• 제목/요약/키워드: TIPS-pentacene

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Electro-optical Properties of Twisted Nematic Liquid Crystal Displays Fabricated with TIPS-pentacene Doping

  • Lee, Jin-Woo
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제14권2호
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    • pp.82-85
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    • 2013
  • This paper introduces 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS pentacene) doped liquid crystal (LC) alignment properties on a rubbed polyimide (PI) layer as a function of the doping concentration of TIPS pentacene. Pretilt angles, photomicrographs, and electro-optical properties of TIPS pentacene doped LCs were comparable to those of pure LCs. However, TIPS pentacene in a LC medium supported twisted nematic-liquid crystal displays (TN-LCDs) to improve electro-optical properties. The threshold voltages observed in the TN cells decreased as the TIPS pentacene concentration increased. In addition, suitable response times were observed in TN cells.

Comparative Study on Interfacial Traps in Organic Thin-Film Transistors According to Deposition Methods of Organic Semiconductors

  • Park, Jae-Hoon;Bae, Jin-Hyuk
    • 한국응용과학기술학회지
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    • 제30권2호
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    • pp.290-296
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    • 2013
  • We analysed interfacial traps in organic thin-film transistors (TFTs) in which pentacene and 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)-pentacene (TIPS-pentacene) organic semiconductors were deposited by means of vacuum-thermal evaporation and drop-coating methods, respectively. The thermally-deposited pentacene film consists of dentritic grains with the average grain size of around 1 m, while plate-like crystals over a few hundred microns are observed in the solution-processed TIPS-pentacene film. From the transfer characteristics of both TFTs, lower subthreshold slope of 1.02 V/decade was obtained in the TIPS-pentacene TFT, compared to that (2.63 V/decade) of the pentacene transistor. The interfacial trap density values calculated from the subthreshold slope are about $3.4{\times}10^{12}/cm^2$ and $9.4{\times}10^{12}/cm^2$ for the TIPS-pentacene and pentacene TFTs, respectively. Herein, lower subthreshold slope and less interfacial traps in TIPS-pentacene TFTs are attributed to less domain boundaries in the solution-processed TIPS-pentacene film.

용제에 따른 TIPS(triisopropylsilyl) Pentacene을 이용한 유기박막 트렌지스터의 전기적 특성에 관한 연구 (Investigation of Solvent Effect on the Electrical Properties of Triisopropylsilylethynyl(TIPS) Pentacene Organic Thin-film Transistors)

  • 김경석;김영훈;한정인;최광남;곽성관;김동식;정관수
    • 한국진공학회지
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    • 제17권5호
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    • pp.435-441
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    • 2008
  • 본 논문은 TIPS Pentacene을 유기반도체로 사용한 유기박막 트랜지스터의 용제에 따른 전기적 특성에 대한 연구로서, 용제로는 chlorobenzene, p-xylene, chloroform, toluene을 사용하였으며, 회전 도포 방법을 사용하여 TIPS pentacene을 혼합하여 적층하였다. chlorobenzene을 사용하여 만들어진 유기박막 트랜지스터는 $1.0{\times}10^{-2}cm^2/V{\cdot}s$의 전계효과 이동도, $4.3{\times}10^3$의 on/off 비율, 5.5 V의 문턱전압의 특성을 보였다. 반대로, chloroform을 사용하여 만들어진 유기박막 트랜지스터는 $5.8{\times}10^{-7}cm^2/V{\cdot}s$의 전계효과 이동도, $1.1{\times}10^2$의 on/off 비율, 1.7 V의 문턱전압의 특성을 보였다. 또한 각 용제에 따른 TIPS pentacene 결정크기를 AFM을 통하여 측정하였다. 이와 같은 결과들을 통하여, 더 높은 끊는점을 가진 용제는 TIPS Pentacene의 더 큰 결정 크기와 높은 결정화 성향으로 인하여 더 좋은 전기적 특성을 가지는 것을 확인할 수 있었으며, 본 실험에서는 끓는점이 가장 높은 chlorobenzene을 사용한 TIPS Pentacene 유기박막 트랜지스터가 가장 좋은 전기적 특성을 나타내는 것을 확인하였다.

코페이셜 적층 구조를 가진 펜타센 유도체 단결정기반 유기트랜지스터의 계면 전하이동 이방성에 관한 연구 (Interfacial Charge Transport Anisotropy of Organic Field-Effect Transistors Based on Pentacene Derivative Single Crystals with Cofacial Molecular Stack)

  • 최현호
    • 접착 및 계면
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    • 제20권4호
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    • pp.155-161
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    • 2019
  • 공액분자 나노구조체 계면에서의 전하이동 이방성을 이해하는 것은 유기전계효과트랜지스터(OFET)에서 구조-물성 상관관계를 규명하는데 중요하다. 본 연구에서는 대표적인 코페이셜 적층구조를 가진 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene) 유기반도체 단결정과 산화물 계면에서 전하이동도 이방성을 연구하였다. 용매치환공정을 이용해 유기단결정을 산화실리콘 절연체 표면에 성장시키고 유기단결정/산화물 계면에서 전하이동을 유도할 수 있도록 OFET 소자를 완성하였다. TIPS-pentacene OFET에서 최고/최저 전하이동도 이방성은 5.2로 관찰되었다. TIPS-pentacene의 전하이동을 담당하는 공액부의 최인접부와의 상호작용을 분석한 결과, HOMO 준위 커플링과 전하의 호핑 궤도가 전하이동도 이방성에 기여하는 것으로 밝혀졌다. HOMO 준위 커플링에 기반한 전하이동도 이방성의 정량적 예측은 실험결과와 유사하게 나타났다.

