• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2007년도 추계학술발표대회 및
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• pp.94.2-94.2
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• 2007

• 한국전자파학회논문지
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• 제21권2호
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• pp.170-178
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• 2010

논문에서는 전원부에서 노이즈가 발생되어 신호선에 노이즈가 유기될 때, 유전체의 손실 특성이 노이즈에 미치는 영향에 관해서 연구를 하였다. 이를 분석하기 위해 Full-wave 시뮬레이터인 Ansoft사의 HFSS(High Frequency Structure Simulation)와 CST사의 MWS(MicroWave Studio)의 계산 결과와 측정 결과를 비교하여 신뢰성을 확보하였고, 실제 사용되고 있는 4가지의 상용 기판에 대한 유기되는 노이즈를 해석하였다. 또한, TLM(Transmission Line Method)를 이용해서 전원면의 회로 모델 구성 시 기판의 유전체 손실을 반영할 수 있는 Debye 모델을 적용하여 주파수에 대한 임피던스를 분석할 수 있는 모델을 적용 측정 결과와 3 GHz까지 일치하는 모델을 얻었다.

• 한국광학회지
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• 제18권2호
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• pp.155-161
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• 2007

본 논문에서는 GaN/InGaN 다중양자우물(MQW)의 청색 발광 다이오드(LED)에서의 3차원적인 전류 및 2차원적인 광 분포를 보여 주기 위해 새롭고 간단한 3차원 회로 모델링과 해석이 처음으로 제안되었으며 이를 실험적으로 검증하였다. LED의 회로 파라미터들은 금속 및 에피 박막의 저항과 다이오드만으로 이루어져 있으며 각각의 파라미터는 전송선 모델(TLM) 및 전압-전류의 특성으로부터 얻을 수 있다. 제안된 방법과 회로 파라미터를 상부로 발광하는(top-surface emitting) LED에 적용하여 금속 및 에피 박막의 각 저항 변화에 따라 활성층을 지나가는 전류 분포의 효과를 정량적으로 해석하였다. 그리고 제작된 청색 LED 소자의 발광 분포는 p-전극 주위에서 어두운 발광 분포를 보이는 해석 결과와 유사한 경향을 보여주었다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 추계기술심포지움논문집
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• pp.73-77
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• 2002

n형 SiC를 이용한 오옴성 접합을 알아보고자 Cu/Si/Cu 형태의 접합실험을 실시하였다. 오옴성 접합의 형성을 위하여 Cu/Si/Cu를 증착 하고 열처리를 시행하였다. 열처리는 RTP를 이용한 진공상태의 2-step 방법으로 시행하였다. 접합에 계산을 위하여 TLM구조로, 면 저항(Rs), 접촉저항(Rc), 이동거리(L$_{T}$), 패드간거리(d), 저항(R$_{T}$)값을 구하면 접합비 저항(Pc) 값을 알 수 있다. 이로 인한 결과 값은 접촉저항 값은 2$\Omega$이었고, 이동간 거리는 1$\mu\textrm{m}$이었으며 접합비저항($\rho$c)=1.0x$10^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$ 값을 얻을 수 있었다. 물리적 변화를 AES 및 XRD를 이용하여 알아보았다. SiC 계면 상에 Cu의 변화로 인한 silicide형성이 이루어짐을 알 수 있었다.있었다.

• 실천공학교육논문지
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• 제9권2호
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• pp.167-174
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• 2017

