• 전기의세계
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• 제26권5호
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• pp.83-89
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• 1977

This paper described the minority carrier lifetime in Si epitaxial layer, and also the voltage (V) versus current (I) characteristics of high resistivity Si epitaxial layer0substrate junction. The measured lifetime in Si epi-layer was much shorter than in bulk, and the temperature dependence of lifetime was found to agree well with Shockley-Read model of recombination which applies to high resistivity n-type materials. The V-I curve showed; an ohmic region (I.var.V), a sublinear region (I.var.V$^{1}$2/), a space charge limited current region (I.var.V$^{2}$), and finally a negative resistance region. We investigated these phenomena by the theory of the relaxation semiconductor.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.8-12
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• 2002

본 논문은 LCD의 백라이트로서 고휘도를 내는 간단한 구조의 평판형광램프를 연구하였다. 평판형광램프는 ITO glass와 절연층, 형광층, 전극층, gas층으로 구성된다. 이 램프의 방전개시전압은 주파수가 증가하면 감소하며 이러한 경향으로는 gas층에서 트립된 Xe과 Ar 양이온에 기인된 공간방전효과의 결과이다. 높은 구동 주파수에서 uniform 전압의 감소는 초기 구동에서 발생된 남아있는 공간전하에 기인한다. 결과로서 Xe gas를 사용한 평판형광램프는 구동전압 700[ $V_{rms}$], 주파수 80[kHz]에서 2700[cd/ $m^2$]의 휘도, 균일도 96[%], 최대 효율은 51[m/W]를 얻었다.다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.534-537
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• 2002

We have studied conduction mechanism that is interpreted in terms of space charge limited current (SCLC) region and tunneling region. The OLEDs are based on the molecular compounds, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) as a hole transport, tris (8- hydroxyquinolinoline) aluminum(III) $(Alq_3)$ as an electron injection and transport and emitting later, copper phthalocyanine (CuPc) and poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) and poly(vinylcarbazole) (PVK) as a buffer layer respectively. Al was used as cathode. We manufactured reference structure that has in ITO/TPD/$Alq_3$/Al. Buffer layer effects were compared to reference structure. And we have analyzed out luminance efficiency-voltage characteristics in ITO/Buffer layer/TPD/$Alq_3$/Al with buffer-layer materials.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1994년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.87-89
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• 1994

The effects of low molecular weight components of LDPE and sample molding condition were investigated to find the orgins for heterocharge in LDPE without any addtives. Low molecular weight chains of LDPE encourages the formation of heterocharge by being charged and migrating the counter electrode. The formation of heteroohage in LDPE was also effected by sample preparation process and the kind of a moling film. When PET film is used as a molding layer, the carbonyl, which may lead to increase the heterocharge, formed at surface of LDPE.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.114-117
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• 2002

We have studied the dependence of current-voltage characteristics of Organic Light Emitting Diodes(OLEDs) on temperature-dependent variation. The OLEDs have been based on the molecular compounds. N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1, 1'- biphenyl-4, 4'-diamine (TPD) as a hole transport. tris(8-hydroxyquinolinoline) aluminum (III) ($Alq_3$) as an electron transport and Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT:PSS) as a buffer layer. The current-voltage characteristics were measured in the temperature range of 10K and 300K. A conduction mechanism in OLEDs has been interpreted in terms of space-charge-limited current(SCLC) and tunneling region.Ā᐀會Ā᐀衅?⨀頱岒ᄀĀ저會Ā저?⨀⡌ឫഀĀ᐀會Ā᐀㡆?⨀쁌ឫഀĀ᐀會Ā᐀遆?⨀郞ග瀀ꀏ會Ā?⨀〲岒ऀĀ᐀會Ā᐀䁇?⨀젲岒Ā㰀會Ā㰀顇?⨀끩Ā㈀會Ā㈀?⨀䡪ഀĀ᐀會Ā᐀䡈?⨀Ā᐀會Ā᐀ꁈ?⨀硫Ā저會Ā저?⨀샟ගऀĀ저會Ā저偉?⨀栰岒ഀĀ저會Ā저ꡉ?⨀1岒ഀĀ저會Ā저J?⨀惝ග؀Ā؀會Ā؀塊?⨀ග䈀Ā切

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제17권2호
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• pp.161-165
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• 2019

