• 제목/요약/키워드: TLM

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Ti Source/Drain 전극 접합 특성이 InGaZnO 기반 박막형 트랜지스터 특성에 미치는 영향 연구

  • 최광혁;김한기
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.310-310
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    • 2013
  • 본 연구에서는 Titanium (Ti) source/drain 전극 접합이 차세대 비정질 InGaZnO (IGZO) 기반 박막형 트랜지스터에 미치는 영향을 화학적, 구조적, 전기적 특성 분석을 통하여 관찰하고 Ti/IGZO 접합 특성을 설명할 수 있는 메커니즘을 제시하였다. IGZO 기반 박막형 트랜지스터 소자의 구동 특성은 transmission line method (TLM) 패턴 공정을 이용하여 정량적으로 분석되었다. 비정질 IGZO 기반의 박막형 트랜지스터에서 Ti source/drain 전극 접합에 의한 구동 특성 변화 및 영향을 확인하기 위하여 금속/산화물 계면 반응성이 낮은 silver (Ag) source/drain 전극이 reference로 비교되었으며, 그 결과 Ti source/drain 전극 접합이 적용된 비정질 IGZO 트랜지스터의 경우 Ti 금속과 IGZO 산화물 계면에 형성되는 열역학적으로 안정한 $TiO_x$ 층의 형성에 의해 VT ($-{\Delta}0.52V$) shift 및 saturation mobility ($8.48cm^2$/Vs) 상승됨을 확인하였다. 뿐만 아니라 TLM 패턴을 이용한 IGZO 트랜지스터의 전기적 변수 도출 및 수치적 해석으로부터 $TiO_x$ 계면층 형성이 Ti 금속과 비정질 InGaZnO 계면에서의 effective contact resistivity를 효과적으로 낮출 수 있음을 확인하였다. Ti source/drain 전극 접합에 의해 발생되는 $TiO_x$ 계면층의 화학적, 구조적 특성과 $TiO_x$ 계면층 생성에 의한 소자 특성 변화를 연관시켜 해석함으로써, IGZO 기반 박막형 트랜지스터에서의 Ti source/drain 전극 접합이 비정질 IGZO 기반 박막형 트랜지스터에 미치는 영향을 설명하였다.

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소어휘 단어단위의 음성인식 칩 설계 (The Design of Speech Recognition Chip for a Small Vocabulary as a Word-level)

  • 안점영;최영식
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제6권2호
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    • pp.330-338
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    • 2002
  • 소어휘 단어단위의 음성을 인식할 수 있는 음성인식 칩을 설계하였다. 설계된 칩은 음성 신호의 시작과 끝점 검출 부분, LPC 켑스트럼 계수 추출 부분, DTW 실행 부분과 외부 메모리 인터페이스 부분으로 구성되어있다. CMOS 0.35um TLM 공정으로 설계된 이 칩은 4x4mm2의 면적에 126,938개의 게이트로 만들어져 있다. 그리고 전용 H/W의 동작 속도는 5MHz에서 60MHz까지 조정 가능하다. 5MHz 클록을 사용하는 경우, 50∼60 프레임 정도의 소어휘 단어 단위의 음성을 초당 100,000개까지 비교할 수 있는 능력이 있고, 60MHz의 클록을 사용하는 경우는 초당 1,200,000개의 단어를 비교할 수 있다.

전달선로행렬법을 이용한 흡음재 모델링에 대한 수치해석 (Numerical Analysis for Modeling of Sound Absorbing Medium using Transmission Line Matrix Modeling)

  • 박규칠;윤종락
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제16권8호
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    • pp.1599-1605
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    • 2012
  • 본 연구에서는 해저의 반사면이나 흡음재와 같이 주파수에 따라 다른 특성을 가지는 매체를 시간영역에서 수치적으로 모델링하고자 시간 해석 기법의 하나인 전달선로행렬법을 이용하였다. 기존의 흡음재의 해석에 응용되던 감쇠를 이용하는 방법의 대안으로 유한임펄스응답 필터를 전달선로행렬법에 도입하였다. 7개의 탭을 가진 FIR 필터로 구현하였으며, 시간 지연, 저역통과필터, 고역통과필터의 시뮬레이션 결과를 이론치와 비교하였다. 여러 시뮬레이션 결과를 통해 흡음재의 주파수에 따른 흡음 특성을 유한임펄스응답 필터를 고려한 하나의 요소만으로 모델링하는 것이 가능하다는 것을 확인할 수 있었다.

