• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제7권2호
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• pp.1-6
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• 2000

X-선 노광용 마스크의 재료로서 SiC와 Ta박막을 각각 ECR플라즈마 CVD, 스퍼터링 장비를 이용하여 증착한 뒤 잔류응력, 미세구조, 표면상태, 그리고 화학적 결합상태 등을 조사하였고, ECR etching system을 이용하여 Ta박막 미세 식각 특성을 연구하였다. SiC박막은 $N_2$분위기에서 RTA를 통하여 X-선 투과막 물질로서 필요한 적절한 인장응력을 변화 시킬 수 있었고, 공정 압력을 조절하여 증착한 Ta박막은 높은 밀도와 우수한 표면 평활도를 가지고 시간과 온도에 따른 응력의 안정성이 좋은 X-선 흡수체를 증착할 수 있었다. 또한 Cl 플라즈마는 흡수체 물질 Ta에 대해 좋은 식각특성을 보였고, two-step 식각을 통해 microloading effect를 억제함으로써 0.2 $\mu\textrm{m}$이하의 미세패턴을 식각해 낼 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제6권10호
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• pp.1017-1024
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• 1996

본 연구에서는 여러 기판에 대한 Cu의 확산정도를 알기 위하여 Ta, Nb, Co/Ta이중층 및 Co/Nb 이중층 위에 기화법으로 증착하고 열처리를 실시하였다. 열처리한 Ta막은 열처리하지 않은 Ta막보다 Cu 확산방지막으로서의 성능이 더 떨어지는데, 이것은 열처리에 의하여 Ta막이 결정화되기 때문이다. Cu/Co/Ta/(001)Si 구조에서의 구리 실리사이드 생성온도는 Cu/Co/Ta(001)Si 구조에서의 그것보다 더 높다. 한편, nb의 Cu에 대한 barrier 특성은 Ta와 비슷한 수준이다. 또한 Cu막 도포 이전에 Pd+HF활성화 전처리나 N2플라즈마 전처리를 실시하면, Cu의 핵생성뿐만 아니라 기판에 대한 Cu막의 접착성도 향상된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.1022-1025
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• 2001

This paper presents the characteristics of TaN thin-film as high-temperature strain gauges, which were deposited on Si substrate by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitrogen atmosphere(Ar-(4∼20%)N$_2$). The electrical and mechanical characteristics of these films investigated with the thickness range 1650∼1870${\AA}$ and room temperature resistivities in the range 178.3 ${\mu}$$\Omega$cm to 3175.7 ${\mu}$$\Omega$cm. The TaN thin-film strain gauge deposited in Ar-(20%)N$_2$atmosphere is obtained a temperature coefficient of resistance(TCR), 0∼-1357 ppm/$^{\circ}C$ in the temperature range 25∼275$^{\circ}C$ and a high temporal stability with a longitudinal gauge factor, 2.92∼3.47. Because of their high resistivity, low TCR and linear gauge factor, these cermet thin-film may allow high-temperature strain gauges miniaturization.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1596-1598
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• 2002

This paper presents the characteristics of Ta-N thin-film strain gauges as high-temperature strain gauges, which were deposited on Si substrate by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitrogen atmosphere(Ar-($4{\sim}16%$)$N_2$). These films were annealed for 1 hour in $2{\times}10^{-6}$ Torr vacuum furnace range $500{\sim}1000^{\circ}C$. The optimized conditions of Ta-N thin-film strain gauges were annealing condition($900^{\circ}C$, 1 hr.) in 8% $N_2$ gas flow ratio deposition atmosphere. Under optimum conditions, the Ta-N thin-films for strain gauges is obtained a high resistivity, ${\rho}$=768.93 ${\mu}{\Omega}cm$, a low temperature coefficient of resistance, TCR = -84 ppm/$^{\circ}C$ and a high temporal stability with a good longitudinal gauge factor, GF = 4.12.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제19권1호
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• pp.110-114
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• 1998

The hydrogen-bonding interactions between thioacetamide (TA) and urea derivatives such as tetramethylurea (TMU) and dimethyldiphenylurea (DMDPU) have been studied using near-infrared absorption spectroscopy. Thermodynamic parameters for the interactions between TA and urea derivatives were determined by analyzing the $v^{as}_{N-H}$+Amide Ⅱ combination band of TA at 1970 nm. The ΔH° values, indicating the intrinsic strength of hydrogen bonding, are - 23.0 kJ/mole and - 19.8 kJ/mol for TMU and DMDPU, respectively. This is well explained by the inductive effects of substituents. Ab initio molecular orbital calculations for the proton affinity of TMU, N,N-dimethylformamide (DMF), and N,N-dimethylacetamide (DMA) in gas phase have been carried out at HF/3-21G ad HF/6-31G(d) levels, showing that the proton affinity of TMU is larger than that of DMA, which agrees well the experimental results.

