• Journal of Chest Surgery
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• 제31권5호
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• pp.466-471
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• 1998

연구목적: 소아연령군에서의 최소침투적심장수술의 적용가능성 여부와 안전성 및 효율성 등을 검증해 보기 위해 본연구를 시행하였다. 대상환아) 1997년 7월부터 1997년 11월까지 본 서울대학교병원 어린이병원 흉부외과에서 최소침투적심장수술을 받은 46례의 환아를 대상으로 하였으며 환아의 평균 연령 및 체중은 각각 34.6$\pm$41.8 (범위:1~148) 개월, 14.5$\pm$9.9 (범위:3.0~40.0) kg였다. 28명의 환아가 남아였으며 술전 진단은 15례의 심방중격결손증, 25례의 심실중격결손증 (이중 16례는 막주변형이었고 1례는 대동맥판하 막성협착을 동반함), 1례의 대동맥내 이물, 3례의 부분방실중격결손증, 1례의 전폐정맥연결이상 (심장형), 1례의 활로씨사징증이었다. 수술방법 : 상흉골함요(陷凹)로부터 가능한 하부로 멀리 떨어져 정중피부절개를 가한후, 하부흉골을 노출시켰다. 검상돌기부터 정중흉골절개를 시작하여 제 2늑간 수준까지 연장한 후, 흉골의 한쪽 또는 양쪽에 횡절개를 가하여 T형, J형, I형 또는 역 C형 흉골절개가 되게하여 우측 또는 양측 들창모양의 흉골개구부를 확보하였다. 삽관을 대동맥과 상,하공정맥에 일반적인 방법으로 시행하고, 질환별 수술방법 역시 통상적인 방법에 의해서 시행되었다. 결과 : 평균 피부절개의 길이는 6.1$\pm$1.0 (범위:4.0~9.0) cm였고 상흉골함요와 피부절개상단사이의 거리는 평균 4.0$\pm$1.1 (범위:2.0-7.0) cm였다. 평균심폐우회시간, 대동맥차단시간, 및 총수술시간은 각각 62.9$\pm$20.0 (범위:28~147), 29.8$\pm$12.8(범위:11~79), 161.1$\pm$34.5(범위:100~250) 분이었다. 수술후 수혈총량은 평균 71.0$\pm$68.1 (범위: 0~267) cc였으며 환아는 평균 11.3$\pm$13.8 (범위:1-73) 시간후에 인공호흡기이탈이 가능하였다. 진통제로는 평균 0.8$\pm$1.8 (범위: 0~9) mg 용량의 모르핀이 사용되었으며 환아는 평균 35.0$\pm$32.2 (범위: 10~194) 시간동안 중환자실 관리가 필요했고 평균 재원기간은 6.2$\pm$2.0 (범위: 3~11) 일이었다. 상흔관련 합병증 및 수술사망례는 발생하지 않았다. 결론: 비록 단기간의 관찰이었지만 본연구를 통해 저자등은 소아연령군에서 일부 선천성 심질환에 대하여 최소침투적심장수술의 적용의 가능성 및 유용성을 입증하였으며 특히 미용효과면에서 탁월하다는 사실을 발견하였다.

• 한국농림기상학회지
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• 제7권1호
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• pp.57-65
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• 2005

