Highly crystalline, uniform Fe nanoparticles were successfully synthesized and encapsulated in zirconia shell using sol-gel process. Two different approaches have been employed for the coating of Fe nanoparticle with zirconia. The thickness of zirconia shell can be readily controlled by altering molar ratio of Fe nanoparticle core to zirconia precursor in the first case where as reaction time was found to be most effective parameter to controlled the shell thickness in the second method. The structure and magnetic properties of the ZrO2-coated Fe nanoparticles were studied. TEM and HRTEM images show a typical core/shell structure in which spherical α-iron crystal sized of ~25 nm is surrounded by amorphous ZrO2 coating layer. TGA study showed an evidence of weight loss of less than 2% over the temperature range of 50-500 °C. The nanoparticles are basically in ferromagnetic state and their magnetic properties depend strongly on annealing temperature. The thermal treatment carried out in as-prepared sample resulted in reduction of coercivity and an increase in saturation magnetization. X-ray diffraction experiments on the samples after annealing at 400-600 °C indicate that the size of the Fe@ZrO2 particles is increased slightly with increasing annealing temperature, indicating the ZrO2 coating layer is effective to interrupt growing of iron particle according to heat treatment.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.4
no.1
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pp.15-20
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2003
NiCr alloys are prepared onto poly-Si/ $SiO_2$/Si substrates to replace Pt bottom electrode with a new one for integration of high dielectric constant materials. Alloys deposited at Ni and Cr power of 40 and 40 W showed optimum properties in the composition of N $i_{1.6}$C $r_{1.0}$. The grain size of films increases with increasing deposition temperature. The films deposited at 50$0^{\circ}C$ showed a severe agglomeration due to homogeneous nucleation. The NiCr alloys from the rms roughness and resistivity data showed a thermal stability independent of increasing annealing temperature. The 80 nm thick BST films deposited onto N $i_{1.6}$C $r_{1.0}$/poly-Si showed a dielectric constant of 280 and a dissipation factor of about 5 % at 100 kHz. The leakage current density of as-deposited BST films was about 5$\times$10$^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$ at an applied voltage of 1 V. The NiCr alloys are possible to replace Pt bottom electrode with new one to integrate f3r high dielectric constant materials.terials.
Park Yongju;Lee Woonyoung;Choi Yongkook;Lee Hyunkyu;Park Jinseong
Korean Journal of Materials Research
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v.14
no.12
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pp.840-845
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2004
Tin dioxide ($SnO_2$) thin films were prepared on Si(100) substrate by PE-ALD using the $DBDTA((CH_{3}CO_2)_{2}Sn[(CH_2)_{3}CH_3]_2)$ Precursor. The properties were studied as a function of source temperature, substrate temperature, and purging time. Scanning probe microscopic images at the source temperature $50^{\circ}C$ and the substrate temperature $300^{\circ}C$ shows lower roughness than those $40/60^{\circ}C$ source and $200/400^{\circ}C$ substrate temperature samples. The purging time for optimum process was 8sec and the deposition rate was about 1 nm per 10 cycles. The conductance of $SnO_2$ thin film showed a constant region in the range of $200^{\circ}C\;to\;500^{\circ}C$. The thin films deposited for 200 cycle show a better sensitivity to CO gas.
Lee Kun-Jae;Joo Yeon-Jun;So Yong-Dae;Kim Nam-Hoon;Lee Jai-Sung;Choa Yong-Ho
Journal of Powder Materials
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v.13
no.1
s.54
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pp.46-51
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2006
Through the volume change of Sn in a low-temperature phase transformation, the Sn nanopowder with high, purity, was fabricated by an economic and eco-friendly process. The fine cracks were spontaneously generated. in, Sn ingot, which was reduced to powders in the repetition of phase transformation. The Sn nanopowder with 50 run in size was obtained by the 24th repetitions of phase transformation by low-temperature and ultrasonic treatments. Also, the $SnO_2$ powder was fabricated by the oxidation of the produced Sn powder to the ingot and milled by the ultrasonic milling method. The $SnO_2$ nanopowder of 20 nm in size was fabricated after the milling for 180 h.
$LiMnBO_3$ was successfully synthesized by a solid-state reaction method both with and without a carbon coating. Adipic acid was used as source material for the carbon coating. $LiMnBO_3$ was composed of many small polycrystalline particles with a size of about 50 - 70 nm, which showed a very even particle morphology and highly ordered crystalline particulates. Whereas the carbon coated $LiMnBO_3$ was well covered by mat-like, fine material consisting of amorphous carbon derived from the carbonization of adipic acid during the synthetic process. Carbon coated cell exhibited improved and stable discharge capacity profile over the untreated. Two cells delivered an initial discharge capacity of 111 and 58 mAh/g for $LiMnBO_3$/C and $LiMnBO_3$, respectively. Carbon coating on the surface of the $LiMnBO_3$ drastically improved discharge capacity due to the improved electric conductivity in the $LiMnBO_3$ material.
