Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.32A
no.9
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pp.128-134
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1995
A fiber-optic temperature sensor utilizing an optical absorption device (InP) was fabricated. The spectrum of transmitted light through an InP device was obtained at the three temperatures(249 K, 369 K). A stabilized LED(light emmiting diode) driver, photoreceiver, and signal proocessing electronics were designed. An intensity referencing technique was adopted in order to minimize the fluctuation of output signal due to external pertubation of the transmitting optical fiber. The optical absorption edge of the InP device moves to longer wavelength at a rate of 0.42 nm / K, and energy gap of InP is 1.35 eV at room temperature. From these results, it is concluded that the InP device has temperature dynamic range of 300 K with LED of center wavelength of 940nm and spectral width of 50nm. The designed fiber-optic temperature sensor system showed good linearity within the temperature range from -30$^{\circ}C$ to + 150$^{\circ}C$.
We have studied the spectral narrowing characteristics of the tunable Ti:sapphire laser pumped by the second harmonic generation of Nd:YAG laser. Ti:sapphire laser has uniform excitation distribution by both-side end pumping. We have controlled the angle of grating linearly and achieved the continuous selection of wavelength in the broad range from 705 to 835 nm. The output energy of $380{\mu}J$ at 790 nm. the spectral linewidth of $0.13cm_{-1}$ and the beam divergence of 1.2 mrad have been obtained. The wavelength range with power more than 50% of maximum output was 730-825 nm.825 nm.
FT-IR and thermograph were used to investigate the infrared radiation characteristics of $SiO_2$film made by the sol-gel method. FT-IR spectrum of the $SiO_2$film showed high infrared absorption by Si-O-Si vibration at 1220, 1080, 800 and cm$460^{-1}$ The infrared absorption and radiation wavelength ranges of the $SiO_2$film measured by the integration method coincided with the reflection method, and the infrared emissivity was 0.65, equally. Depending on the bonding of elements, the infrared emissivity was high in the wavelength range where the infrared absorption rate was high, that follows the Kirchhoff's law. The emissivity showed the highest value in the wavelength range between $8∼10\mu\textrm{m}$. $SiO_2$film was considered as an efficient materials for infrared radiator at temperature below 10$0^{\circ}C$. The heat radiation temperature was $117^{\circ}C$ for the aluminum plate, but $146^{\circ}C$ for the $SiO_2$film after 7 minutes heat absorption, consiquently, $29^{\circ}C$ higher than the former.
The dye-sensitized solar cell (DSSC) is a device for the conversion of visible light into electricity, based on the sensitization of wide bandgap semiconductors. The performance of the cell mainly depends on a dye used as sensitizer. The absorption spectrum of the dye and the anchorage of the dye to the surface of $TiO_2$ are important parameters determining the efficiency of the cell. Generally, transition metal coordination compounds(ruthenium polypyridyl complexes) are used as the effective sensitizers, due to their intense charge-transfer absorption in the whole visible range and highly efficient metal-to ligand charge transfer. However, ruthenium polypyridyl complexes contain a heavy metal, which is undesirable from point of view of the environmental aspects. Moreover, the process to synthesize the complexes is complicated and costly. Alternatively, organic dyes can be used for the same purpose with an acceptable efficiency. The advantages of organic dyes include their availability and low cost. We designed and synthesized a series of organic sensitizers containing long wavelength absorption-chromophores for the dye sensitized solar cell. The DSSC composed of Blue-chromophores for the sensitization absorbed long wavelength region which is different also applied into the dye-cocktail (mixing) system. The photovoltaic property of DSSCs organic long wavelength absorption-chromophores were measured and evaluated by comparison with that of individual chromophores.
CsI:Gd crystal was grown by the Bridgeman method and its scintillation properties were investigated. The wavelength peak of the luminescence spectrum for the crystal excited by X-ray was 419 nm. The range of the spectrum was from 300 nm to 800 nm. The spectrum well matched to the quantum efficiency of a typical bi-alkali photo-multiplier tube(PMT). An energy resolution of 48.2 % was obtained for 662 keV ${\gamma}$-rays of $^{137}Cs$. The three decay times were obtained as a fast(557.4 ns, 42.2 %), intermediate (1.78 ${\mu}s$, 29.7 %) and slow (5.43 ${\mu}s$, 28.1 %) components, respectively.
