• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.24 no.6
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• pp.633-643
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• 2013

GDS format files, as well as layout of the chip are noticeably needed so as to analyze the PDN (Power Delivery Network) inside of IC; however, commercial IC in the market has not supported design information which is layout of IC. Within this, in terms of IC having on-chip PDN, characteristic of inside PDN of the chip is a core parameter to predict generated noise from power/ground planes. Consequently, there is a need to scrutinize extraction method for unknown PDN of the chip in this paper. To extract PDN of the chip without IC circuit information, the de-embedding test vehicle is fabricated based on IEC62014-3. Further more, the extracted inside PDN of chip from de-embedding technique adopts the Co-simulation model which composes PCB, QFN (Quad-FlatNo-leads) Package, and Chip for the PDN, applied Co-simulation model well corresponds with impedance from measured S-parameters up to 4 GHz at common measured and simulated points.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.358-359
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• 2012

최근 분극 특성이 상이한 무분극 GaN 에피성장에 관한 심도 있는 연구와 함께 전자-전공 캐리어의 주입 및 캐리어의 거동, 방출되는 편광 특성 및 다양한 물리적 특성들에 대해 보고되고 있으며, 광학적 특성 및 물리적 특성의 확보를 위한 많은 연구가 활발히 진행 중이다 [1]. GaN의 ohmic 접촉(ohmic contact)의 형성은 발광 다이오드(light emitting diode), 레이저 다이오드(Laser), 태양전지(solar cell)와 같은 고신뢰도, 고효율 광전자 소자를 제조하기 위해서는 매우 중요하다 [2]. 그러나 이와 함께 병행 되어야 할 무분극 p-GaN 의 ohmic contact에 관한 연구는 많이 이루어지고 있지 않는 실정이다. 따라서 본 논문에서는 r-plane 사파이어 기판 상에 성장된 p-GaN에서의 ohmic 접촉 형성 연구를 위하여 Ni/Au ohmic 전극의 접촉저항 특성을 연구하였다. 본 실험에서는 성장된 a-plane GaN의 Hole농도가 $3.09{\times}1017cm3$ 인 시편을 사용하였다. E-beam evaporation 장비를 이용하여 Ni/Au를 각각 20 nm 그리고80 nm 증착 하였으며 비접촉저항을 측정하기 위해 Circle-Transfer Length Method (C-TLM) 패턴을 사용하였다. 샘플은 RTA (Rapid Thermal Annealing)를 사용하여 $300^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$까지 온도를 변화시키며 전기적 특성을 비교하여 그림 1(a) 나타내었다. 그림에서 알 수 있듯이 $400^{\circ}C$에서 가장 낮은 비접촉저항 값인 $6.95{\times}10-3{\Omega}cm2$를 얻을 수 있음을 발견하였다. 이 때의 I-V curve 도 그림1(b)에 나타낸 바와 같이 열처리에 의해 크게 향상됨을 알 수 있다. 그러나, $500^{\circ}C$ 이상 온도를 증가시키면 다시 비접촉 저항이 증가하는 것을 관찰하였다. XRD (x-Ray Diffraction) 분석을 통하여 $400^{\circ}C$ 이상열처리 온도가 증가하면 금속 표면에 $NiO_2$가 형성되며, 이에 따라 오믹특성이 저하 된다고 사료된다. 또한 $Ni_3N$의 존재를 확인 하였으며 이는 nonpolar surface의 특성으로 인해 nitrogen out diffusion 현상이 동시에 발생하여 계면에는 dopant로 작용하는 질소 공공을 남기고 표면에 $Ni_3N$을 형성하여 ohmic contact의 특성이 저하되기 때문인 것으로 사료된다.

• Korean Journal of Fisheries and Aquatic Sciences
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• v.17 no.5
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• pp.414-422
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• 1984

This research was conducted to evaluate the effect of polluted Oncheon Stream on the marine organisms in the Suyeong Bay. Water quality and 96 hr acute toxicity to the sea urchin, Hemicentrotns pulcherrimus by recirculation bioassay were examined from Feb. 20 to Apr. 15, 1984. The 96 hr $50\%$ effective concentration($EC_{50}$) on the attachment of the podia of the sea urchin was observed to occur at test concentrations between 40.0 and $51.0\%$ (v/v), and safe concentrations may be assumed to be within 4.0 and $5.1\%$. These values indicate as follows : 1. Oncheon Stream was extremely polluted by oxygen-demanding wastes and synthetic organic compounds from sewage and industrial waste water. 2. Linear alkylbenzene sulfonate(LAS) which has not been yet included in water quality standard was discharged above the TLm. 3. Unknown toxicity may be synergy among complex substances. In consideration of the relationship between COD values of Oncheon Stream and dilution water, the effect of toxicity of Oncheon Stream water reached to the area of the Suyeong Bay where the COD value was found to be 12.2 ppm.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.456-456
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• 2010

