• 한국진공학회지
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• 제3권2호
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• pp.190-197
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• 1994

본 연구에서는 DC magnetron 스퍼터링법을 이용하여 고정밀, 고저항 저항체 박막으로 TaNx film을 제조하였을 때 형성될 수 있는 화합물 중 TaN0.1, TaN0.8과 TaN 박막의 Rs와 TCR특성을 평가하 고 film층의 우선방향성을 XRD를 이용하여 판명한 뒤 저항체의 Rs와 TCR에 미치는 영향을 조사하였 다. TaN0.1 박막이 35$\Omega$/$\square$의 면저항값과 안정된 TCR값을 나타내는 것을 알수 있었다. 두께50~200nm 의 TaN0.1과 Alumina 기판 사이에 정(+)의 TCR을 갖는 약 50nm의 Cr층을 증착하였을 때 Rs는 180$\Omega$/ $\square$ 과 TCR는 20ppm/$^{\circ}C$인 적층박막을 제조할 수 있었다. TaN0.1, TaN0.8 과 TaN 시편에서 화합물 형성 에 따른 Ta의 결합에너지를 ESCA를 이용하여 조사하였다. 이상의 연구결과로부터 TaN0.1 film이 TaNfilm 보다 고정밀, 고저항 박막 저항체 제조에 있어 우수한 전기저항 특성을 가지며 Cr 중간층 형성 으로 TCR이 $\pm$ppm/$^{\circ}C$정도로 안정된 고정밀 다층 저항체 박막을 형성할 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제10권6호
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• pp.310-317
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• 2000

먼지 입자에 의한 thermal asperity(TA)써 발생은 드라이브의 신뢰성에 큰 영향을 미친다. 본 논문에서는 드라이브의 입자 분사 시험 등을 통하여 헤드 및 디스크의 TA민감도를 분석하고 TA발생의 중요 인자들을 고찰하였다. 헤드의 TA 민감도는 MR 및 GMR 센서의 재질 및 특성에 많은 영향을 받으며 특히 바이어스 전류가 증가함에 띠라 TA 민감도는 증가한다. 한편 슬라이더의 ABS 형태를 적절히 설계 함으로서 TA를 어느 정도 감소시킬 수 있다. 디스크의 경우 디스크 카본 overcoat층의 scratch저항력을 증가시킴으로써 TA의 발생을 감소시킬 수 있다. 그러나 먼지 입자가 디스크 표면에 부착되는 정도를 결정하는 표면에너지는 TA 발생에 거의 영향을 미치지 않는다. 이는 TA 발생을 초래하는 먼지 입자의 크기가 1-2 $\mu\textrm{m}$로서 디스크 표면의 윤활막에 의한 모세관력이 너무 커서 입자들이 디스크표면으로부터 이탈할 수 없기 때문이다

• 한국식품위생안전성학회지
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• 제15권4호
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• pp.297-303
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• 2000

우리나라 전통 장류인 간장, 된장, 고추장, 청국장의 위생화를 위한 방사선 조사기술의 이용 가능성을 검토할 목적으로 방사선 조사를 실시한 후 유전독성학적 안전성 실험의 일환으로 Ames test를 실시하였다. 감마선 조사 및 비조사된 간장, 된장, 고추장, 청국장 물추출 분획의 Salmonella typhimurium TA98, TA100, TA1535 및 TA1537에 대한 복귀변이 집락수를 조사한 결과, 대사활성계 도입 및 부재시 모두, 모든 시험균주에서 시험적용 농도인 10,000 $\mu\textrm{g}$/plate까지의 농도에서 복귀변이 집락수의 농도 의존적인 증가 혹은 감소를 보이지 않아 20 kGy의 고선량 감마선 조사된 간장, 된장, 고추장, 청국장은 돌연변이원성이 없는 것을 확인할 수 있었다.

