We fabricated organic-inorganic superlattice films using molecular layer deposition (MLD) and atomic layer deposition (ALD). The MLD is a gas phase process in the vacuum like to atomic layer deposition (ALD) and also relies on a self-terminating surface reaction of organic precursor which results in the formation of a monolayer in each sequence. In the MLD process, 'Alucone' is very famous organic thin film fabricated using MLD. Alucone layers were grown by repeated sequential surface reactions of trimethylaluminum and ethylene glycol at substrate temperature of $80^{\circ}C$. In addition, we developed UV-assisted $Al_2O_3$ with gas diffusion barrier property better than typical $Al_2O_3$. The UV light was very effective to obtain defect-free, high quality $Al_2O_3$ thin film which is determined by water vapor transmission rate (WVTR). Ellipsometry analysis showed a self-limiting surface reaction process and linear growth of each organic, inorganic film. Composition of the organic films was confirmed by infrared (IR) spectroscopy. Ultra-violet (UV) spectroscopy was employed to measure transparency of the organic-inorganic superlattice films. WVTR is calculated by Ca test. Organic-inorganic superlattice films using UV-assisted $Al_2O_3$ and alucone have possible use in gas diffusion barrier for OLED.
The effect of the amount of $SiO_2$dopant on the behavior of $AlO_2$$O_3$-composite formation by melt oxdation of Al-alloy was examined in this paper. The $SiO_2$powder was spread on the top surface of the Al-1Mg-3-Si-5Zn-1Cu alloy in th alumina crucible. The selected amount of each powder was 0.03, 0.10, 0.16g/$\textrm{cm}^2$. The oxidation behavior was determined by observing the weight gain after the heat treatment for 10 hours at 1373K. The macroscopic structure of formed oxide layer was examined by an optical microscope. The top surface and the cross-section of the grown oxide layer were investigated by SEM and analysed by EDX. The $SiO_2$ powder was determined to enhance oxidation by thermit reaction with Al which reduced the growth incubation period of the oxidation layer. As the amount of the $SiO_2$dopant increased, the growth rate decreased due to the precipitated Si which blocked the Al-alloy channel in the composite materials. However, more uniform layer was obtained due to the occurrance of the enhanced oxidation reaction in the whole alloy surface compared to the case of addition of less amount of dopant.
The effects of silicon on galvannealing behavior of interstitial-free (IF) steels were studied. The growth rate of the Fe-Zn alloy layer was retarded as silicon in the steel added. Titanium in steel strongly favors Fe-Zn reaction, in particular outburst structures, whereas silicon inhibit them. Cross-sectional and planar views of galvannealed coatings were investigated to characterize alloy phase development. A possible mechanism to explain the retardation effect of silicon is discussed in terms of concentration on surface and inhibition layer.
흑연 기판에 탄화규소 전환층을 형성하는데 있어서 기판의 밀도와 기공 크기 분포의 영향이 조사되었다. 전환층형성을 위한 화학 반응은 기판의 표면 또는 표면 하부에서 SiO 기체의 침투를 통해 이루어졌다. 전환 공정 동안 기판 표면에서의 충분한 양의 SiO 기체 침투 및 연속적인 화학반응에 요구되는 기공크기 분포는 1.0~10.0$\mu\textrm{m}$ 범위인 것으로 추정되엇다. 유한요소법에 의한 탄화규소 층의 응력 해석에서는 열적 불일치에 기인하는 잔류응력 분포를 나타냈다. 그러나. X-선 회절에 의해 탄화규소 층에서는 압축응력이 측정되었으며, 탄화규소 층에서의 잔류응력 분포에 대해 SiC 층과 흑연 기판간의 interlayer의 constraining 효과, 전환층의 치밀화 거동 및 입자성장에 의해 주로 영향받는 것으로 추정되었다.
Kim, Dong-Wun;Kim, Kwang-Dae;Seo, Hyun-Ook;Dey, Nilay Kumar;Kim, Myoung-Joo;Kim, Young-Dok;Lim, Dong-Chan;Lee, Kyu-Hwan
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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pp.443-443
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2011
Atomic layer deposition (ALD) was used to deposit $TiO_2$ on Ni particles, and changes in the catalytic activity of Ni for $CO_2$ reforming of methane (CRM) were studied. In the presence of $TiO_2$ islands on Ni surfaces, the onset temperature of the CRM reaction was lower than that of bare Ni. During the CRM reaction, carbon was deposited on the surface, reducing the catalytic activity of the surface, but $TiO_2$ was able to remove the carbon deposits from the surface. When the Ni surface was completely covered with $TiO_2$, catalytic activity disappeared, indicating that tuning of $TiO_2$ coverage on Ni is important for maximizing the activity of the CRM reaction.
