Shariffudin, S.S.;Salina, M.;Herman, S.H.;Rusop, M.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제13권2호
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pp.102-105
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2012
The structural, electrical, and optical properties of layer-by-layer ZnO nanoparticles deposited using sol-gel spin coating technique were studied and now presented. Thicknesses of the thin films were varied by increasing the number of deposited layers. As part of our characterization process, XRD and FE-SEM were used to characterize the structural properties, current-voltage measurements for the electrical properties, and UV-Vis spectra and photoluminescence spectra for the optical properties of the ZnO thin films. ZnO thin films with thicknesses ranging from 14.2 nm to 62.7 nm were used in this work. Film with thickness of 42.7 nm gave the lowest resistivity among all, $1.39{\times}10^{-2}{\Omega}{\cdot}cm$. Photoluminescence spectra showed two peaks which were in the UV emission centered at 380 nm, and visible emission centered at 590 nm. Optical transmittance spectra of the samples indicated that all films were transparent (>88%) in the visible-NIR range. The optical band gap energy was estimated to be 3.21~3.26 eV, with band gap increased with the thin film thickness.
Fe-Au alloys are characterized by the complete solubility, and exhibit an fcc-bcc structural transformation at the Fe-rich side. The magneto-optical(equatorial Ken effect : EKE) and optical properties of Fe$\_$1-x/Aux (0 < x < 1) were investigated in the 0.5 - 5.0 eV energy range. The x-ray diffraction study shows the structural fcc-bcc transformation about 80 at. % of Fe. Noticeable changes in the optical properties caused by the fcc-bcc structural transformation was observed. The shape and intensity of the EKE spectra as well as the field dependence of the magneto-optical response were also significantly changed. It is thought that these changes are mainly comes from the induced magnetic moment in Au(and/or the emhanced magnetic moment of Fe). The nature of the prominent structure observed in the UV range of the magneto-optical Ken effect of Au/Fe multilayered films are disscussed in connection with the above results.
The influence of the order-disorder structural transition on the magnetic and mageto-optical, and transport properties of Fe-Al and Co-Al alloy films has been investigated. The disordered states in the alloy films were prepared by vapor quenching deposition on glass substrates cooled by liquid nitrogen. The experimental study of the magento-optical properties of the ordered and disordered Fe-Al and Co-Al alloy films has been carried out in 1.05-5.0 eV energy range at room temperature. The transport properties have been measured in 2-300K temperature range with and without magnetic field of 0.5T. The influence of the order-disorder structural transition on the magnetic and magneto-optical properties was discussed by using the effective medium approximation and the structural defect approach. That on the temperature dependence of the resistivity was analyzed in a framework of the partial localization of the electronic states and the variable range hopping conductivity.
CdS films were deposited on glass substrates by R.F. magnetron sputtering method and the films were annealed at various substrate temperatures ranging from room temperature to $300^{\circ}C$. Structural properties of the films were studied by X-ray diffraction analysis. The structural parameters as crystallite size have been evaluated. The crystallite sizes were found to increase, and the X-ray diffraction patterns were seen to sharpen by increasing substrate temperatures. X-ray diffraction patterns of these films indicated that they contain both cubic (zincblende) and hexagonal (wurtzite) structures as a mixture. Optical properties of the films were measured at room temperature by using UV/VIS spectrometer in the wavelength range of 190 to 1100nm and optical absorption coefficients were calculated using these data. The energy gap of the films was found to decrease, and the band edge sharpness of the optical absorption was seen to oscillate by annealing. The results show that heat treatments under optimal annealing condition can provide significant improvements in the properties of CdS thin films.
Chalcogenide glasses have been investigated in their thermodynamic, structural, and optical properties for application in various opto-electronic devices. In this study, the $Sb_{20}Se_{80-x}Ge_x$ with x = 10, 15, 20, and 25 were selected to investigate the glass stability according to germanium ratios. The thermal, structural, and optical properties of these glasses were measured by differential scanning calorimetry (DSC), X-ray diffraction (XRD), and UV-Vis-IR Spectrophotometry, respectively. The DSC results revealed that $Ge_{20}Sb_{20}Se_{60}$ composition showing the best glass stability theoretically results due to a lower glass transition activation energy of 230 kJ/mol and higher crystallization activation energy of 260 kJ/mol. The structural and optical analyses of annealed thin films were carried out. The XRD analysis reveals obvious results associated with glass stabilities. The values of slope U, derived from optical analysis, offered information on the atomic and electronic configuration in Urbach tails, associated with the glass stability.
We report the structural ,optical and electrical properties of ZnO thin films depending on the variation of the film thickness. The properties of the films deposited on sapphire (001) substrates using a pulsed laser deposition technique (PLD) were characterized with XRD, hall measurement and photoluminescence (PL). In our study, the increase of the thickness of ZnO thin films shows the improvement of the structural and optical properties. The electric properties of the films were also well matched with the structural and optical properties
The thickness dependent electrical, structural, and optical properties of ZnO films grown by atomic layer deposition (ALD) at various growth temperatures were investigated. In order to deposit ZnO films, diethylzinc and deionized water were used as metal precursor and reactant, respectively. ALD process window was found at the growth temperature range from $150^{\circ}C$ to $250^{\circ}C$ with a growth rate of about $1.7{\AA}/cycle$. The electrical properties were studied by using van der Pauw method with Hall effect measurement. The structural and optical properties of ZnO films were analyzed by using X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, and UV-visible spectrometry as a function of thickness values of ZnO films, which were selected by the lowest electrical resistivity. Finally, the figure of merit of ZnO films could be estimated as a function of the film thickness. As a result, this investigation of thickness dependent electrical, structural, and optical properties of ZnO films can provide proper information when applying to optoelectronic devices, such as organic light-emitting diodes and solar cells.
In this paper, we investigate the optical and structural properties of linear and circular polarization-discriminatory inverters. Circular polarization-discriminatory handedness inverter is realized as a combination of half-wave plate and Bragg reflector and that of linear polarization in verter is realized as a combination of quarter-wave plate, Bragg reflector and quarter-wave plate.
Cadmium sulphide (CdS) films have been prepared on polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), and Coming 7059 substrates by r.f. magnetron sputtering technique at room temperature. A comparison of the properties of the films deposited on polymer and glass substrates was performed. In addition, the influence of the sputter power on the structural and optical properties of these films was evaluated.
Santos, B.H. Bononi Dos;Gobatoa, Y. Galvao;Heninib, M.
Applied Science and Convergence Technology
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제23권5호
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pp.211-220
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2014
In this paper, we present a review of optical and structural studies of $GaBi_xAs_{1-x}$ epilayers grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) on (311)B and (001) GaAs substrates with different As fluxes. The results indicate that under near-stoichiometric conditions the bismuth incorporation is higher for samples grown on (311)B GaAs substrates than for those grown on (001) GaAs. In addition, carrier localization effects in GaBiAs layers are clearly revealed for both samples by optical measurements. The (311)B samples showed evidence of higher density of defects. It has also been found that the nonradiative centers play a significant role in the recombination process in this material system. The influence of post-growth annealing on the microstructural, optical, and magneto-optical properties was also investigated. An important improvement of optical and spin properties after thermal annealing due to the reduction of defects in the GaBiAs layers was observed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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