본 논문은 4차 산업혁명이 직업능력개발에 미치는 영향을 이행노동시장(Transitional Labor Market: TLM) 모형을 중심으로 조명해보고, 이를 토대로 4차 산업혁명시대의 직업능력개발정책의 발전방향을 모색하였다. 4차 산업혁명은 새로운 일자리를 창출하고, 기존의 일자리의 상당부분을 소멸하게 함과 동시에 일자리의 형태와 직무의 내용, 일하는 방식을 근본적으로 변화시킬 것이다. 이러한 새로운 환경 하에서는 노동시장 이행의 각 단계에서 위험이 증대할 가능성이 높다. 이러한 위험을 최소화하기 위해서는 교육훈련제도의 혁신과 생애경력개발 및 평생직업능력개발을 통해 4차 산업혁명을 선도할 인재를 육성하고, 4차 산업혁명이 초래할 변화에 대한 적응력을 높여나가는 것이 중요하다. 이러한 측면에서 기존의 직업능력개발체제를 4차 산업혁명 시대에 적합하도록 패러다임적인 발전을 이루어야 하고, 평생직업능력개발을 위한 생태계를 구축하여야 한다.

• 한국환경농학회지
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• 제3권2호
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• pp.43-49
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• 1984

본 시험은 몇가지 담수산동물(淡水産動物)에 대한 cartap의 급성독성(急性毒性) 발현(發現)에 미치는 동물(動物)의 종류(種類), 수온(水溫) 및 pH의 영향을 검토하기 위하여 실시하였다. 공시된 담수산동물은 금붕어(Carassius auratus LINNE), 왜몰개 (Aphyocypris chinensis $G{\"{U}}NTHER$), 미꾸리(Misgurus anguillicaudatus CANTOR) 및 둥근물벼룩(Moina macrocopa STRAUS)이었다. 용존산소량(溶存酸素量)과 물의 경도(硬度)는 각각 $6{\sim}8\;ppm$, $22{\sim}40\;ppm$으로 고정하고, 수온(水溫)의 수준(水準)은 $20^{\circ}C$, $25^{\circ}C$, $30^{\circ}C$이었고 pH치(値)의 수준(水準)은 6, 7, 9이었다. 얻어진 시험 결과를 요약하면 다음과 같다. 1) 수온(水溫) $25^{\circ}C$, pH 7에서 cartap의 TLm (median tolerance limit)치(値)는 금붕어, 왜몰개, 미꾸리에서 낮았고, 등근물벼룩에서 높았다, 금붕어에 대한 48시간 TLm치(値)는 0.88 ppm, 왜몰개는 0.26 ppm, 미꾸리는 0.13 ppm이었고, 등근물벼룩의 3시간 TLm치(値)는 306 ppm이었다. 2) pH치(値)를 7로 고정하고, 수온을 $20^{\circ}C$, $25^{\circ}C$, $30^{\circ}C$로 하였을 때, cartap의 TLm치는 금붕어와 왜몰개에서는 온도의 상승과 더불어 낮아졌으나 둥근물벼룩에서는 $25^{\circ}C$에서 가장 높았고 $30^{\circ}C$에서 가장 낮았다. 둥근물벼룩에 대한 3시간 TLm치(値)는 $20^{\circ}C$에서 107 ppm, $25^{\circ}C$에서 306 ppm, $30^{\circ}C$에서 77 ppm이었다. 3) 수온을 $25^{\circ}C$로 고정하고 pH치를 6, 7, 9로 하였을 때, 금붕어와 왜몰개는 pH치가 높아질수록 TLm치(値)도 높아졌으나, 둥근물벼룩은 높은 pH치에서 TLm치가 낮아졌다. 미꾸리의 사망율은 pH치가 커질수록 사망율이 현저히 증대하였다. 이상의 결과를 종합적으로 볼 때, cartap의 담빙산동물(淡氷産動物)에 대한 독성발현도(毒性發現度)는 동물의 종류뿐만 아니라 수온(水溫)과 pH의 영향도 크게 받는데, 그 변화양상(變化樣相)은 요인(要因)에 따라 일정하지 않았다.