Polymer blending에 따른 TIPS-Pentacene의 특성 변화 (The electrical properties change of TIPS-Pentacene due to polymer blending)

  • 임창윤;김영훈;한정인
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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    • pp.1499-1500
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    • 2011
  • In this paper, we investigated the electrical properties change of 6,13-bis(triisopropyl-silylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene) depending on polymer blend. We fabricated organic thin film transistor (OTFT) using blending solution of small molecule and polymer. In this study poly(2-methoxy-5-(2-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene-vinylene) (MEH-PPV), poly (9-vinylcarbazole) (PVK), poly [N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine] (poly-TPD), poly(${\alpha}$-methyl styrene), Poly(methyl methacrylate) (PMMA) are used as a polymer. Fabricated OTFT with blending solution of TIPS-pentacene and PVK shows best performance in this experiment. OTFT fabricated by blending solution of TIPS-pentacene and PVK shows field effect mobility of 0.0189 $cm^2/V{\cdot}s$, on/off ratio of 1.9E-5 and threshold voltage of 7.4 V.

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절연고분자 polystyrene 혼합에 의한 TIPS-pentacene OTFT의 성능 개선 (Performance Improvement of TIPS-pentacene OTFTs by blending with Polystyrene)

  • 김재선;송정근
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권7호
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    • pp.96-101
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    • 2013
  • 본 논문에서는 절연 고분자 polystyrene(PS)을 TIPS-pentacene 용액에 혼합하여 OTFT를 제작하였고, PS의 분자량과 함량이 소자 성능에 미치는 영향을 분석하였다. 분자량 9,580의 PS가 분자량이 큰 것 보다 우수한 성능을 나타내었다. 그리고 함량은 0.3 wt%일 때 전계이동도는 $1.0{\pm}0.19cm^2/V{\cdot}sec$, 부문턱전압기울기는 $0.22{\pm}0.05$ V/dec, 문턱전압은 $-1.19{\pm}1.21$ V, 그리고 전류점멸비는 $7.12{\pm}2.09{\times}10^6$ 이었으며, PS를 혼합하지 않은 OTFT에 비하여 약 5배의 성능 개선이 있었다. 또한 잉크젯 공정에서 기판온도는 커피링을 제거하는 중요한 요소이며 PS를 혼합한 TIPS-pentacene의 적합한 온도는 $46^{\circ}C$로 확인되었다.

소스/드레인 전극의 두께변화에 따른 TIPS-pentacene 트랜지스터의 전기적 특성 연구 (Study on die electric characteristics of TIPS-pentacene transistors with variation of electrode thickness)

  • 양진우;형건우;김영관
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.323-324
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    • 2009
  • We investigated the electrical properties of tris-isopropylsilylethynyl (TIPS)-pentacene organic thin-film transistors (OTFTs) employing Ni/Ag source/drain electrodes. The gap height between the gate insulator and S/D electrode was controlled by changing the thickness of Ag under-layer(20, 30, 40 and 50nm). After evaporating the Ni under-layer, TIPS pentacene channel material was dropping the gap between the gate insulator and SID electrodes. The electrical proprieties of OTFT such as filed-effect mobility, on/off ratio, threshold voltage and subthreshold slope were significantly influenced by the gap height.

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Molecular Distribution depending on the Cooling-off Condition in a Solution-Processed 6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)-Pentacene Thin-Film Transistor

  • Park, Jae-Hoon;Bae, Jin-Hyuk
    • 한국응용과학기술학회지
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    • 제31권3호
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    • pp.402-407
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    • 2014
  • Herein, we describe the effect of the cooling-off condition of a solution-processed 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)-pentacene (TIPS-pentacene) film on its molecular distribution and the resultant electrical properties. Since the solvent in a TIPS-pentacene droplet gradually evaporates from the rim to the center exhibiting a radial form of solute, for a quenched case, domains of the TIPS-pentacene film are aboriginally spread showing original features of radial shape due to suppressed molecular rearrangement during the momentary cooling period. For the slowly cooled case, however, TIPS-pentacene molecules are randomly rearranged during the long cooling period. As a result, in the lopsided electrodes structure proposed in this work, the charge transport generates more effectively under the case for radial distribution induced by the quenching technique. It was found that the molecular redistribution during the cooling-period plays an important role on the magnitude of the mobility in a solution-processed organic transistor. This work provides at least a scientific basis between the molecular distribution and electrical properties in solution-processed organic devices.

Electrical Properties of OTFTs and Inverters by using Ink-Jet Printing with Polyvinylphenol Insulator and TIPS-Pentacene Semiconductor

  • Kang, Rae-Wook;Xu, Yong-Xian;Song, Chung-Kun
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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    • pp.651-653
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    • 2008
  • In this paper, we report electrical properties of OTFTs by using ink-jet printing with polyvinylphenol (PVP) for gate insulator and bis(triisopropylsilylenthynyl) pentacene (TIPS pentacene) for semiconductor. OTFTs produced the excellent performance with the mobility of $1.27\;cm^2/V.s$ for top contact structure(TCS) and inverter consisting of two OTFTs exhibited the gain of 6.75.

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