• 한국항행학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.211-216
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• 2003

본 논문에서는 오래 전부터 NMOS의 게이트 전극으로 사용된 폴리실리콘을 대체할 수 있는 Ta-Ti 합금의 특성에 대해 연구하였다. 실리콘 기판 위에 열적으로 성장된 $SiO_2$ 위에 Ta과 Ti의 두 타깃을 사용하여 co-sputterring 방법으로 Ta-Ti 합금을 증착하였다. 각각의 타깃은 100W의 sputtering power로 증착하여 시편을 제작하였다. 또한 비교 분석을 위하여 Ta을 100W의 sputtering power로 증착한 시편도 제작하였다. 제작된 Ta-Ti 합금 게이트의 열적/화학적 안정성을 검토하기 위하여 $600^{\circ}C$에서 급속열처리를 수행한 결과 소자의 성능 저하는 나타나지 않았다. 또한 전기적 특성 분석 결과 Ta-Ti 합금은 NMOS에 적합한 일함수인 4.13eV를 산출해 낼 수 있었고, 면저항 역시 폴리실리콘에 비해 낮은 값을 얻을 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제15권4호
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• pp.226-230
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• 2005

본 연구에서는 스핀밸브 구조에서 하지층으로 많이 사용되고 있는 Ta 층에 질소를 첨가하여 질소량에 따른 자기적 특성과 열처리 결과를 비교 검토하였다. 또한 하지층에 질소를 첨가하여 확산 방지막으로서 역할과 기판과 하지층과의 접착력을 측정하여 비교하였다. 사용된 스핀밸브는 Si($SiO_2$)/Ta(TaN)/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/FeMn/Ta 구조이다. Ta 박막에 비해 TaN 박막의 질소량이 증가할수록 증착률은 감소하였고, 비저항과 표면 거칠기는 증가하였다. 고온에서 열처리 후 측정한 XRD 결과를 보면 Si/Ta 박막에서는 규소화합물이 생성된 반면 Si/TaN 박막에서는 규소화합물을 발견할 수 없었다. 자기저항비(MR)와 교환결합자장($H_{ex}$)은 질소량이 4.0 sccm 이상에서는 감소하였다. 열처리 결과 자기저항비는 하지층이 Ta인 시편과 질소량이 4.0 sccm까지 혼합된 TaN 시편은 $200^{\circ}C$까지는 약 $0.5\%$ 정도 증가하다가 감소하였다. 기판과 하지층과의 접착력을 측정한 결과 Ta 박막보다 질소량이 8.0 sccm인 TaN 박막인 경우 약 2배 강한 접착력을 보였다. 본 연구 결과에 의하면 하지층 증착 시 아르곤 가스에 3.0 sccm 정도의 질소 가스를 혼합하여 사용하면 자기적 특성에 크게 영향을 주지 않으면서 확산 방지막, 접착력 향상등의 이점을 얻을 수 있으리라 사료된다.

• Toxicological Research
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• 제19권2호
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• pp.141-146
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• 2003

A nonspecific immunostimulator $BARODON^{\circledR}$ was tested for mutagenicity using Ames Salmonella tester strains TA98, TA1 00, TA 102, TA 1535 and TA 1537 with or without metabolic activation (59 mix). None of the fresh species showed mutagenicity. In the reverse mutation test using Salmonella phimurium TA98, TA100, TA102, TA1535 and TA1537 did not increase the number of revertants at all doses tested (5, 2.5 or 1.25 mg/ml). Chromosome aberration test was carried out in Chinese hamster lung (CHL) cell line. The cells were treated with $BARODON^{\circledR}$ (1, 0.5 or 0.25 mg/ml), while positive control group was treated with Mitomycin C (0.1 mg/ml). The results show that there is no statistically significant difference between positive control and treatment groups. In mouse micronucleus test, there was significant increase in the ratio of micronucleated polychromatic erythrocyte (MNPCE) in the high dose group (10% $BARODON^{\circledR}$), while there is no significance between control and low (2.5% $BARODON^{\circledR}$) or middle (5% $BARODON^{\circledR}$ dose groups. Taken together, this results suggest that below 5% $BARODON^{\circledR}$ might not have mutagenic potential in vitro and vivo systems.

