A Polysilicon Field Effect Transistor Pressure Sensor of Thin Nitride Membrane Choking Effect of Right After Turn-on for Stress Sensitivity Improvement (스트레스 감도 향상을 위한 턴 온 직후의 조름 효과를 이용한 얇은 질화막 폴리실리콘 전계 효과 트랜지스터 압력센서)
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- Journal of Sensor Science and Technology
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- v.23 no.2
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- pp.114-121
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- 2014