• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2003년도 High Temperature Superconductivity Vol.XIII
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• pp.42-42
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• 2003

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 1991년도 추계종합학술발표회논문집
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• pp.137-140
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• 1991

The TDX-10 Time Switch architecture has modularity, high reliability and considerable large switch fabric having separated and both-way 1K time slot interchange switching circuit elements. In this paper, we present key functions, architecture, features and traffic characteristic of TDX-10 Time Switch. And we also describe some basic implementation technologies such as Frame Base Read-Write Separation Method, Multi-Write Method and Read-Write Separation Technique with Dual-port Memory.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.364-371
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• 2007

본 논문에서는 와이브로 기지국 시스템을 위한 고전력 PIN 다이오드 스위치와 고속 스위치 구동회로에 대한 설계와 측정 결과를 제공한다. 일반적인 전력용 팩키지 다이오드의 기생 인덕턴스에 의한 격리도 열화를 막고 다이오드 스위치의 전력 능력을 향상시키기 위해 칩 형태의 다이오드를 사용하였으며, 본딩 와이어에 의한 직렬 인덕턴스는 전송선로의 임피던스에 쉽게 흡수될 수 있도록 회로를 구성하였다. 구현된 스위치 모듈은 사용된 다이오드의 개수를 최대한 줄이면서 최대의 성능을 얻을 수 있도록 설계되었으며 2.35 GHz에서 써큘레이터의 손실을 포함하여 약 0.84 dB의 삽입 손실과 80 dB 이상의 격리도 특성을 보였다. 또한 TTL 신호를 통한 스위치 모듈의 제어를 위해 스위치 구동회로를 설계, 제작하였으며 스위칭 속도는 200 nsec로 측정되었다. 스위치 모듈은 디지털 변조된 고전력 신호에 의해 전력능력이 시험되었으며 70 W의 전력이 인가되는 경우에도 정상적으로 동작하는 특성을 보여주었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 추계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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• pp.235-238
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• 2003

This paper presents an ZVT(Zero Voltage Transition) Forward Converter using Primary Auxiliary Circuit operation. An auxiliary resonant circuit was added to the basic forward converter, implementing the fVT technique for the main switch. The switch employed by the auxiliary circuit operates under Zero-Current-Switching(ZCS) condition. The complete operating principle, simulation and experimental results are presented

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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• pp.320-323
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• 2001

A ZVZCS(Zero-Voltage and Zero-Current-Switching) Three Level DC/DC Converter is presented to secondary auxiliary circuit. The converter presented in this paper used a phase shift control with a flying capacitor in the primary side to achieve ZVS for the outer switch. A secondary auxiliary circuit, which consists of one small capacitor and two small diode, is added in the secondary to provides ZVZCS conditions to primary switches, and aids to clamp secondary rectifier voltage. The auxiliary circuit Includes neither lossy component nor addition active switch, which makes the proposed converter efficient and effective. The principle of operation, feature, and design considerations are illustrated and verified through the experiment with a 500W 50kHz prototype converter.

• Journal of Power Electronics
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• 제2권2호
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• pp.139-145
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• 2002

Because conventional switching converters have been usually using unbalanced circuit topologies, parasitice between the drain/collertor of an active switch and frame ground through its heat sink may generate the commom-mode conducted noise. We have proposed a balanced switching converter circuit, whitch is an effective way to reduce the commom-mode converter version of the balanced switching converter was presented and the mechanism of the commom-mode noise reduction was explained using equivalent circuits. This paper extends the concept of the balanced switch converter circuit and presents a buck-boost converter version of the blanced switching converter. The feature of common-mode niose reduction is confirmed by experimental resuits and the mechanisem of the commom-mode niose reduction is explained using equivalent circuits.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권9호
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• pp.667-670
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• 2010

In this paper, a high voltage current sensing circuit for boost converter is designed and verified by Cadence SPECTRE simulations. The current mirror pair, power and sensing metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) with size ratio of K, is used in our on-chip current sensing circuit. Very low drain voltages of the current mirror pair should be matched to give accurate current sensing, so a folded-cascode opamp with a PMOS input pair is used in our design. A high voltage high side lateral-diffused MOS transistor (LDMOST) switch is used between the current sensing circuit and power MOSFET to protect the current sensing circuit from the high output voltage. Simulation results using 0.35 ${\mu}m$ BCD process show that current sensing is accurate and the pulse frequency modulation (PFM) boost converter using the proposed current sensing circuit satisfies with the specifications.