PLD를 이용한 (100) $LaAlO_3$ 기판위의 ZnO 에피택셜 박막 성장 (Epitaxial Growth of ZnO Thin Films on (100) $LaAlO_3$ Substrate by Pulsed Laser Deposition)

  • 조대형;김지홍;문병무;조영득;구상모
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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    • pp.256-256
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    • 2008
  • We report epitaxial growth of ZnO thin films on (100) single-crystalline $LaAlO_3$ (LAO) substrates using pulsed laser deposition (PLD) at different substrate temperatures (400~$800^{\circ}C$). The structural and electrical properties of the films have been investigated by means of X-ray diffraction (XRD), atomic force microscope (AFM), transmission line method (TLM). The poly-crystalline of $\alpha$- and c-axis oriented ZnO film was formed at lower deposition temperature ($T_s$) of $400^{\circ}C$. At higher $T_s$, however, the films exhibit single-crystalline of $\alpha$-axis orientation represented by ZnO[$\bar{1}11$ || LAO <001>. The electrical properties of ZnO thin films depend upon their crystalline orientation, showing lower electrical resistivity values for $\alpha$-axis oriented ZnO films.

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랜덤함수 매니저를 이용한 버스중재 방식 (Bus Arbitration Policy Using Random Function Manager)

  • 이국표;윤영섭
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제46권11호
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    • pp.34-39
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    • 2009
  • 본 논문에서는 일반적으로 사용되는 fixed priority 방식과 round-robin 방식의 장점을 살리고 단점을 극복하기 위해 위 두 방식에 랜덤 함수 매니저를 결합하여 두 방식을 모두 사용할 수 있는 랜덤 함수 중재 방식을 제안하였다. Fixed priority 방식에서는 우선순위가 낮은 마스터의 스타베이션 현상이 발생하는 문제점을 가지고 있으며, round-robin 방식은 중요한 마스터에게 우선권을 줄 수 없는 단점이 있다. 그러나 제안한 랜덤 함수 중재 방식은 F-F:R-R의 비율을 사용자가 임의로 조정할 수 있어서 기존 중재방식의 문제점을 해결할 수 있었다. TLM 시뮬레이션 결과, 마스터의 버스점유율을 32%에서 16%로 사용자가 임의 조절이 가능했으며, 마스터의 스타베이션 현상도 방지할 수 있었다.

사파이어 기판 위에 성장한 N-tyep ZnO Ohmic 접합 연구

  • 이경수;서주영;송후영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.96-96
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    • 2011
  • ZnO는 실온에서 3.37 eV의 큰 밴드갭 에너지와 60 meV의 높은 exciton binding energy를 가지고 있어 광소자를 만드는데 큰 관심을 얻고 있다. 또한 최근에는 ZnO를 기반으로 한 동종접합 전광소자를 만드는데 성공하였다. 그러나 소자의 성능을 높이기 위해 여러 가지 개선할 사항이 있다. 그 중에 하나는 캐리어를 잘 주입 시키기 위한 금속-반도체 접합을 구현하는 것이다. 이러한 문제를 개선하기 위해서는 ZnO 기반으로 한 낮은 비저항을 가진 소자가 필요하다. 일반적으로 n-type ZnO Ohmic 접합에서 쓰이는 금속은 Ti/Au, Ta/Au, Al/Au 등이 있다. 실험방법은 c-plane 사파이어 기판 위에 펄스 레이저 증착 방법으로 3시간 동안 $500^{\circ}C$ 환경에서 ZnO 박막을 성장하고, 표면을 고르게 하기 위해 $1000^{\circ}C$에서 1분 동안 열처리를 진행하였다. 샘플 위에 photo-resist 코팅을 한 다음 transfer length method(TLM)를 이용하기 위해 포토리소그래피 장비를 통하여 샘플을 노광하였다. 그 위에 Ti/Au (30 nm/80 nm)를 E-beam/thermal evaporation으로 증착 하였다. 이는 일반적인 반도체 공정과 Lift-off방식을 이용하여 패터닝 하였다. 샘플을 열처리하는 것은 금속과 반도체의 접촉 접착과 전기적인 성질을 개선하고 응력과 계면 결함을 감소시키기 때문에 샘플을 100, 200, 300, 400, $500^{\circ}C$에서 각각 열처리하였다. 저항을 구하기 위해 각각 열처리된 샘플과 as-deposited의 전류, 전압 특성을 측정하고, 이러한 실험 방법으로 n-type ZnO의 Ohmic 접합을 구현하는 것이 목표이다.