• 한국진공학회지
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• 제20권5호
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• pp.339-344
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• 2011

C-plane 사파이어 기판 위에 펄스 레이저 증착법으로 증착시킨 n-type ZnO 박막에 대한 Ti/Au 금속의 Ohmic 접합특성을 TLM (transfer length method) 패턴 전극을 통하여 연구하였다. 여기서, Ti와 Au 금속박막은 전자빔 증착기와 열 증착기로 각각 35 nm와 90 nm 두께로 증착하였으며, TLM패턴은 광 리소그래피 법으로 면적이 $100{\times}100{\mu}m^2$인 전극패턴을 6~61 ${\mu}m$ 간격으로 형성하였다. Ti/Au 금속박막과 ZnO 반도체 사이의 전기적인 성질을 개선하고 응력과 계면 결함을 감소시키기 위해, 산소 가스 분위기로 $100{\sim}500^{\circ}C$ 온도에서 각각 1분간 급속열처리를 하였다. $300^{\circ}C$의 온도에서 열처리한 시료에서 $1.1{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm^2$의 가장 낮은 비저항 값을 보였는데, 이것은 열처리 동안 티타늄 산화막 형성과정에서 ZnO 박막 표면 근처에 산소빈자리가 형성됨으로써 나타나는 전자농도의 증가가 주된 원인으로 고려되었다.

• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제2권4호
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• pp.66-73
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• 1991

This paper reviews two representative time-domain techniques for the simulation of the electromagnetic fields, which are known as FD - TD and TLM. The fundamental ideas of two tec- hniques are explained in detail. Also, the implimentation of the boundary conditions, the statability condition, and the representation of media in the problems are described briefly.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.265.1-265.1
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• 2016

여러 application에 적용하기 위하여 p-type SnO 박막과 전극 간의 접촉 저항을 분석이 필요하였다. 이를 Transmission Line Method(TLM) 패턴 소자를 제작한 후 전기적 특성을 분석함으로써 알 수 있었다. $Si/SiO_2$ 기판에 Reactive Magnetron Sputtering법을 이용하여 c축 우선 배향된 SnO를 100nm 증착하고 photolithography 공정을 통해 전극을 패턴화하여 100nm 두께로 증착하였다. 전극 간 거리는 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256, 512, $1024{\mu}m$로 각각 2배씩 증가하는 패턴이고 폭 W는 $300{\mu}m$ 이다. p-type SnO 의 경우, work function이 4.8eV이기 때문에 전극과 ohmic contact이 되기 위해서는 4.8eV보다 높은 work function 값을 가지는 전극이 필요하였다. 이 조건과 맞는 후보로 Ni(5.15eV), ITO(5.3eV)를 설정한 후 소자를 제작하였다. 제작된 소자는 열처리 하지 않은 소자와 Rapid Thermal Annealing(RTA) 장비에서 $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$에서 각각 1분씩 열처리한 소자의 특성을 분석하였다. 열처리 하지 않은 소자의 경우 Ni 전극의 specific contact resistance는 $3.42E-2{\Omega}$의 값을 나타내었고, ITO의 경우 $3.62E-2{\Omega}$값을 나타내었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권10호
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• pp.495-499
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• 2004

Characteristics of ohmic Ni/Si/Ni contacts to n-type 4H-SiC are investigated systematically. The ohmic contacts were formed by annealing Ni/Si/Ni sputtered sequentially The annealings were performed at 950℃ using RTP in vacuum ambient and N₂ ambient, respectively. The specific contact resistivity(p/sub c/), sheet resistance(R/sub s/), contact resistance (R/sub c/) transfer length(L/sub T/) were calculated from resistance(R/sub T/) versus contact spacing(d) measurements obtained from TLM(transmission line method) structure. While the resulting measurement values of sample annealed at vacuum ambient were p/sub c/ = 3.8×10/sup -5/Ω㎠, R/sub c/ = 4.9 Ω and R/sub T/ = 9.8 Ω, those of sample annealed at N₂ ambient were p/sub c/ = 2.29×10/sup -4/Ω㎠, R/sub c/ = 12.9 Ω and R/sub T/ = 25.8 Ω. The physical properties of contacts were examined using XRD 3nd AES. The results showed that nickel silicide was formed on SiC and Ni was migrated into SiC. This result indicates that Ni/Si/Ni ohmic contact would be useful in high performance electronic devices.