Wastewaters of textile industry cause high volume colour and harmful substance pollutions. Photocatalytic degradation is a method which gives opportunity of reduction of organic pollutants such as dye containing wastewaters. In this study, photocatalytic degradation of C.I. Basic Yellow 28 (BY28) as a model dye contaminant was carried out using Degussa P25 in a photocatalytic reactor. The experiments were followed out at three different azo dye concentrations in a reactor equipped UV-A lamp (365 nm) as a light source. Azo dye removal efficiencies were examined with total organic carbon and UV-vis measurements. As a result of experiments, maximum degradation efficiency was obtained as 100% at BY28 concentration of $50mgL^{-1}$ for the reaction time of 2.5 h. The photodegradation of BY28 was described by a pseudo-first-order kinetic model modified with the langmuir-Hinshelwood mechanism. The adsorption equilibrium constant and the rate constant of the surface reaction were calculated as $K_{dye}=6.689{\cdot}10^{-2}L\;mg^{-1}$ and $k_c=0.599mg\;L^{-1}min^{-1}$, respectively.
The boron-nitrogen-containing phenol-formaldehyde resin (BNPFR)/$SiO_2$ nanocomposites (BNPFR/$SiO_2$) were synthesized in-situ, and structure of BNPFR/$SiO_2$ nanocomposites was characterized by FTIR, XRD and TEM. The loss modulus peak temperature $T_p$ of BNPFR/$SiO_2$ nanocomposites cured with different nano-$SiO_2$ content are determined by torsional braid analysis (TBA). The thermal degradation kinetics was investigated by thermogravimetric analysis (TGA). The results show that nano-$SiO_2$ particulate with about 50 nm diameter has a more uniformly distribution in the samples. The loss modulus peak temperature $T_p$ of BNPFR/$SiO_2$ nanocomposite is $214^{\circ}C$ when nano-$SiO_2$ content is 6 wt%. The start thermal degradation temperature $T_{di}$ is higher about $30^{\circ}C$ than pure BNPFR. The residual rate (%) of nanocomposites at $800^{\circ}C$ is above 40 % when nano-$SiO_2$ content is 9 %. The thermal degradation process is multistage decomposition and following first order.
Polysilazane and polymethylsilazane based precursor films were deposited on Si-substrate by spin-coating, subsequently annealed at $150{\sim}850^{\circ}C$, and characterized. Structural analysis, shrink, compositional change, etch rate, and gap-filling were observed. Annealing the precursor films led to formation of spin-on dielectric films. C-containing precursor films showed that less loss of N, H, and C while less gain of O than that of C-free precursor films at $400^{\circ}C$, but more loss of N, H, and C while more gain of O at $850^{\circ}C$. Thus polysilazane based precursor films exhibited less reduction in thickness of 14.5% than silazane based one of 15.6% at $400^{\circ}C$ but more 37.4% than 19.4% at $850^{\circ}C$. FTIR indicated that C induced smaller amount of Si-O bond, non-uniform property, and lower resistance to chemical etching.
The lab scale experiments to investigate the geochemical reaction among supercritical $CO_2$-mineral-brine which occurs at $CO_2$ sequestration sites were performed. High pressurized cell system (l00 bar and $50^{\circ}C$) was designed to create supercritical $CO_2$ in the cell, simulating the sub-surface $CO_2$ storage site. From the high pressurized cell experiment, the surface changes of Ca-feldspar, amphibole (tremolite) and olivine, resulted from the supercritical $CO_2$-mineral-brine reaction, were observed and the dissolution of minerals into the brine was also investigated. The mineral slabs were polished and three locations on the surface were randomly selected for the image analysis of SPM and the surface roughness value (SRV) of those locations were calculated to quantify the change of mineral surface for 30 days. At a certain time interval, SPM images and SRVs of the same mineral surface were acquired. The secondary minerals precipitated on the mineral surfaces were also analyzed on SEM/EDS after the experiment. From the experiments, the average SRV of Ca-feldspar increased from 2.77 nm to 20.87 nm for 30 days, suggesting that the dissolution of Ca-feldspar occurs in active when the feldspars contact with supercritical $CO_2$ and brine. For the amphibole, the average SRV increased from 2.54 nm to 8.31 nm and for the olivine from 0.77 nm to 11.03 run. For the Ca-feldspar, $Ca^{2+}$, $Na^+$, $Fe^{2+}$, $Si^{4+}$, $K^+$ and $Mg^{2+}$ were dissolved in the highest order and $Si^{4+}$, $Ca^{2+}$, $Fe^{2+}$ and $Mg^{2+}$ for the amphibole. Fe (or Mg) - oxides were precipitated as the secondary minerals on the surfaces of amphibole and olivine after 30 days reaction. Results suggested that $Ca^{2+}$, $Fe^{2+}$ and $Mg^{2+}$ rich minerals would be significantly weathered when it contacts with the supercritical $CO_2$ and brine at $CO_2$ sequestration sites.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.11
no.2
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pp.121-129
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2011
It is progressing as new advents and remarkable developments of mobile device every year. On the upper line reason, NAND FLASH large density memory demands which can be stored into portable devices have been dramatically increasing. Therefore, the cell size of the NAND Flash memory has been scaled down by merely 50% and has been doubling density each per year. [1] However, side effects have arisen the cell distribution and reliability characteristics related to coupling interference, channel disturbance, floating gate electron retention, write-erase cycling owing to shrinking around 20nm technology. Also, FLASH controller to manage shrink effect leads to speed and current issues. In this paper, It will be introduced to solve cycling, retention and fail bit problems of sub-deep micron shrink such as Virtual negative read used in moving read, randomization. The characteristics of retention, cycling and program performance have 3 K per 1 year and 12.7 MB/s respectively. And device size is 179.32 $mm^2$ (16.79 mm ${\times}$ 10.68 mm) in 3 metal 26 nm CMOS.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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