 구분짓기 위해 사용되고 있기 때문이기도 하다. 예를 들어, "$aim{\acute{e}}-aim{\acute{e}}e$"(발음은 둘 다 [${\varepsilon}me$]로 동일하다 : 사랑받다)의 경우. 현대불어의 구어체어서 "e muet"는 어말자음을 발음하기 위해 쓰이고 있다. 예를 들어, "pote[pot](단짝)-pot[po](항아리)". 이러한 "e muet"는 발음상으로 지역적, 개인적 및 문맥적 상황에 따라 그 음색 자체가 매우 불안정하며 여러 가지 음가(열린 ${\ae}$ 또는 닫힌 ${\O}$)로 나타난다. 예를 들어 "seul[$s{\ae}l$](홀로), ceux[$s{\O}$](이것들)"에서와 같이 발음되며, 또한 원칙적으로 schwa, [${\partial}$]로 발음이 되는 "Je[$\Im\partial$]"와 "le[$l{\partial}$]"의 경우, Paris 지역에서는 "Je sais[${\Im}{\ae}{\;}s{\Im}$](나는 안다); Prends-le[$pr{\tilde{a}}{\;}l{\ae}$](그것을 집어라)"로 발음을 하는 한편, 프랑스 북부 지방세서는 동일한 발화체를 [${\ae}$]대신에 [${\o}$]로 발음한다. 실제로 언어학적 측면에서 고려되는 "e muet"는 schwa로 나타나는 "Je[$\Im\partial$]"와 "le[$l{\partial}$]"의 경우인데, 불어 음운론에서는 schwa에 의해 대립되는 낱말짝이 없기 때문에 schwa를 음소로 인정할 것인가에 대해 논란이 있다. 그러나 불어에서 schwark 음운론적 역할을 한다는 사실은 다음과 같은 예에서 찾아 볼 수 있다. 첫째, 발음상으로 동사의 변화형에서 "porte[$p{\jmath}rte$](들다: 현재형), porte[$p{\jmath}rte$](과거분사형), porta[$p{\jmath}rte$](단순과거형)"등이 대립되며, 이휘 "Porto[$p{\jmath}rte$](포르토)"와도 대립된다. 둘째, 어휘적 대립 "le haut[$l{\partial}o$](위)/l'eau[lo](물)"와 형태론적 대립 "le[$l{\partial}$](정관사, 남성단수)/les[le](정관사, 복수)"등에서 "묵음 e"는 분명히 음운론적 역할을 하고 있다. 본 논문에서는 이와 같이 음색이 복잡하게 나타나는 "e muet"의 문제를 리듬단위, 문맥적 분포 및 음절모형 측면, 즉 음성학 및 음운론적 측면에서 다양하게 분석하여 그 본질을 규명해 보고 "e muet"탈락현상을 TCG(Theorie de Charme et de Gouvernement) 측면에서 새롭게 해석해 보았다.