In this study, zinc tin oxide (ZTO) thin-film transistors are researched to observe the correlation between the barrier potential and electrical properties. Although much research has been conducted on the electronic radiation from Schottky contacts in semiconductor devices, research on electronic radiation that occurs at voltages above the threshold voltage is lacking. Furthermore, the current phenomena occurring below the threshold voltage need to be studied. Bidirectional transistors exhibit current flows below the threshold voltage, and studying the characteristics of these currents can help understand the problems associated with leakage current. A factor that affects the stability of bidirectional transistors is the potential barrier to the Schottky contact. It has been confirmed that Schottky contacts increase the efficiency of the element in semiconductor devices, by cutting off the leakage current, and that the recombination at the PN junction is closely related to the Schottky contacts. The bidirectional characteristics of the transistors are controlled by the space-charge limiting currents generated by the barrier potentials of the SiOC insulated film. Space-charge limiting currents caused by the tunneling phenomenon or quantum effect are new conduction mechanisms in semiconductors, and are different from the leakage current.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제58권2호
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• pp.319-324
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• 2020

전기와류 불안정성은 전기투석 장치, 갈바니 전지, 전해 전지 등의 이온-선택성 이동 현상계에서 발견되는 비선형 이동 현상이다. 이 불안정성은 이온-선택성 표면 근처 공간 전하층의 요동에 의해 발생하며, 불안정성의 발현은 물질 전달 속도를 증가시켜 준다. 따라서 전기와류 불안정성은 물질 전달 측면에서 중요한 의미를 가진다. 최근의 실험적 기법들이 불안정성의 직접적 가시화를 가능하게 해주었으나, 실험적 한계점에 의해 불안정성의 원론적 연구는 제한된 영역에서만 이루어지고 있다. 본 연구에서는 일정 전위 모드에서의 전기와류 불안정성에 대한 수치 해석을 진행하여 전류-시간 곡선과 불안정성의 거동 간의 상관관계를 밝히고자 하였다. 시간-분해 해석을 통하여, 불안정성의 발달 거동을 SCL 형성 - 전기와류 불안정성의 성장 - 정상 상태 도달로 구분 지었다. 더불어, 인가 전위에 따른 전이 시간들의 크기 법칙 또한 수치적으로 유도하였다.

• 한국광학회지
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• 제25권2호
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• pp.95-101
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• 2014

표면 플라즈몬 공명 (SPR) 센서에서 금속 전극에 전압을 걸었을 경우, 표면에 여기 되는 전기장에 의해 전하가 쌓이게 된다. 이는 금속 표면의 광학적 성질과 표면 플라즈몬 공명 각도의 변화를 야기시킨다. 본 논문에서는 그에 대한 검증을 위해 다양한 산도 조건의 수용액 하에서 금속에 전압을 걸었을 때의SPR 각도 변화를 측정하였고, 누적 전하량과 공명 각도에 대한 의존성을 그렸을 때 수용액의 산도에 관계없이 일치함을 확인 하였다. 이 관계를 설명하는 기존의 공간전하층(SCL) 모델과 비교해보고 실험결과와 어긋나는 부분과도 잘 맞는 수정된 SCL 모델을 제시하였다. 이 결과는 표면 플라즈몬 공명 센서의 응용과 금속박막의 광학적 성질에 대한 연구에 기여할 거라 기대된다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권3호
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• pp.60-65
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• 1984

본 논문은 광통신용 광원의 가장 중요한 설계변수인 주파수응답의 최적화를 위하여 대칭 CaAs/(Ca, Al)As DH-LED를 모델로 채택하여 다이오드의 설계변수들인 활성층의 불순물농도, 활성층폭, 소수캐리어수명, 금지대폭, 굴절률, 공간전하용량, 주입전류밀도 등의 물리적 제인자들의 백호관계를 체계적으로 정립하여 컴퓨터 시뮬레이션에 의한 최적설계변수치들을 설정하는데 그 목적이 있다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.37-38
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• 2000

The ZnS:Tb thin-film electroluminescent devices were grown by atomic layer deposition with utilizing single-layer aluminum oxide and/or multilayered tantalum aluminum oxide, $Ta_xAl_yO$, as upper and lower insulating layers. These devices were investigated in terms of the luminescent and electrical characteristics. From this analysis, the devices using the $Ta_xAl_yO$ instead of $Al_2O_3$ were observed to have a lower threshold voltage for emission due to the higher relative dielectric constant of $Ta_xAl_yO$ insulators than that of the $Al_2O_3$ device. And there was a large amount of dynamic space charge generation in the phosphor of the device with the $Ta_xAl_yO$ insulators seemingly due to electron multiplication such as trap ionization.