This research was carried out to investigate the possibility of real time rice milling ratio measurement using the spectral reflection characteristics. In this study, various methods were compared such as \circled1 using the whiteness meter, \circled2 using the colorimeter, \circled3 using the Visible and the NIR reflection spectrum. The samples were milled in the domain of 84~96% by 0.5% interval classified by milling ratio. The NMG treatment method required about 20 minutes to determine the milled ratio and r2 was 0.0028 to 0.7959 that was very low. In case of whiteness meter, r2 was high but speed of measurement was 5 minutes that was very low. Measurement with the colorimeter required about 5 minutes and r2 was 0.60 to 0.85 that was low. The reflection spectrum were measured in the range of 400~2,500nm with 2nm interval and the MLR model with six-wavelength obtained from first derivative of spectra gave the best results(r2 = 0.967, SEP = 0.729%)
The characteristics of disinfection and organic removal were investigated with pulse UV lamp in this study. The intensity and emission wavelength of pulse UV Lamp were compared with low pressure UV lamp. The emission spectrum range of pulse UV lamp was between 200 and 400 nm while the emission spectrum of low pressure UV lamp was only single wavelength of 254nm. 3 Log inactivation rate of B. subtilis spore by pulse UV and low pressure UV irradiation was determined as $44.71mJ/cm^2$ and $57.7mJ/cm^2$, respectively. This results implied that wide range of emission spectrum is more effective compared to single wavelength emission at 254nm. 500ng/L of initial 2-MIB concentration was investigated on the removal efficiency by UV only and $UV/H_2O_2$ process. The removal efficiency of UV only process achieved approximately 80% at $8,600mJ/cm^2$ dose. 2-MIB removal rate of $UV/H_2O_2$ (5 mg/L $H_2O_2$) process was 25 times increased compared to UV only process. DOC removal efficiency for the water treatment plant effluent was examined. The removal efficiency of DOC by UV and $UV/H_2O_2$ was no more than 20%. Removal efficiency of THMFP(Trihalomethane Formation Potential), one of the chlorination disinfection by-products, is determined on the UV irradiation and $UV/H_2O_2$ process. Maximum removal efficiency of THMFP was approximately 23%. This result indicates that more stable chemical structures of NOM(Natural Organic Matter) than low molecule compounds such as 2-MIB, hydrogen peroxide and other pollutants affect low removal efficiency for UV photolysis. Consequently, pulse UV lamp is more efficient compared to low pressure lamp in terms of disinfection due to it's broad wavelength emission of UV. Additional effect of pulse UV is to take place the reactions of both direct photolysis to remove micro organics and disinfection simultaneously. It is also expected that hydrogen peroxide enable to enhance the oxidation efficiency on the pulse UV irradiation due to formation of OH radical.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.25
no.1B
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pp.175-182
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2000
(A hybrid-type wireless infrared data communication module was fabricated by using the light emitting andabsorption diodes with the one-chip of integrated digital circuits. The light emitting diode with the peak spectrum of 850 nm was made from compound semiconductor material of AIGaAs and shows high speed signal transmission with the delay time of 60 nsec for the light direction angle of 30". The Si PIN photodiode showsthe good absorption rate for the range of wavelength of 450-1050 nm and convex-type epoxy lens was utilized for the spectrum filtering on the visible-range spectrum below 750 nm, The data transmission speed is 115.2 kbps and the fabricated module satisfies on the IrDA 1.0 SIR standard requirements.)ments.)
A Precision Spectral Pyranometer (PSP) is mainly used as a reference to calibrate other pyranometers due to its high accuracy and sensitivity in response to the spectrum wavelength range of 0.285 ${\mu}$ to 2.8 ${\mu}$, while the sensitivity of photovoltaic-type Li-Cor pyranometer is limited within a certain spectral range from 0.4 ${\mu}$ to 1.1 ${\mu}$. In this study, two Eppley PSPs($PSP_1$ and $PSP_2$) were first compared to the calibrated Eppley PSPs from National Renewable Energy Laboratory (NREL), resulting in two linear correction factors based on the comparison between the logger output (V) from the test PSP and the solar radiation (W/m2) from the NREL PSP. The Li-Cor pyranometer used in this study was then corrected based on the comparison of measured solar radiation ($W/m^2$) from the corrected $PSP_1$ and the Li-Cor pyranometer. In addition, instrument scale corrections were also performed for the PSPs and the Li-Cor from the transmitter to the data logger. From the comparisons, a linear correction factor (1.0214) with R=0.9998 was developed for the scale correction between$PSP_1$ and $PSP_2$, while the Li-Cor pyranometer has a scale(1.0597) and offset (32.046) with R=0.9998 against$PSP_1$. As a result, it was identified that there were good agreements within ${\pm}$ 10 W/ $m^2$ between Eppley $PSP_1$ vs. $PSP_2$ solar radiation and within ${\pm}$ 20 W/$m^2$ between$PSP_1$ vs Li-Cor solar radiation after the empirical scale corrections developed in this study.
An, Hui-Chul;Na, Su-Hwan;Joo, Hyun-Woo;Kim, Tae-Wan
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.10
no.1
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pp.28-30
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2009
We have studied organic layer-thickness dependent electrical and optical properties of bottom- and top-emission devices. Bottom-emission device was made in a structure of ITO(170 nm)/TPD(x nm)/$Alq_3$(y nm)/LiF(0.5 nm)/Al(100 nm), and a top-emission device in a structure of glass/Al(100 nm)/TPD(x nm)/$Alq_3$(y nm)/LiF(0.5 nm)/Al(25 nm). A hole-transport layer of TPD (N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine) was thermally deposited in a range of 35 nm and 65 nm, and an emissive layer of $Alq_3$ (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum) was successively deposited in a range of 50 nm and 100 nm. Thickness ratio between the hole-transport layer and the emissive layer was maintained to be 2:3, and a whole layer thickness was made to be in a range of 85 and 165 nm. From the current density-luminance-voltage characteristics of the bottom-emission devices, a proper thickness of the organic layer (55 nm thick TPD and 85 nm thick $Alq_3$ layer) was able to be determined. From the view-angle dependent emission spectrum of the bottom-emission device, the peak wavelength of the spectrum does not shift as the view angle increases. However, for the top-emission device, there is a blue shift in peak wavelength as the view angle increases when the total layer thickness is thicker than 140 nm. This blue shift is thought to be due to a microcavity effect in organic light-emitting diodes.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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