급속응고법으로 제작된 비정질 $Fe_{85-x}Co_{x}Zr_{7}B_{7}Cu_{1}$ 합금의 열처리에 따른 구조 및 자기특성이 조사되었다. 비정질 $Fe_{85-x}Co_{x}Zr_{7}B_{7}Cu_{1}$ 합금은 $600^{\circ}C$이하의 열처리온도에서 약 10 nm의 초미세결정립이 형성된다. $600^{\circ}C$이상의 열처리 조건에서는 결정립크기가 급격히 증가하여 자기특성을 열화시킨다. $Fe_{85-x}Co_{x}Zr_{7}B_{7}Cu_{1}$ 합금의 최적열처리온도는 Fe-Zr-B초미세결정립합금에 비하여 낮으며, 결정립크기 또한 감소한다. 이는 Cu의 첨가에 기인하는 것으로 판단된다. 최적열처리조건에서 $Fe_{80}Co_{5}Zr_{7}B_{7}Cu_{1}$ 초미세결정립합금의 포화자화 및 f=50 kHz, $B_{m}=0.2\;T$에서 측정한 투자율 및 철손은 각각 157.3 emu/g(1.5 T), $1.8{\times}10^{4}$ 및 13 W/kg으로 자기특성이 가장 우수하다.
Hardness and damping characteristics of fine discontinuous precipitates (DPs) microstructure generated by low temperature long term isothermal aging were investigated in comparison with those of T6 heat-treated microstructure composed of DPs and continuous precipitates (CPs) in Mg-9%Al alloy. In this study, T6 and fine DPs microstructures were obtained by isothermal aging at 453 K for 24 h and at 413 K for 336 h, respectively, after solution treatment at 693 K for 24 h. The DPs microstructure exhibited higher hardness than the T6 microstructure, which is related to the lower (α + β) interlamellar spacing of the DPs. The DPs microstructure possessed better damping capacity than the T6 microstructure in the strain-amplitude independent region, whereas in the strain-amplitude dependent region, the reverse behavior was observed. The damping tendencies depending on strain-amplitude were discussed based on the microstructural features of the T6 and DPs microstructures.
Fe thin films exhibited (100) preferential orientation when they were deposited at low deposition rate of $0.1{\AA}/s$ on glass substrates by using facing target sputtering system. The (100) oriented Fe layer induces (100) orientation of Pt layer deposited on it owing to hetero-epitaxial growth. After annealing at $600^{\circ}C$ in $H_2$ atmosphere, FePt films exhibited f.c.t. (001) texture in the whole film caused by inter-diffusion between atoms. We have also confirmed that the homogeneously inter-diffused compositional modulation in the film after the annealing process. Furthermore, annealing process in $Ar+H_2$ atmosphere at $400^{\circ}C$ during Pt deposition was effective for attaining Pt (100) texture. The annealing process during Pt deposition also induced in low annealing temperature and decreased annealing time for attaining the FePt f.c.t. (001) structure.
The effects of thermomechanical treatments on microstructure and fatigue properties of 7050 Al alloy were investigated. The precipitation kinetics changed to a faster rate due to cold deformation employed in this special TAHA thermomechanical treatments including pre-aging, plastic deformation and two step final-aging. The G.P. zones in the under-aged condition were cut by dislocations and dissolved during the plastic deformation. During the low cycle fatigue, the T6' condition showed cyclic hardening behavior whereas the TMT5, TMT27 and T76 conditions showed cyclic softening at above 0.7% total strain amplitudes. The ${\Delta}K_{th}$ value of TMT27 was improved more than two times, compared with that of T76 condition. The T6' with small shearable precipitates resulted in the markedly high ${\Delta}K_{th}$ value. This is thought to be resulted from dislocation reversibility and roughness-induced crack closure due to planarity of slip.
Annealing effects on the permeability aftereffect(disaccommodation) of liquid quenched single strip $Fe_{73.5}Cu_1Nb_3Si_{16}B_{6.5}$ alloys were investigated with pulse method. The initial susceptibility X, $B_{10},$ (the flux density at 10 Oe) and disaccommodation intensity D (D = [X(1 s)-X(64 s)]/X(1 s), where X(1 s) and X(64 s) are the susceptibility of 1 and 64 s of rest time after A. C. demagnetization) were about 800, 0.8 T and 16 %, respectively. The soft magnetic properties were improved with isothermal annealing for 1 hour at $300{\sim}600^{\circ}C.$ X, $B_{10},$ and D at $570^{\circ}C$ of optimum annealing temperature were 15000, 1.2 T and 1.1 %, respectively. The origin of the change of characteristics were examined with fine crystalline structure and magnetostriction.