CMOS 소자가 서브마이크론($0.1\;{\mu}m$) 이하로 스케일다운 되면서 단채널 효과(short channel effect), 게이트 산화막(gate oxide)의 누설전류(leakage current)의 증가와 높은 직렬저항(series resistance) 등의 문제가 발생한다. CMOS 소자의 구동전류(drive current)를 높이고, 단채널 효과를 줄이기 위한 가장 효율적인 방법은 소스 및 드레인의 얕은 접합(shallow junction) 형성과 직렬 저항을 줄이는 것이다. 플라즈마 도핑 방법은 플라즈마 밀도 컨트롤, 주입 바이어스 전압 조절 등을 통해 저 에너지 이온주입법보다 기판 손상 및 표면 결함의 생성을 억제하면서 고농도로 얕은 접합을 형성할 수 있다. 그리고 얕은 접합을 형성하기 위해 주입된 불순물의 활성화와 확산을 위해 후속 열처리 공정은 높은 온도에서 짧은 시간 열처리하여 불순물 물질의 활성화를 높여주면서 열처리로 인한 접합 깊이를 얕게 해야 한다. 그러나 접합의 깊이가 줄어듦에 따라서 소스 및 드레인의 표면 저항(sheet resistance)과 접촉저항(contact resistance)이 급격하게 증가하는 문제점이 있다. 이러한 표면저항과 접촉저항을 줄이기 위한 방안으로 실리사이드 박막(silicide thin film)을 형성하는 방법이 사용되고 있다. 본 논문에서는 (100) p-type 웨이퍼 He(90 %) 가스로 희석된 $PH_3$(10 %) 가스를 사용하여 플라즈마 도핑을 실시하였다. 10 mTorr의 압력에서 200 W RF 파워를 인가하여 플라즈마를 생성하였고 도핑은 바이어스 전압 -1 kV에서 60 초 동안 실시하였다. 얕은 접합을 형성하기 위한 불순물의 활성화는 ArF(193 nm) excimer laser를 통해 $460\;mJ/cm^2$의 에니지로 열처리를 실시하였다. 그리고 낮은 접촉비저항과 표면저항을 얻기 위해 metal sputter를 통해 TiN/Ti를 $800/400\;{\AA}$ 증착하고 metal RTP를 사용하여 실리사이드 형성 온도를 $650{\sim}800^{\circ}C$까지 60 초 동안 열처리를 실시하여 $TiSi_2$ 박막을 형성하였다. 그리고 $TiSi_2$의 두께를 측정하기 위해 TEM(Transmission Electron Microscopy)을 측정하였다. 화학적 결합상태를 분석하기 위해 XPS(X-ray photoelectronic)와 XRD(X-ray diffraction)를 측정하였다. 접촉비저항, 접촉저항과 표면저항을 분석하기 위해 TLM(Transfer Length Method) 패턴을 제작하여 I-V 특성을 측정하였다. TEM 측정결과 $TiSi_2$의 두께는 약 $580{\AA}$ 정도이고 morphology는 안정적이고 실리사이드 집괴 현상은 발견되지 않았다. XPS와 XRD 분석결과 실리사이드 형성 온도가 $700^{\circ}C$에서 C54 형태의 $TiSi_2$ 박막이 형성되었고 가장 낮은 접촉비저항과 접촉저항 값을 가진다.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.53 no.2
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• pp.147-153
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• 2016

The lightning protection of information and communication facilities is very important factor to improve a reliability of the action of these equipment. Especially the transient potential rise of ground electrode being injected with the lightning current is to be a basic data of the dielectric strength for both power and communication facilities so that more accurate analysis should be required. The transient potential rise can be calculated from the ground impedance and the ground impedance is strongly dependent upon the shape of the ground electrode and the frequency-dependence of soil. The Debye's equation which is able to calculate the characteristics of dielectrics is used to analyze the frequency-dependent of soil. Also, the method to calculate the transient potential rise from the ground impedance is specified in this paper. In order to analyze the transient potential rise resulting from calculations with Debye's equation, TLM(transmission line method) and case of ${\rho}$(resistivity)-constant are simulated, respectively. The length of a horizontal ground electrode is 30 m and simulations were performed at 10, 100, $1000{\Omega}{\cdot}m$ with the standard lightning current waveform. In result, the transient potential rise of horizontal ground electrode calculating with Debye's equation is lower than it of other models.

• Journal of Korea Water Resources Association
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• v.53 no.6
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• pp.427-436
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• 2020

It is uncertain how global climate change will influence future drought characteristics over the Korean peninsula. This study aims to project the future droughts using climate change and land use change scenarios over the Korean peninsula with the land surface modeling system, i.e., Weather Research and Forecasting Model Hydrological modeling system (WRF-Hydro). The Representative Concentration Pathways (RCPs) 2.6 and 8.5 are used as future climate scenarios and the Shared Socio-economic Pathways (SSPs), specifically SSP2, is adopted for the land use scenario. The using Threshold Level Method (TLM), we identify future hydrological and ecological drought events with runoff and Net Primary Productivity (NPP), respectively, and assess drought characteristics of durations and intensities in different scenarios. Results show that the duration of drought is longer over RCP2.6-SSP2 for near future (2031-2050) and RCP8.5-SSP2 (2080-2099) for the far future for hydrological drought. On the other hand, RCP2.6-SSP2 for the far future and RCP8.5-SSP2 for the near future show longer duration for ecological drought. In addition, the drought intensities in both hydrological and ecological drought show different characteristics with the drought duration. The intensity of the hydrological droughts was greatly affected by threshold level methods and RCP2.6-SSP2 for far future shows the severest intensity. However, for ecological drought, the difference of the intensity among the threshold level is not significant and RCP2.6-SSP2 for near future and RCP2.6-SSP2 for near future show the severest intensity. This study suggests a possible future drought characteristics is in the Korea peninsula using combined climate and land use changes, which will help the community to understand and manage the future drought risks.