The adsorption of Cs-137 and Sr-90 onto kaolinite in prescence of major groundwater cations (Ca2+, K+, Na+) with different concentrations was simulated by using triple-layer surface complexation model (TL-SCM). The site density (8.73 sites/nm2) of kaolinite used for TL-SCM was calculated from it's CEC and specific surface area. TL-SCM modeling results indicate that concentrations dependence on 137Cs and 90Sr adsorption onto kaolinite as a function of pH is best modeled as an outer-sphere surface reaction. This suggests that Cs+ and Sr2+ are adsorbed at the $\beta$-layer in kaolinite-water interface where the electrolytes, Nacl, KCl and CaCl2, bind. However, TL-SCM results on Sr adsorption show a discrepancy between batch data and fitting data in alkaline condition. This may be due to precipitation of SrCO3 and complexation such as SrOH+. Intrinsic reaction constants of ions obtained from model fit are as follows: Kintcs=10-2.10, KintSr=10-2.30, KintK=10-2.80, KintCa=10-3.10 and KintNa=10-3.32. The results are in the agreement with competition order among groundwater ions (K+>Ca2+>Na+) and sorption reference of nuclides (Cs-137>Sr-90) at kaolinite-water interface showed in batch test.
The objective of the present study is to investigate the increase in the functional characteristics of a substrate by the formation of a thin coating layer. Thin coating layers of $Ti_5Si_3$ have high potential because $Ti_5Si_3$ exhibits high hardness. Shock induced reaction synthesis is an attractive fabrication technique to synthesize uniform coating layer by controlling the shock wave. Ti and Si powders to form $Ti_5Si_3$ using shock induced reaction synthesis, were mixed using high-energy ball mill into small scale. The positive effect of this technique is highly functional coating layer on the substrate due to ultra fine substructure, which improves the bonding strength. These materials are in great demand as heat resisting, structural and corrosion resistant materials. Thin $Ti_5Si_3$ coating layer was successfully recovered and showed high Vickers' hardness (Hv=1183). Characterization studies on microstructure revealed a fairly uniform distribution of powders with good interfacial integrity between the powders and the substrate.
Gas diffusion and electrolyte penetration in wetproofed gas diffusion electrodes were studied using layers of PTFE- bonded carbon. Minor variations in fabrication and testing procedures resulted in very large variations in catalyst layer wetting characteristics and permiability for reaction gas. By controlling the pore size of gas diffusion electrode carefully by varing the PTFE contents, baking temperature, baking time and ammonium bicarbonate as additive, the primary pore was decreased and the secondary pore was increased and so more reaction gas through the primary pore could be reacted at catalyst agglomertes in the secondary pore. And the cathode current density was increased to more than 400mA.$\textrm{cm}^2$ and Tafel slope value was decreased to lower than 110mA/decade.
The initiation and growth of $\alpha$-Al2O3/metal composites by the directed oxidation of molten commercial AlZnMg-alloy at 1223-1423K were investigated. Spontaneous bulk growth did not occur on the alloy alone. but the uniform initiation and growth of the composite were obtained by putting a thin layer of SiO2 particles on the surface of the alloy. Without SiO2 the external surface of the oxide layer was convered by MgO and MgAl2O4. But with the SiO2 reaction initiate the porous ZnO layers were found on the growth surface. The higher process temperature yielded a lower metal content. The oxidation product of $\alpha$-Al2O3 was found to be oriented with c-axis parallel to th growth direction. The growth rates increased with temperature and the apparent activation energy was 111.8 kJ/mol.
Effect of iron and manganese contents on die soldering reaction has been studied in Al-9wt.%Si-0.3wt.%Mg alloy. Ternary ${\alpha}_{hcp}-Al_8Fe_2Si$ and ${\alpha}_{bcc}-Al_8Fe_2Si$ intermetallic compounds formed by interaction diffusion between Al-Si-Mg system alloy melt and SKD61 die steel surface. Thickness of soldering reaction layer in die steel surface decreased as Fe and Mn contents of the melts increased : When Fe content of Al-9wt.%Si-0.3wt.%Mg melts at constant 0.5wt%Mn content was 0.15wt.%, 0.45wt.% and 0.6wt.%, thickness of soldered layer of each alloy was $64.5{\mu}m,\;57.3{\mu}m$ and $46.9{\mu}m$ respectively. For Mn content of the alloy melts at constant 0.45wt.%Fe content was 0.30wt.%, 0.50wt.% and 0.70wt.%, thickness of soldered layer of each alloy was $66.1{\mu}m,\;57.3{\mu}m$ and $48.3{\mu}m$ respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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