토양은 리터의 축적, 분해, 뿌리호흡을 포함하는 토양호흡을 통해 많은 양의 탄소를 저장 또는 방출할 수 있다. 이러한 토양의 주요한 탄소 및 양분의 공급원은 낙엽낙지의 유입과 유입된 낙엽낙지의 분해이며 생태계로 돌아가는 영양의 약 60%가 낙엽에서 유래되는 것으로 알려져 있다. 본 연구의 목적은 천연자연림으로 잘 보존된 경기도 광릉시험림의 온대낙엽활엽수림의 리터 생산량과 분해속도가 토양호흡의 계절적 변 이에 미치는 영향을 파악하고 낙엽층과 토양호흡간의 관련성을 찾아 생태계에서의 탄소순환을 이해하기 위한 것이다. 광릉 낙엽활엽수림에서 2003년 생산된 리터의 총량은 1489 Cm/sup -2/ yr/sup -1/ 이었으며 조사지의 우점종인 졸참나무, 서어나무, 까치박달의 순수 낙엽의 총량은 1189 Cm/sup -2/ yr/sup -1/이었다. 낙엽의 분해율은 조사기간인 1년 동안 졸참나무는 24.2%(k = 0.28), 서어나 무는 25.7％(k = 0.30), 까치박달은 33.0%(k = 0.46)이었 다. AOCC를 이용한 연속적인 토양호흡 측정결과 연간 토양호흡량은 629.69 Cm/sup -2/ yr/sup -1/이었으며 이 중 리터 분해가 차지하는 비율은 약 5％인 309 Cm/sup -2/ yr/sup -1/이었다. 토양호흡의 동절기 최저값은 7.4±1.4g Cm/sup -2/ month/sup -1/ 이었으며 이 시기의 리터 분해속도도 0.8g Cm/sup -2/ month/sup -1/로 최저값을 나타내었다. 하절기에는 토양 호흡과 리터 분해속도 모두 증가하여 111.5 ± 16.2g Cm/sup -2/ month/sup -1/와 11.4g Cm/sup -2/ month/sup -1/로 최고값을 보였다. 토양호흡 중 리터 분해속도가 차지하는 비율은 식물 지하부의 생장이 활발해지는 5-6월에는 4.3%로 감소하였으며 리터의 생산량이 증가하는 11- 12월에는 23.5%로 증가하였다. 회귀분석결과 리터 분해속도와 토양호흡과는 r²= 0.63의 상관관계를 가지고 있었다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제37권8호
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• pp.992-997
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• 2008

본 연구는 MC3T3-E1 조골전구세포에 실크피브로인 처리 시 파골세포분화 관련 국소인자 중 파골세포로의 분화를 강력히 유도하는 IL-$1{\beta}$의 발현 및 파골세포로의 분화억제에 관여하는 국소인자인 OPG의 발현변화를 조골세포 조건 배양액에서 살펴보았으며, 이 조골세포 조건배양액을 RAW264.7 파골전구세포에 처리 시 파골세포로의 분화를 억제하는지를 알아보았다. 조골세포 조건배양액에서 OPG의 발현은 농도별($0.001\;mg/mL{\sim}0.1\;mg/mL$) 실크피브로인 처리 시 $86%{\sim}100%$로 양성대조군(+C)과 유의적 차이가 없었다. 그러나 IL-$1{\beta}$의 발현은 0.1 mg/mL 실크피브로인 처리 시 양성대조군(+C)의 1.8% 수준으로 그 발현을 현저히 억제 하였다. 조골세포조건배양액을 처리한 RAW264.7 세포의 파골세포로의 분화정도는 농도 의존적으로 현저히 감소 하였다. 특히, 0.1 mg/mL의 실크피브로인을 처리한 조골세포 조건배양액 처리 시 파골세포로 분화하지 않은 음성대조군(-RANKL) 수준으로 파골세포 분화를 현저히 억제한 것은 OPG의 발현 증가가 아닌 IL-$1{\beta}$의 발현 억제에 의한 것으로 사료되며, 추후 연구를 통해 관련 기전의 연구가 필요할 것으로 생각되어진다.

• 한국해양학회지:바다
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• 제2권2호
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• pp.151-159
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• 1997