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TLM 방법을 이용한 한국형 고속열차내의 전자계 해석 (Numerical analysis of electromagnetic fields in Korean High Speed Train by transmission line matrix method)

  • 한인수;한영재;이태형;박춘수;김기환
    • 한국철도학회:학술대회논문집
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    • 한국철도학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.466-469
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    • 2008
  • As the industry develops, they are interested in the fault of electric machines and the effect on human beings by electromagnetic fields and waves which generate through much use of electric machines and appliances. In foreign country, they confirmed the standard about electromagnetic interference and compatibility(EMI/EMC) of electromagnetic fields and waves generating electricity transmission/distribution equipments and electric appliance. In Korea, such criteria are applied too. Before EMI/EMC standard is applied, it is important to prepare the plan to predict and reduce electromagnetic fields and waves which generate in the inner and the outer part of electric machinery. To solve such a problem, they calculated Maxwell's equations by finite element method(FEM) and finite difference method(FDM) in most papers. However, these methods have the disadvantage that mathematical expansions are complex and need much memory allocations for grid and mesh generations. In this paper, we introduce transmission line matrix(TLM) method that media of which trains consists are regarded as transmission lines for electromagnetic field calculation in Korean High Speed Train, calculate the electric and magnetic field, and analyze the results.

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양식 어류에 있어서 황산동(copper sulfate pentahydrate)의 안전성과 살균효과에 대한 연구 (Antibacterial efficacy and safety of copper sulfate pentahydrate to cultured fish)

  • 허강준
    • 대한수의학회지
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    • 제37권1호
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    • pp.203-212
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    • 1997
  • Antibacterial efficacy and safety of copper sulfate pentahydrate (5% solution) was evaluated in laboratory and field studies for disinfection of some fish bacterial pathogens in cultured fish, flounder(Paralichthys olivaceus), mirror carp(Cyprinus carpio), gold fish(Carrassius auratus) and eel(Anguilla japonica). Dipping of fishes for acute toxicity was performed for a period of 48h, and the TLm value(median tolerance limit) were 4.0ppm in mirror carp and flounder, 4.4ppm in rainbow trout, and 10.0ppm in gold fish. After exposure below than TLm value for 1 month, no side effects and histopathological changes were observed. The test drug were shown high antibacterial activities against most bacterial pathogens by exposure in the laboratory and field trials. However, Aeromonas salmonicida showed a resistance to the dosage. We can prevent outbreaks of bacterial diseases of fish by the dosage of 1ppm for 6hr and the test drug is thought to be used effectively and widely as a disinfectant against most bacterial fish pathogens.

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냉가스 추력기 시스템용 EM 제어기 및 점검 시스템 개발 (Development of Engineering Model for the Thruster Control Unit and Simulation system of the Reaction Control System)

  • 전상운;김지훈;정호락;최형돈
    • 항공우주기술
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    • 제5권2호
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    • pp.188-194
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    • 2006
  • 본 논문은 냉가스 추력기 시스템의 제어기로 사용되는 EM용 TCU(Thruster Control Unit)와 점검 시스템 개발에 관한 것이다. TCU는 추력기 시스템의 압력 및 온도를 모니터링하여 통신을 통해 이를 TLM(Telemet) 및 지상 제어 콘솔에 전달하는 역할을 수행한다. 이를 위해 CPU/통신보드는 MIL-STD-1553B 통신, RS422 통신, Data 입출력 및 처리 그리고 EEPROM 프로그램 로딩 기능을 수행한다. Intel 80386DX Microprocessor를 기반으로 설계하였으며 프로그램 저장 및 실행을 위해 256kbytes의 EEPROM과 256kbytes의 SRAM을 적용하였다. 또한 EEPROM 프로그램 로딩을 위해 인터페이스 회로 및 냉가스 추력기 시스템을 모사할 수 있는 점검 시스템을 개발하였다.

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Investigation of contact resistance between metal electrodes and amorphous gallium indium zinc oxide (a-GIZO) thin-film transistors

  • Kim, Woong-Sun;Moon, Yeon-Keon;Lee, Sih;Kang, Byung-Woo;Kwon, Tae-Seok;Kim, Kyung-Taek;Park, Jong-Wan
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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    • pp.546-549
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    • 2009
  • In this paper, we investigated the effects of different source/drain (S/D) electrode materials in thin film transistors (TFTs) based on indium-gallium-zinc oxide (IGZO) semiconductor. A transfer length and effective resistances between S/D electrodes and amorphous IGZO thin-film transistors were examined. Intrinsic TFT parameters were extracted by the transmission line method (TLM) using a series of TFTs with different channel lengths measured at a low drain voltage. The TFTs fabricated with Cu S/D electrodes showed the lowest contact resistance and transfer length indicating good ohmic characteristics, and good transfer characteristics with a field-effect mobility (${\mu}_{FE}$) of 10.0 $cm^2$/Vs.

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