• Korean Journal of Acupuncture
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• 제24권1호
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• pp.65-77
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• 2007

목 적 : 본 연구(硏究)는 수소양삼초경근(手少陽三焦頸筋)의 이론적(理綸的) 근거(根據)를 해부학적(解剖學的)으로 제공(提供)하고 임상(臨床)에 경근(經筋)의 정확(正確)한 적용(適用)을 위함이다. 방 법 : Cadaver에 경근(經筋)을 표시(表示)하고 각각(各各)의경 경혈부위(經穴部位)에 표식(標識)와 pore 작업을 수행하고 각 경혈부(經穴部)를 피부(皮膚), 근막(筋膜), 그리고 근육(筋肉)의 천층(淺層), 중문층(中問層), 그리고 심층부(深層部)를 순서적(順序的)으로 해부(解剖)하여 근육(筋肉), 신경(神經), 혈관(血管) 등을 관찰(觀察)한다. 결 과 및 결 론 : 수소양삼초경근(手少陽三焦經筋)의 해부학적(解剖學的) 고찰(考察) 결과(結果)는 다음과 같다. 1) 근(筋) 육(肉) : 천층에 근막(TE1), 근막확장대(TE2), 근막과 근간결합(TE3), 근막과 신근지대(TE4), 근막과총지신근건(TE5), 근막및 총지신근과 소지신근간(TE6), 근막과 소지신근(TE7), 총지신근(TE8), 척측수근신근과 소지신근간(TE9), 상완삼두근건(TE10, 11), 상완삼두근(TE12), 삼각근(TE13), 삼각근및 극하근과 극상근간(TE14). 승모근(TE15), 흉쇄유돌근(TE-16, 17, 18), 후이개근(TE19, 22), 상이개근(TE20), 전이개근및 이하선근막(TE21), 안륜근(TE23), 중층에 소지신근건과 총지신근건간(TE4), 측두근막과 측두근(TE2O, 22, 23), 심층에 배측골간근(TE3), 시지신근과 골간막(TE5) 장모지신근(TE6), 시지신근(TE7), 장지신근과 장모지외전근간(TE8, 9), 상완삼두근(TE13), 견갑거근(TE15), 두판상근(TE16), 경상설골근과 하악이복근간(TE17) , 이복근(TE18) .2) 신(神) 경(經) : 천층에 척골신경의 배측지(TE1, 2, 3), 후전완피신경(TE4, 5, 6, 8, 9, 10, 11), 내측전완피신경(TE5, 6, 7, 8, 9, 10, 11), 후상완피신경(TE12, 13), 상외측상완피신경(TE13), 외측쇄골상신경(TE14, 15),대이개신경(TE16, 17, 18, 19), 소후두신경(TE19, 20), 이개측두신경(TE20, 21, 22), 안면신경측두지(TE22, 23), 관골측두신경(TE23), 중층에 견갑상신경(TE15), 견갑배신경(TE15), 경상설골근신경(TE17), 후이개신경(TE18, 19, 20), 안면신경측두지(TE20, 21, 22), 심층에 후골간신경(TE5, 6, 7), 요골신경심지(TE8, 9, 12, 13), 견갑상신경(TE14), 액와신경가지(TE14), 부신경(TE16), 안면신경과 부신경가지(TE17), 설인신경(TE17), 설하신경(TE17), 경신경고리(TE17), 미주신경(TE17), 안면신경 (TE18). 3) 혈(血) 관(管) : 천층에 척측정맥배측지(TE1, 2), 고유수장지동맥배측지(TE1), 배측중수골동맥배측지(TE2), 배측중수골정맥(TE3), 척측피정맥(TE4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11), 배측정맥궁(TE4), 부요측피정맥(TE6, 8, 9),요측피정맥(TE10, 11), 후견봉정맥가지(TE13, 14), 후이개동 ${\cdot}$ 정맥(TE16, 17, 18, 19, 20), 전이개동 ${\cdot}$ 정맥(TE20), 천측두동 ${\cdot}$ 정맥(TE22, 23), 중층에 후상완회선동맥(TE14), 견갑배동맥(TE15), 견갑상동맥(TE15),천측두동 ${\cdot}$ 정맥(TE21), 관골측두동 ${\cdot}$ 정맥(TE23), 심층에 배측중수골동맥(TE3), 배측수근동맥궁(TE4), 후골간동맥(TE4, 5, 6, 7, 8, 9), 전골간동맥(TE6, 7, 9), 심상완동맥(TE10, 11), 상완동맥측부지(TE10, 11), 중간 측부동맥(TE12), 요측측부동맥(TE12), 심상완동맥가지(TE13), 후상완회선동맥(TE13), 견갑상동맥(TE14), 후두동 ${\cdot}$ 정맥(TE16, 17), 내경정맥(TE17). 결 론 : 1. 수소양삼초경근(手少陽三焦經筋)은 근육(筋肉), 그리고 관련(關聯) 신경(神經), 혈관(血管)으로 구성된다. 2. 본 연구(硏究)는 경근(經筋)에 관한 기존(旣存)의 연구(硏究)와 비교(比較)하여 볼 때에 경근(經筋)의 구성요소(構成要素)에 있어서 약간(若干)의 차이(差異)를 보여준다. 3. 해부학적(解剖學的) 연구결동(硏究結東), 경근(經筋) 근육(筋肉)을 지배(支配)하는 신경(神經)${\cdot}$혈관(血管)의 개념(槪念)과 경근(經筋)을 스쳐 지나가는 신경(神經)${\cdot}$혈관(血管)의 개념(槪念)은 구분(區分)된다.