1995년 6월, 남해안 통영지역 가두리양식장 해수-퇴적물 경계면에서 입자상유기물의 수직유입량과 용존산소의 소모량, 영양염류의 용출량을 관측하였다. 입자상유기물의 수직유입량은 저층고정식 sediment trap을 이용하였으며, 용존산소의 소모량과 영양염류의 용출량은 benthic chamber method로 측정하였다. 가두리양식이 연안부영양화에 미치는 영향과 가두리에서 유출된 입자상유기물의 확산강도를 정량하기 위해, 가두리 아래(수심 약 18 m, Cage Site)와 가두리에서 수평으로 약 100 m 가량 떨어진 곳(수심 약 32 m, Control Site)의 해수-퇴적물 경계면에서, 암모니아와 인산염, 규산염의 용출량을 비교하고, 탄소와 질소와 인의 mass balances를 추정하였다. 관측결과, 가두리정점(Cage Site)으로는 6400 mg C $m^{-2}d^{-1}$의 입자상유기물이 유입되었고, 동시에 230 mmol $O_2\;m^{-2}d^{-1}$ 이상의 용존산소가 소모되었다. 따라서 탄소의 경우, 가두리 아래 해저면으로 공급되는 유기 입자의 약 40%에 달하는 양이 해수-퇴적물 경계면에서 분해되며 (ca. 2400 mg C $m^{-2}d^{-1}$), 나머지 약 60%는 퇴적되어 매몰되는 것으로 보인다. (ca. 4000 mg C $m^{-2}d^{-1}$) 그러나 대비정점(Control Site)에서는 가두리정점에 비해 상대적으로 적은 양의 유기물유입과(ca. 4000 mg C $m^{-2}d^{-1}$), 낮은 용존산소소모율이 관측되었다(75 mmol $O_2\;m^{-2}d^{-1}$). 관측결과는 가두리에서 투기되는 대부분의 입자상유기물이 가두리 아래 해저면에 집중적으로 퇴적되고 있음을 보여주며, 가두리 부근 해저면으로 확산되는 입자상유기물의 양은 가두리에서 멀어질수록 급속히 감소함을 시사한다.

• 한국산림과학회지
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• 제88권4호
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• pp.490-497
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• 1999

본 연구는 한국에서 생산되는 송이(Tricholoma matsutake)의 향기성분을 구명하고, 주요송이산지간에 향기성분에 차이가 있는가를 구명하기 위하여 실시하였다. 경북의 봉화, 울진, 고령, 청도지역을, 경남의 창녕, 하동, 함양지역을, 강원도의 양양, 인제지역을, 충북의 괴산지역과 전북의 남원지역의 총 11개 송이산지를 대상으로 하였다. 향기성분은 dynamic headspace법을 이용하여 $40^{\circ}C$에서 질소로 purge(분주)한 후 휘발성 성분만을 포집하여 GC-MSD(gas chromatograph-mass spectrometric detector)로 동정하였다. 총 25종의 향기성분을 동정하였는데, 가장 중요한 구성성분은 1-octen-3-ol 이었다. 송이 향기의 주성분으로 알려져 왔던 methyl cinnamate는 어느 버섯에서도 검출되지 않아서 이 향기가 천연적인 휘발성 물질이 아님을 입증하였다. 봉화의 송이는 총 향기성분이 다른 산지보다 2배에서 18배까지 많았으며, 주성분은 3-methyl 1-butanol 이었다. 향기의 총량은 봉화, 청도, 인제, 함양, 울진, 양양 순으로 감소하였다. 향기성분의 총량, 향기의 종류와 수준에 따라서 11개 산지를 다음의 4개 유형으로 분류하였다. 1)봉화형은 향기의 총량이 월등히 많고, 3-methyl 1-butanol이 주성분이며, 다른 성분도 골고루 높다. 2)함양형(청도, 양양, 인제 포함)은 1-octen-3-ol이 전체의 2/3 가량을 차지하며, 두 번째 주성분은 3-methyl butanal 이다. 3)울진형은 1-octen-3-ol이 94% 이상을 차지하며, 다른 성분은 거의 없다. 4)괴산형(고령, 남원, 창녕, 하동 포함)은 향기의 총량이 다른 형보다 적다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.254-255
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• 2012