• 한국재료학회지
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• 제1권4호
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• pp.229-235
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• 1991

$Ta_2O_5$ 박막은 실리콘산화막, 실리콘질화막 박막에 비해 유전율은 높으나 누설전류밀도가 높고, 절연파괴강도가 낮아 DRAM의 커패시터용 재료로서 실용화가 되지 못하고 있다. 본 연구에서는 LPCVD법으로 형성시킨 $300{\AA}$ 두께의 $Ta_2O_5$ 유전체박막에 대해 후속열처리 또는 전극재료를 변화시켜 열악한 전기적 특성의 원인을 규명하고자 하였다. 그 결과 다결정 실리콘 전극의 경우 성막상태의 $Ta_2O_5$ 박막은 전극에 의한 환원반응에 의해 전기적 특성이 열화됨을 알 수 있었고, 이를 TiN 전극의 사용으로 억제시킬 수 있었다. 다결정 실리콘 전극의 경우 성막상태의 $Ta_2O_5$ 유전체는 누설정류밀도가 $10^{-1}A/cm^2$, 절연파괴강도가 1.5MV/cm 정도였으며, $800^{\circ}C$에서 $O_2$열처리를 하면 전기적 특성은 개선되나, 유전율이 낮아진다 TiN 전극을 채용할 경우 누설전류밀도 $10^{-6}~10^{-7}A/cm^2$, 절연파괴강도 7~12MV/cm 로 ONO(Oxide-Nitride-Oxide) 박막과 비슷한 $Ta_2O_5$ 고유전막을 얻을 수 있었다.

• 자원리싸이클링
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• 제12권4호
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• pp.51-57
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• 2003

케퍼시터용 Ta 분말제조공정에서 발생하는 waste 분말을 이용하여 TaC 분말을 자전고온합성법에 의하여 합성하였다. waste TA는 합성반응의 활성 및 산화방지를 위하여 전처리공정에서 미분쇄 및 탈산처리가 필요하였다. 합성반응에서는 TaC 단일상은 6∼7wt.％C의 조성범위에서 얻을 수 있었다. 또한 반응온도는 시료의 압축력에 영향을 받으며, 압축력 1600psi에서 최고반응온도를 나타냈다.

• 한국자기학회지
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• 제3권1호
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• pp.41-47
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• 1993

Co-Cr계 수직자기기록매체에서 비교적 낮은 기판온도에서 높은 보자력을 얻기위하여 제 3원소로서 Ta의 첨가효과에 대하여 연구하였다. Cr함량이 17-21 at.%로 다른 Co-Cr 계에 Ta함량을 3.2 at.%까지 첨가시켜서 여러조성의 Co-Cr-Ta 박막을 제조하고, 자기적 성질 및 미세구조를 조사하였다. Ta첨가로 인한 수직보자력의 향상효과는 Cr함량이 낮은 박막의 경우에 컸으며, 특히 기판온도가 $100^{\circ}C$인 경우 그 향상효과가 더욱 뚜렷하였다. Ta의 첨가로 인한 수직보자력 향상은 결정립 미세화나, c-축 배향성향상에 의한 것이기 보다는 비강자성원소의 편석이 심화됨에 기인하는 것으로 판단된다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제7권2호
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• pp.1-6
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• 2000

X-선 노광용 마스크의 재료로서 SiC와 Ta박막을 각각 ECR플라즈마 CVD, 스퍼터링 장비를 이용하여 증착한 뒤 잔류응력, 미세구조, 표면상태, 그리고 화학적 결합상태 등을 조사하였고, ECR etching system을 이용하여 Ta박막 미세 식각 특성을 연구하였다. SiC박막은 $N_2$분위기에서 RTA를 통하여 X-선 투과막 물질로서 필요한 적절한 인장응력을 변화 시킬 수 있었고, 공정 압력을 조절하여 증착한 Ta박막은 높은 밀도와 우수한 표면 평활도를 가지고 시간과 온도에 따른 응력의 안정성이 좋은 X-선 흡수체를 증착할 수 있었다. 또한 Cl 플라즈마는 흡수체 물질 Ta에 대해 좋은 식각특성을 보였고, two-step 식각을 통해 microloading effect를 억제함으로써 0.2 $\mu\textrm{m}$이하의 미세패턴을 식각해 낼 수 있었다.