• Korean Journal of Acupuncture
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• 제24권2호
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• pp.129-139
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• 2007

목적 : Signal transducers and activators of transcription 6 (Stat 6) 유전자는 면역세포의 발달에 있어서 중요한 유전인자이며, IL-4와 같은 사이토카인에 의해 유전자 발현이 조절된다. 본 연구에서는 Stat 6 유전자 제거 생쥐와 정상 (wild type, W/T) 생쥐에 carrageenan으로 염증을 유도한 후 족삼리에 침치료를 시행하여 시상하부에서의 유전자 발현 양상을 분석하고자 하였다. 방 법 : BALB/c (W/T, n=12) and BALB/c-Stat 6 유전자 제거 생쥐 (n=12)의 발뒤꿈치 표피에 1% carrageenan을 30 ul 주사하여 염증을 유도하였다. 침은 염증 유도 30분 후에 족삼리(ST36)에 시침하였으며, 염증유도에 의한 부종 증가율을 매 시간마다 측정하여 총 5시간동안 측정하였다. 마이크로에러이는 Stat 6 유전자 제거 생쥐를 염증 유발 군과 염증유발 후 침을 처치한 군으로 나누고, 시상하부를 적출하여 RNA를 분리한뒤 마이크로어레이 프로파일을 분석하였다. 결 과 : 염증에 의한 부종증가율을 비교한 결과, Stat 6 유전자 제거 생쥐 그룹의 부종증가율이 W/T 생쥐의 부종 증가율보다 약 50 % 정도 감소하였으며, 각 3, 4, 5시간째에 유의한 차이를 나타내었다. (각 p<0.05). W.T생쥐군과 Stat 6 유전자 제거 생쥐군 모두에서, 침 처치군이 염증 유발 군에 비해, 염증 유발 2시간 후부터 유의한 감소를 나타내었다. 시상하부의 유전자 발현을 관찰한 결과, 39개의 유전자가 3배 이상 감소하였으며, 19개의 유전자는 3배 이상 증가하였다. 결 론 : W/T 생쥐군과 Stat 6 유전자 제거 생쥐 모두에서 침의 진통효과는 나타나며, 이의 기전에는 시상하부에서의 침 치료에 의한 염증관련 유전자들의 감소와, 항염증과 관련된 유전자들이 증가가 관여하는 것으로 보인다., 10, 11), 내측전완피신경(TE5, 6, 7, 8, 9, 10, 11), 후상완피신경(TE12, 13), 상외측상완피신경(TE13), 외측쇄골상신경(TE14, 15),대이개신경(TE16, 17, 18, 19), 소후두신경(TE19, 20), 이개측두신경(TE20, 21, 22), 안면신경측두지(TE22, 23), 관골측두신경(TE23), 중층에 견갑상신경(TE15), 견갑배신경(TE15), 경상설골근신경(TE17), 후이개신경(TE18, 19, 20), 안면신경측두지(TE20, 21, 22), 심층에 후골간신경(TE5, 6, 7), 요골신경심지(TE8, 9, 12, 13), 견갑상신경(TE14), 액와신경가지(TE14), 부신경(TE16), 안면신경과 부신경가지(TE17), 설인신경(TE17), 설하신경(TE17), 경신경고리(TE17), 미주신경(TE17), 안면신경 (TE18). 3) 혈(血) 관(管) : 천층에 척측정맥배측지(TE1, 2), 고유수장지동맥배측지(TE1), 배측중수골동맥배측지(TE2), 배측중수골정맥(TE3), 척측피정맥(TE4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11), 배측정맥궁(TE4), 부요측피정맥(TE6, 8, 9),요측피정맥(TE10, 11), 후견봉정맥가지(TE13, 14), 후이개동 ${\cdot}$ 정맥(TE16, 17, 18, 19, 20), 전이개동 ${\cdot}$ 정맥(TE20), 천측두동 ${\cdot}$ 정맥(TE22, 23), 중층에 후상완회선동맥(TE14), 견갑배동맥(TE15), 견갑상동맥(TE15),천측두동 ${\cdot}$ 정맥(TE21), 관골측두동 ${\cdot}$ 정맥(TE23), 심층에 배측중수골동맥(TE3), 배측수근동맥궁(TE4), 후골간동맥(TE4, 5, 6, 7, 8, 9), 전골간동맥(TE6, 7, 9)