Kim, Ji-Won;Jo, Soon-Chul;Kim, Sang-Yoon;Ko, Hoon;Lee, Chang-Woo
Journal of the Korean Magnetics Society
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v.16
no.5
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pp.240-244
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2006
In this paper, magnetic properties and annealing behavior of spin valve structures using Mo(MoN) layers as underlayers were studied varying the thickness of the underlayers. The spin valve structure was consisted of Si substrate/$SiO_2(2,000{\AA})/Mo(MoN)(t{\AA})/NiFe(21\;{\AA})/CoFe(28\;{\AA})/Cu(22\;{\AA})/CoFe(18\;{\AA})/IrMn(65\;{\AA})/Ta(25\;{\AA})$. Also, MoN films were deposited on Si substrates and their thermal annealing behavior was analyzed. The resistivity of the MoN film increased as the $N_2$ gas flow rate was increased. After annealing at $600^{\circ}C$, XRD results did not show peaks of silicides. XPS results indicated MoN film deposited with 5 sccm of $N_2$ gas flow rate was more stable than the film deposited with 1 sccm of $N_2$ gas flow rate. The variations of MR ratio and magnetic exchange coupling fold were small for the spin valve structures using Mo(MoN) underlayers up to thickness of45 ${\AA}$. MR ratio of spin valves using MoN underlayers deposited with various $N_2$ gas flow rate was about 7.0% at RT and increased to about 7.5% after annealing at $220^{\circ}C$. Upon annealing at $300^{\circ}C$, the MR ratio decreased to about 3.5%. Variation of $N_2$ gas flow rate up to 5 sccm did not change the MR ratio and $H_{ex}$ appreciably.
The static creep mechanism and behaviour of Al-Zn-Mg alloy have been investigated under condition of constant stress tension creep test in the temperature and stress range of $170-260^{\circ}C$ and 5-12.5 $kg/mm^2$ respectively. The experimental result are follows : The stress exponent value for creep was observed to about 7.3-6.43 and the activation energy for creep deformation was 44-41 kcal/mol. Larson-Miller parameter P for the crept specimens under the creep condition was obtained as P = (T + 460) (log $t_r$ + 8.6). Emperical equation for the creep rate was obtained by the computer simulation as follows. $${\varepsilon}\;=\;\exp[(-5.519{\times}10^{-4}{\sigma}+2.33{\times}10^{-2})T-6.98{\sigma}+18.295]{\times}{\sigma}^{-0.0142+10.18}\exp[\frac{(-6{\sigma}+47.8)1000}{RT}]$$ Fracture was dominated by intergranular mechanism over the experimental range.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.11
no.6
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pp.486-492
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1998
The amorphous Co-based magnetic films have a large saturation flux density, a low coercive force, and a zero magnetostriction constant. Therefore, they have been studied for application to magnetic recoding heads and micro magnetic devices. However, it was found that the magnetic anisotropy was changed for each film fabrication processes. In this study, we investigated how to control the anisotropy of sputtered amorphous $Co_{89}Nb{8.5}Zr{2.5}$ films. After deposition, the rotational field annealing ant the uniaxial field annealing were performed under the magnetic field of 1.5 kOe. the annealing was done at the temperature range from 400 to $600^{\circ}C$ for one hour. As-deposited amorphous $Co_{89}Nb{8.5}Zr{2.5}$ thin film had saturation magnetization ($4\piM_5$) of 0.8 T, coercive force($_IH_C$) of 1.5 Oe, and anisotropy field($H_k$) of 11 Oe. The amorphous $Co_{89}Nb{8.5}Zr{2.5}$ thin films annealed by rotational field annealing at $500^{\circ}C$ for one hour was found to be isotropy, and $4\piM_5$ of 0.9 T was obtained from these films, Also, the magnetic anisotropy of as-deposited films could be controlled by uniaxial field annealing at $400^{\circ}C$ for one hour. Anisotropy field($H_k$) of 17 Oe and $4\piM_5$ of 1.0 T were obtained by this method.
In this paper, the magnetic properties and the annealing behavior of spin valve structures with Mo(MoN) underlayers were studied for various underlayer thickness. The spin valve structure was Si substrate/Mo(MoN)$(t{\AA})/NiFe(21{\AA})/CoFe(28{\AA})/Cu(22{\AA})/CoFe(18{\AA})/IrMn(65{\AA})/Ta(25 {\AA})$. Mo and MoN films were deposited on Si substrates and their thermal annealing behavior was analyzed. The deposition rate of the MoN thin film was decreased and tile resistivity of the MoN thin films were increased as the $N_2$ gas flow was increased. The variations of MR ratio and magnetic exchange coupling field of spin valve structure were smaller with MoN underlayers than that with Mo underlayers up to thickness of $51{\AA}$. MR ratio of spin valves with Mo underlayers was 2.86% at room temperature and increased up to 2.91 % after annealing at $200^{\circ}C$. Upon annealing at $300^{\circ}C$, the MR ratio decreased about 2.16%. The MR ratio of spin valves structure with MoN underlayers for $N_2$ gas flow 1 sccm was 5.27% at room temperature and increased up to 5.56% after annealing at $200^{\circ}C$. Upon annealing at $300^{\circ}C$, the MR ratio decreased about 4.9%.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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