Interest in nano-crystalline silicon (nc-Si) thin films has been growing because of their favorable processing conditions for certain electronic devices. In particular, there has been an increase in the use of nc-Si thin films in photovoltaics for large solar cell panels and in thin film transistors for large flat panel displays. One of the most important material properties for these device applications is the macroscopic charge-carrier mobility. Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) or nc-Si is a basic material in thin film transistors (TFTs). However, a-Si:H based devices have low carrier mobility and bias instability due to their metastable properties. The large number of trap sites and incomplete hydrogen passivation of a-Si:H film produce limited carrier transport. The basic electrical properties, including the carrier mobility and stability, of nc-Si TFTs might be superior to those of a-Si:H thin film. However, typical nc-Si thin films tend to have mobilities similar to a-Si films, although changes in the processing conditions can enhance the mobility. In polycrystalline silicon (poly-Si) thin films, the performance of the devices is strongly influenced by the boundaries between neighboring crystalline grains. These grain boundaries limit the conductance of macroscopic regions comprised of multiple grains. In much of the work on poly-Si thin films, it was shown that the performance of TFTs was largely determined by the number and location of the grain boundaries within the channel. Hence, efforts were made to reduce the total number of grain boundaries by increasing the average grain size. However, even a small number of grain boundaries can significantly reduce the macroscopic charge carrier mobility. The nano-crystalline or polymorphous-Si development for TFT and solar cells have been employed to compensate for disadvantage inherent to a-Si and micro-crystalline silicon (${\mu}$-Si). Recently, a novel process for deposition of nano-crystralline silicon (nc-Si) thin films at room temperature was developed using neutral beam assisted chemical vapor deposition (NBaCVD) with a neutral particle beam (NPB) source, which controls the energy of incident neutral particles in the range of 1~300 eV in order to enhance the atomic activation and crystalline of thin films at room temperature. In previous our experiments, we verified favorable properties of nc-Si thin films for certain electronic devices. During the formation of the nc-Si thin films by the NBaCVD with various process conditions, NPB energy directly controlled by the reflector bias and effectively increased crystal fraction (~80%) by uniformly distributed nc grains with 3~10 nm size. The more resent work on nc-Si thin film transistors (TFT) was done. We identified the performance of nc-Si TFT active channeal layers. The dependence of the performance of nc-Si TFT on the primary process parameters is explored. Raman, FT-IR and transmission electron microscope (TEM) were used to study the microstructures and the crystalline volume fraction of nc-Si films. The electric properties were investigated on Cr/SiO2/nc-Si metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors.

• 한국진공학회지
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• 제16권3호
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• pp.197-204
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• 2007

p-형 실리콘 기판 위에 수 ${\AA}$ 두께의 어븀 금속을 증착하고, 후열처리 과정을 통하여 어븀-실리사이드/p-형 실리콘 접합을 형성하였다. 초고진공 자외선 광전자 분광 실험을 통하여 증착한 어븀의 두께에 따라 어븀-실리사이드의 일함수가 4.1 eV까지 급하게 감소하는 것을 관찰하였으며, X-ray 회절 실험에 의하여 형성된 어븀 실리사이드가 주로 $Er_5Si_3$상으로 구성되어 있음을 밝혔다. 또한, 어븀-실리사이드/p-형 실리콘 접합에 알루미늄 전극을 부착하여 쇼트키 다이오드를 제작하고, 전류전압 곡선을 측정하여 쇼트키 장벽의 높이를 산출하였다. 산출된 쇼트키 장벽의 높이는 $0.44{\sim}0.78eV$이었으며 어븀 두께 변화에 따른 상관 관계를 찾기 어려웠다. 그리고 이상적인 쇼트키 접합을 가정하고 이미 측정한 일함수로부터 산출한 쇼트키 장벽의 높이는 전류-전압 곡선으로부터 산출한 값에 크게 벗어났으며, 이는 어븀-실리사이드가 주로 $Er_5Si_3$ 상으로 구성되어 있고, $Er_5Si_3/p-$형 실리콘 계면에 존재하는 고밀도의 계면 상태에 기인한 것으로 사료된다.

• 동의생리병리학회지
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• 제27권4호
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• pp.431-436
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• 2013

Bone homeostasis is maintained by co-ordination of bone-resorbing osteoclasts and bone-forming osteoblasts. Imbalance between osteoclasts and osteoblasts leads to many bone diseases such as osteoporosis, rheumatoid arthritis. Taxillus chinensis is a herb that has been widely used to improve bone health. However, the effect and mechanism of Taxillus chinensis extract on osteoclast differentiation and bone resportion has been unknown. Thus, We investigated the effect of Taxillus chinensis on expression of receptor activator of nuclear factor-${\kappa}B$ ligand (RANKL)-induced osteoclast differentiation and bone resorption. Also, the action of Taxillus chinensis on mechanisms relating to osteoclast differentiation was studied. In this results, we identified that Taxillus chinensis significantly inhibited RANKL-induced osteoclast differentiation and bone resportion. Moreover, Taxillus chinensis was suppressed the activation of NF-${\kappa}B$ in bone marrow macrophage treated RANKL and M-CSF. Taxillus chinensis was down-regulated the mRNA expression of c-Fos, nuclear factor of activated T-cells (NFAT)c1, osteoclast-associated receptor (OSCAR), tartrate-resistant acid phosphatase (TRAP). The cell adhesion-related molecules such as integrin ${\alpha}v$ and integrin ${\beta}3$, and the filamentous actin (F-actin) rings of mature osteoclasts-related molecules such as dendritic cell-specific transmembrane preotein (DC-STAMP) and cathepsin K are also suppressed. Taken together, these results indicated that Taxillus chinensis will be a good candidate to treat osteoclast-mediated bone diseases.