• 한국재료학회지
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• 제8권6호
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• pp.493-498
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• 1998

인쇄 및 소결법으로 제조한 Te-rich CdTe 소스를 근접 승화시켜 CdTe막을 Cd 기판 위에 증착하였다. 기판온도, 태양전지의 유효면적, 그리고 CdTD막과 ITO막의 두께를 변화시켜 CdTe 박막제조한 후 CdS/CdTe 태양전지의 광전압 특성을 연구하였다. 최적기판온도와 CdTe 두께는 각각 $600^{\circ}C$와 5-6${\mu}m$이다. 근접승화 동안 기판온도를 변화시키는 경우는 Cds와 접합부에 CdTe의 입자크기를 증가시키기 위하여 CdTe 증착초기에 기판온도를 62$0^{\circ}C$로 유지한 후, 이로 인해 발생될수 있는 핀홀을 줄이기 위하여 $540^{\circ}C$로 낮게 기판의 온도를 떨어뜨린후 기존의 막질을 유지하기 위하여 추가적으로 $620^{\circ}C$에서 어닐링 시키는 "two-wave"온도 곡선을 사용하였을 때 단락전류밀도가 증가하였다. CdTe 막의 두께가 $6\mu\textrm{m}$보다 커지면 CdTe 의 벌크 저항이 커져 태양전지의 피라미터를 감소시켰다. 이때 CdTe 막의 비저항은 3$\times$$10^{4}$$\Omega$cm이었다. 태양전지의 유효면적이 증가함에 따라, 개방 전압은 일정하나 ITO면저항의 증가에 의해 단락 전류밀도와 충실도가 감소하였다. 본 연구에 ITO의 최적 두께는 300-450nm 이었다. 유효면적 0.5$\textrm{cm}^2$에서 9.4%의 효율을 얻을수 있었으며 충실도와 효율 증가를 위해서는 직결저항의 감소가 필수적임을 알았다.

• Journal of Plant Biotechnology
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• 제33권1호
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• pp.65-73
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• 2006

옥수수 유식물 줄기에서 중요 BRs의 함량조절 기작을 옥수수 유식물 줄기로부터 얻어진 효소원을 이용하여 조사하였다. 먼저 활성형 BR인 CS의 대사를 [$^2H_0$]-와[$^2H_6$]-CS를 기질로 사용하여 실험한 결과 [$^2H_0$]- 와 [$^2H_6$]-CS는 각각 [$^2H_0$]-26-norCS와 [$^2H_3$]-28-norCS로 전환됨을 GC-MS 분석을 통해 확인하였으며, 이러한 두 가지의 대사과정 중 C-26 탈메틸 반응에 의한 CS에서 26-norCS로의 전환만이 생체 내에서 일어나는 반응임을 확인하였다. 이와 함께 주요 생합성 전구물질인 6-deoxoTE와 6-deoxoTY에 대해서도 같은 효소원을 이용하여 C-26 탈메틸 반응에 의한 대사를 조사한 결과 6-deoxoTE는 6-deoxo-3-dehydroTE와 6-deoxoTY로, 6-deoxoTY는 6-deoxo-3-dehydroTE와 6-deoxoTE로 전환됨을 확인함과 동시에, 6-deoxoTE는 6-deoxo-26-norTE 로, 6-deoxo-3-DHT는 3-dehydro-6-deoxo-26-norTE, 6-deoxoTY는 6-deoxo-26-norTY로 전환됨을 확인하였다. 이러한 결과들은 옥수수 유식물 줄기에서 중요 BRs가 모두 C-26 탈메틸 반응이 일어날 수 있음을 나타내는 결과로서 BRs의 C-26 탈메틸 반응이 활성형 BR뿐만 아니라 그 생합성 전구물질에도 중요한 함량조절 기작임을 확인 할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.342-343
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• 2005