• 한국표면공학회지
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• 제29권6호
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• pp.628-633
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• 1996

Large saturation magnetization $4pM_s$ is essentially required for soft magnetic thin layers used in magnetic recording devices. Amorphous Co-based alloys and Fe-Co alloys may be regarded as one of the candidates for soft magnetic materials which possess large $4\piM_s$. Some preparation process to improve soft magnetism of these films were performed in this study. Addition of Ta seemed to be effective to change the magnetostriction constant $\lambda$ from positive value to negative one. The magnetoelastic energy $K_e$ is strongly dependent on $\lambda$. $(Co_{95.7}Zr_{4.3})_{100-x}Ta_x$ films with $K_e$ of negative value have sufficiently soft magnetic characteristics. $Fe_{90}Co_{10}$ alloy exhibits extremely large $4\piM_s$, of about 24 kG. Addition of N and Ta to $Fe_{90}Co_{10}$ films improved the soft magnetism of them. The $Fe_{82.0}Co_{7.6}Ta_{10.4}$:N/Ti multilayered films exhibit better soft magnetic properties and better thermal stability than Fe-Co-Ta:N singlelayer films.

• 생명과학회지
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• 제11권5호
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• pp.439-446
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• 2001

동치미에서 분리한 Leu. mesenteroides subsp. cremoris DLAB19 균주의 MNNG와 4-NQO에 대한 항돌연변이원성물질 생산을 위한 최적 조건을 조사한 결과, 탄소원으로 glucos들 첨가시 가장 높은 항돌연변이 효과를 나타내었으며, 질소원으로서 yeast extract와 bactopeptone 첨가시 항돌연변이 효과가 우수하였다. 탄소원으로 glucose의 농도를 2% 첨가시 MNNG와 4-NQO에 대한 항돌연변이 효과가 가장 우수하였으며, 질소원으로서 yeast extract와 bac-topetone의 농도를 1% 첨가시 가장 우수한 항돌연변이효과를 나타내었다. 항돌연변이원성 물질 생산을 위한 최적 배양 조건은 pH, 배양 온도, 배양 속도가 각각 7.0, 3$0^{\circ}C$ 및 150 rpm이었다. 상기의 최적 조건에서 36시간 배양시 가장 높은 항돌연변이 효과를 나타내었는데 S. enterica serovar typhimurium TA100과 TA98을 이용한 겨우 항돌연변이 효과가 각각 96.4%와 53.8%이었다.

• 한국식품과학회지
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• 제32권2호
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• pp.417-423
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• 2000

김치에서 분리한 Lactobacillus plantarum KLAB21 균주에 있어서 MNNG와 NQO에 대한 항돌연변이원성 물질 생산을 위한 최적 조건을 조사하였다. 탄소원으로 glucose를 첨가시 가장 높은 항돌연변이 효과를 나타내었으며, 질소원으로서는 yeast extract와 bactopeptone첨가시 항돌연변이 효과가 우수하였다. 탄소원으로 glucose의 농도를 2% 첨가시 MNNG와 NQO에 대한 항돌연변이 효과가 가장 우수하였으며, 질소원으로서 yeast extract는 1%와 bactopeptone의 농도는 MNNG인 경우 1%, NQO인 경우 1.5%에서 가장 우수한 항돌연변이 효과를 나타내었다. 항돌연변이원성 물질 생산을 위한 최적 배양 조건은 초기 pH, 배양 온도, 배양 속도가 각각 7.0, $37^{\circ}C$ 및 150 rpm이었다. 상기의 최적 조건에서 36시간 배양시 가장 높은 항돌연변이 효과를 나타내었는데 S. typhimurium TA100과 TA98을 이용한 경우 항돌연변이 효과가 각각 98.4%와 57.3%이었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권4호
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• pp.87-91
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• 2004

[ $Sr_{0.8}Bi_{2.4}Ta_2O_9(SBT)/Pt$ ] 구조에서 $350^{\circ}C$ 온도로 수소열처리에 의한 강유전특성 열화를 방지하기 위한 W-N/Pt 하부전극의 효과를 살펴보았다. 그 결과 Pt와 SBT 박막사이에 증착된 W-N박막에 의해 수소의 확산을 차단할 수 있었다. Pt 표면에서 수소원자가 화학적인 흡착이 일어나지 않음으로써 흡착된 수소가 SBT 박막내의 산소와 결합하게 됨으로써 oxygen deficiency가 발생하는 것을 막을 수 있었다. W-N 박막이 양호한 확산방지막으로 작용하여 강유전특성의 열화현상을 방지 할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.54-57
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• 2003

[ $HfO_xN_y$ ] films using a hafnium tertiary-butoxide $(Hf[OC(CH_3)_3]_4)$ in plasma and $N_2$ ambient were prepared to improve the thermal stability of hafnium-based gate dielectrics. A 10% nitrogen incorporation into $HfO_2$ films showed a smooth surface morphology and a crystallization temperature as high as $200^{\circ}C$ compared with pure $HfO_2$ films. The $TaN/HfO_xN_y/Si$ capacitors showed a stable capacitance-voltage characteristics even at post-metal annealing temperature of $1000^{\circ}C$ in $N_2$ ambient and a constant value of 1.6 nm EOT (equivalent oxide thickness) irrespective of an increase of PDA and PMA temperature. Leakage current densities of $HfO_xN_y$ capacitors annealed at PDA temperature of 800 and $900^{\circ}C$, respectively were approximately one order of magnitude lower than that of $HfO_2$ capacitors.