• 아시안잔디학회지
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• 제25권1호
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• pp.30-42
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• 2011

골프장에서 나방류 잔디해충과 나방류의 다양성을 알아보기 위하여 경남 진주에 있는 전주컨트리클럽에서 수은 등을 이용하여 2008년 5월 중순부터 10월 하순까지 10일 간격으로 두 개의 홀에서 조사를 하였다. 18회 조사에서 채집된 잔디해충은 검거세미나방과 잔디밤나방, 담배거세미나방, 거세미나방, 멸강나방이었으며 채집 개체수는 모두 23개체로 매우 적었다. 전체 나방류는 22과 388종 2028개체가 채집 되었으며 5월에는 노랑띠 알락가지나방(Culcula panterinaria)이 우점종이었고, 6월은 밤나무재주나방, 7월은 주홍애기비단명나방(Hypsopygia regina), 8월은 노랑띠알락가지나방, 9월과 10월은 검은줄포충나방(Flavocrambus striatellus)과 물결밤나방(Diarsia camescens)이 우점종이었다. 나방류의 종다양도는 두 조사지 간에 차이가 없었으나 조사 기간 내에는 차이를 보였다. 자연림에 둘러 싸여있고, 인근에 연못이 있는 11번 홀이 산정부에 위치하여 있으면서 자연림 이 코스 절개지 아래쪽에 있는 15번 홀에 비하여 종풍부도가 높았다. 나방류의 우점도는 10월부터 증가하였으나 다양도와 풍부도는 감소하였다. 밤나방과가 가장 많은 종수와 개체수(131종, 502개체)가 채집되었으며 그 다음으로 자나방과(85종, 491개체), 명나방과(73종, 386개체), 재주나방과(25종, 277개체) 순이었다. 그리고 이들 4과가 전체 채집 종의 80.9%를 차지하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.372-375
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• 1988

The III-V ternary alloy semiconductor $In_{l-x}Ga_{x}As$ were grown by the temperature Gradient of $0.60{\leq}x{\leq}0.98$. The electrical properties were investigated by the Hall effect measurement with the Van der Pauw method in the temperature range of $90{\sim}300K$. $In_{l-x}Ga_{x}As$ were revealed n-type and the carrier concentration at 300K were in the range of $9.69{\times}10^{16}cm^{-3}{\sim}7.49{\times}10^{17}cm^{-3}$. The resistivity was increased and the carrier mobility was decreased with increasing the composition ratio. The optical energy gap determined by optical transmission were $20{\sim}30meV$ lower than theoretical valves on the basis of absorption in the conduction band tail and it was decreased with increasing the temperature by the Varshni rule. In the photoluminescence of undoped $In_{l-x}Ga_{x}As$ at 20K, the main emission was revealed by the radiative recombination of shallow donor(Si) to acceptor(Zn) and the peak energy was increased with increasing the composition, X. The diffusion depth of Zn increases proportionally with the square root of diffusion time, and the activation energy for the Zn diffusion into $In_{0.10}Ga_{0.90}As$ was 2.174eV and temperatures dependence of diffusion coefficient was D = 87.29 exp(-2.174/$K_{B}T$). The Zn diffusion p-n $In_{x}Ga_{x}As$ diode revealed the good rectfying characteristics and the diode factor $\beta{\approx}2$. The electroluminescence spectrum for the Zn-diffusion p-n $In_{0.10}Ga_{0.90}As$ diode was due to radiative recombation between the selectron trap level(${\sim}140meV$) and Zn acceptor level(${\sim}30meV$). The peak energy and FWHM of electroluminescence spectrum at 77K were 1.262eV and 81.0meV, respectively.