In this study,. the microwave dielectric properties of the $0.6TiTe_3O_8-0.4CaWO_4$ ceramics with sintering temperature were investigated for LTCC application. According to the X-ray diffraction patterns, the $0.6TiTe_3O_8-0.4CaWO_4$ ceramics had columbite structure of the $TiTe_3O_8$ phase and scheelite structure of the $CaWO_4$ phase. Increasing the sintering temperature, the bulk density, the dielectric constant and the quality factor of the $0.6TiTe_3O_8-0.4CaWO_4$ ceramics were increased. In the case of the $0.6TiTe_3O_8-0.4CaWO_4$ ceramics sintered at $810^{\circ}C$, the bulk density, the dielectric constant and the quality factor were 5.72$g/cm^2$, 33.6, 22,013GHz respectively.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제18권10호
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• pp.1105-1108
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• 1997

The new amorphous intermetallic compounds, M3(AsTe3)2: M=Cr, Co, Fe, were synthesized by the precipitation reaction of the Zintl anion AsTe33- with the divalent transition metal halides in aqueous solution and analyzed by EDS equipped with SEM and PIXE. The empirical formula of the specimens was found to be Fe3.0As1.8Te5.9, Co3.0As2.1Te6.5, and Cr3.0As2.0Te6.9 by the quantitative elemental analysis. The dc specific resistivity of the materials was measured as a function of temperature in the range from 20 to 300 K, in which their resistivity of Cr3(AsTe3)2 was largely dependent on temperature, while those of Co3(AsTe3)2 and Fe3(AsTe3)2 were only slightly dependent on temperature. To characterize the spin glass state of the specimens, the ac and dc magnetic susceptibility were measured and it was found that Co3(AsTe3)2 and Fe3(AsTe3)2 undergo a transition to a spin glass state at 6 K and 38 K, respectively. Magnetization data are reported as both thermal remanent magnetization (TRM) and isothermal remanent magnetization (IRM) as a function of magnetizing field and temperature.

• 전자공학회논문지
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• 제52권9호
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• pp.117-124
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• 2015

본 논문에서는 조영증강 MRI 검사 시 T1 effect를 만들기 위한 물리적 매개변수 중 대표적인 TR과 TE가 가돌리늄과 결합한 $H_1$ 스핀의 신호강도에 어떤 영향을 미치는지를 정량적으로 평가 분석하고자 하였다. 이를 위해 MR 가돌리늄 조영제인 0.5 mol Gadoteridol로 제작된 MR팬텀을 이용하여 1.5T MRI 장비에서 FSE(Fast Spin Echo)시퀀스로 실험하였다. 이때 FSE 매개변수 중 TR과 TE의 값들을 서로 달리하였다. 이 때 TR 수치는 각각 200, 250, 300, 350, 400, 450, 500, 550, 600 msec, TE는 6.2, 12.4, 18.6, 21.6 msec로 임상적인 T1 effect를 구현하는데 있어 매개변수 값이 물리적으로 벗어나지 않는 범위 내에서 설정하였고, TR, TE가 서로 교차되어 실험되었다. 획득된 영상 데이터를 통해 신호강도 변화를 측정 한 후 이를 분석하였다. 이 때 조영증강 반응시작 지점인 RSP(Reaction Starting Point)는 TR과는 무관하게 TE 6.2 msec에서 100 mmol, TE 12.4 msec에서 50 mmol, TE 18.6 msec에서 40mmol, TE 21.6 msec에서 30 mmol을 나타내었다. 최대 신호강도인 MPSI(Max Peak Signal Intensity)는 TR 200 msec에서는 TE모두 4mmol에서 형성되었고, TR 250에서 600 msec까지는 모두 4, 2, 1, 0.8, 0.6 mmol의 저 농도 영역으로 피크치가 지연되었다. 반응면적인 RA(Reaction Area)는 TR 200-600 msec에서 각각 21183.2, 21536.6, 21875.9, 22114.3, 22419.1, 22895.8, 23208.6, 23189.1, 23210.4 [a.u]로 TE 6.2 msec일 때 가장 수치가 높았다. 본 연구를 통하여 가돌리늄 조영증강 정도는 MR매개변수에 의해 조정 가능하다는 것을 알 수 있었고, 이는 실제 임상에서의 T1 조영증강 검사에 있어서 본 연구의 정량적 데이터를 통하여 진단학적으로 효율적인 TR, TE 매개변수 값으로 활용할 수 있을 것으로 사료된다.