• 대한전기학회논문지:전력기술부문A
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• 제54권6호
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• pp.284-292
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• 2005

Because all of the short-circuit testing laboratories have the limitation of test facilities, the synthetic making test methods have been used to estimate the short-circuit making performance of the ultra high-voltage circuit breaker as the alternative to direct test methods. So, KERI(Korea Eelctrotechnology Research institute) has completed the construction of the synthetic making test facilities using the low capacity step-up transformer method which fulfill the requirements specified in newly revised IEC 62271-100 Edition 1.1(2003) and have the testing capability up to 550kV, 63kA full-pole circuit breaker. The test facilities using the low capacity step-up transformer method presented in this paper are made up of the unit equipments such as HCS(High-speed Closing Switch), ITMC(Initial Transient Making Current) circuit and UP TR(low capacity step-up transformer) and have the operating range of 17.6$^{\circ}$ $\~$ 145.1$^{\circ}$ for testing the circuit breaker rated on up to 50kA and 43.1$^{\circ}$ $\~$ 119.6$^{\circ}$ for more than 50kA.

• 전력전자학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.543-550
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• 2006

AC Plasma display panel(AC-PDP) 구동을 위한 Six-switch를 적용한 Three-level PDP Sustain 회로를 제안한다. 제안 회로는 기존 회로의 Sustain 스위치와 Clamp 다이오드의 내압이 절반이 되어 특성이 우수한 반도체 소자의 채택이 가능하며, 높은 전력 효율을 가지는 장점을 가지므로 AC-PDP 구동 회로 설계에 매우 적합하다. 본 논문에서는 기존 회로와 제안 회로의 비교 분석 및 시뮬레이션과 실험 결과를 보인다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권2호
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• pp.105-109
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• 2005

본 논문은 LTCC 공정에 기반을 둔 GSM/DCS dual band 의 소형화된 antenna switch module을 공정변수 따른 특성의 왜곡을 안정화시키는 연구를 수행하였다. 특히 tape thickness의 변화에 따라 패턴간의 기생 커플링이 주된 변수로 작용한다. 두께 50um인 tape으로 제작된 시편의 사이즈는 $4.5{\times}3.2{\times}0.8 mm^3$이고 insertion loss는 Rx mode와 Tx mode 각각 ldB. 1.2dB 이하이다. 공정상에서 tape thickness의 변화에 따라 개발된 모듈의 특성 안정성을 검증하기 위해 각 블록-다이플렉서,필터, 바이어스 회로-을 probing method을 이용, 측정하였고, 각 블록간의 상호관계는 VSWR을 계산하여 비교하였다. 또한 회로적 관점에서 특성 개선을 위해 바이어스 회로부분의 집중소자형과 분포소자형을 구현하여 서로 비교 분석하였다. 이를 통해 각 블록의 측정과 계산된 VSWR의 데이터는 공정변수에 의해 변화된 전체 module의 특성과 안정성 거동을 파악하는데 좋은 정보를 준다. Tape thickness변화에도 불구하고 다이플렉스의 matching값은 연결되는 바이어스 회로와 LPF의 matching값과 상대 matching이 되면서, 낮은 VSWR을 유지하여 전체 insertion loss가 안정화되는 것을 확인하였다. 더불어 분포소자형 바이어스 회로보다는 집중소자형이 다른 회로블럭과의 관계에서 더 좋은 매칭을 이루어 loss개선에 일조하였다. Tape thickness가 6 um이상의 변화를 가져와도 집중소자형 바이어스 회로는 낮은 손실을 유지하여 더 넓은 안정 범위를 가져오기 때문에 양산에 적합한 구조가 될 수 있다 그리고, probing method에 의한 안정성 특성 추출은 세라믹에 임베디드된 수동회로들의 개발에 충분히 적용될 수 있다.