• 센서학회지
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• 제12권6호
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• pp.282-288
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• 2003

MBE 방법으로 Si 기판위에 성장된 CdTe(211) 박막위에 MOVPE 법으로 HgCdTe 박막을 성장하였다. 성장된 박막의 표면은 hillock 등의 결함이 없는 매우 균일한 형상을 보였다. HgCdTe 박막표면의 EPD(etch pit density) 및 (422) 결정면의 이중 결정 x-선 회절 피크의 반치폭으로 본 결정성은 GaAs 기판위에 성장된 HgCdTe 박막에 비하여 우수하였다. GaAs 기판 위에 MOVPE 법으로 성장된 HgCdTe는 기판처리 과정에서 유입된 p-형 불순물로 인해 p-형 전도성을 나타내었으나 (211)CdTe 기판 위에 성장된 박막은 77K에서 $8{\times}10^{14}/cm^3$의 운반자 농도를 갖는 n-형 전도성을 보였다. 본 연구의 결과는 최근 요구되고 있는 $1024{\times}1024$급 이상의 화소를 갖는 대면적 HgCdTe 적외선 소자 제작에 널리 적용될 것으로 판단된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 추계학술대회 논문집
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• pp.49-54
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• 1992

Devices of ITO/CdS/CdTe/Te/Al were prepared by Electron-Beam deposition under a vacuum of $7{\times}10^{-6}$[torr]. Optical, Electrical, Structural and Photovoltaic properties of thin film CdS/CdTe at substrate. temperature 300~500[$^{\circ}C$] were also investigated, The structure of CdTe films deposited was of the zincblende type a preferential orientation of the (111) plane parallel to the substrate, the CdTe dark resistivity was about $10^6[{\Omega}cm]$. The conversion, efficiency of the cell increased with increasing substrate temperature. The best-fabricated Cell was a conversion efficiency of 9.1[%].

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.62-65
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• 1995

CdTe crystals were grown by the vertical Bridgman method. P-type DcTe crystals were grown with Cd:Te= 1:1.001 wt. % ratio, while n-type CdTe crystals were 1:1 Also, CdTe:In crystals were investigated, Lattic constants were 6.489${\AA}$ for p-type 6.480${\AA}$for n=type and 6.483${\AA}$ for CdTe:In EPD was 10$\^$-3/-10$\^$4/cm$\^$-2/ for n-, p-type CdTd, 10$\^$4/-10$\^$5/cm$\^$-2 for Cd:Te:In using by E-Ag solution for (111) plane The carrier concentration, the resistivity and the Hall carrier mobility measured by the van der Pauw method were p=5.78${\times}$10$\^$15/cm$\^$-3/, $\rho$=20.2$\Omega$cm, ${\mu}$$\sub$p/=75.6cm$\^$-2/ V$\^$-1/ sec$\^$-1/ for p-typem n=2.98${\times}$10$\^$16/cm$\^$-3/, $\rho$=0.214$\Omega$cm, ${\mu}$$\sub$p/=978.9cm$\^$-2/ V$\^$-1/ sec$\^$-1/ for n-type and n=7.45${\times}$10$\^$16/cm$\^$-3/, $\rho$=1.54 ${\times}$10$\^$3/$\Omega$cm, ${\mu}$$\sub$p/=658.4 cm$\^$-2/ V$\^$-1/ sec$\^$-1/ for CdTe:In crystals, Transmittance of p-type CdTe was 61% that of n-type was 65%, Cd:Te:In showed 60% IR transmittance.