본 연구는 오염가스 제거시 발생되는 부산물인 에어로졸 입자가 방전전극에 부착되어 생기는 방전불안으로 제거율이 급격히 저하되는 문제점을 개선하고 제거장치의 운전비용을 감소시키기 위한 연구이다. 이를 위해 오염가스 제거에 필요한 라디칼과 이온을 발생시키기 위한 전기방전영역과 연소가스가 흐르는 관로를 분리시킨 플라즈마 반응기를 사용하여 방전불안에 의한 제거효율 저하와 방전선 산회 문제를 개선하여 장시간 운전 가능성을 확인하였고, 또한 운전비용을 감소시키기 위해서는 코로나 방전에 의한 비열플라즈마를 이용하여 연소가스를 산화 변화시키고, 첨가제로 수산화나트륨 수용액 증기와 소량의 암모니아를 사용하였다. 그 결과 암모니아 분자 몰비를 1.5로 하고, 유량이 $2.5{\ell}/min$인 질소가스로 농도가 20%인 수산화나트륨 수용액을 버블링하여 주입하였을 때 질소산화물, 황산화물 제거율이 각각 95, 100%인 우수한 제거특성을 얻었다.
내분비계교란물질로 알려진 비스페놀 A (bisphenol A, BPA) 수용액의 플라즈마 처리 및 분해 경로에 대해 조사하였다. 플라즈마화된 기체와 BPA 수용액을 효과적으로 접촉시키기 위하여 다공성 세라믹 관내에서 플라즈마를 생성시켜 세라믹 관의 세공을 통해 수중으로 고르게 분산시켰다. 기체의 유량, 인가 전압, 처리시간이 BPA 분해에 미치는 영향을 조사하였으며, 자외선 분광광도계, 이온 크로마토그래피, 기체크로마토그래피-질량분석기를 활용한 분석을 통해 반응 경로를 제시하였다. 기체의 유량이 너무 크거나 작으면 동일한 전력이 공급되더라도 처리효과가 떨어지며 적정한 기체 유량은 $1.0L\;min^{-1}$인 것으로 나타났다. 전압이 높을수록 많은 전력이 공급되므로 BPA를 제거하는 시간이 단축되나, 소모되는 에너지는 전압에 관계없이 유사하였다. 유량 $1.0L\;min^{-1}$과 전압 20 kV 조건에서 초기농도 $10L\;min^{-1}$ (부피 : 1 L)인 BPA가 30 min 이내에 모두 제거되었다. 오존이나 하이드록실 라디칼과 같은 활성성분들에 의해 BPA 구조가 파괴되어 생성되는 중간생성물들은 후속 산화반응을 통해 아세테이트, 포메이트, 옥살레이트와 같은 안정한 물질로 전환됨을 확인하였다.
The surface property and formation behavior of a boride layer formed on Ni-Cr-Mo steel in a plasma paste boronizing treatment were investigated. The plasma paste boronizing treatment was carried out at 973~1273 K for 1-7 hrs under the gas ratio of Ar:H$_2$ (2:1). The thickness of the boride layer increased with increasing temperature and time in the boronizing treatment. The cross-section of the boride layer was a tooth structure and the hardness was Hv 2000~2500. XRD analysis revealed that the compound was identified as FeB, $Fe_2$B, and mixed phase of FeB/$Fe_2$B in the boride layer formed at 973~1073 K, 1173K, and 1273K, respectively. The Ni-Cr-Mo alloy boronized at 1173-1273 K showed the best excellent wear resistance against the sand. As a results of corrosion test in 1 M $H_2$$SO_4$ solution, $Fe_2$B formed on the matrix alloy exhibited higher corrosion resistance than FeB.
일반적으로 실리콘 태양전지의 표면 텍스쳐링 공정방식은 습식 텍스쳐링 방식과 건식 텍스쳐링 방식 2가지로 나뉘어진다. 하지만 현재 습식 텍스쳐링 방식의 경우 Solution을 사용하기 때문에 폐용액으로 인한 환경오염 및 Wafer 오염과 같은 단점을 가지고 있다. 또한 건식 텍스쳐링 방식의 경우는 진공 상태에서 진행되므로 높은 유지 비용이 가장 큰 단점으로 대두 되고 있다. 그러므로 기존의 방식과 다르게 진공을 사용하지 않는 대기압 플라즈마 소스를 텍스쳐링 공정에 적용하였다. 본 연구에서는 대기압 플라즈마 소스로 식각한 Wafer의 반사율을 가스 종류와 유량별 측정하여 분석하였다. 측정된 반사율을 통해 대기압 플라즈마 소스가 텍스쳐링 공정에 적용할 수 있는지 확인하였다.
Silicon carbide (SiC) has recently drawn an enormous industrial interest because of its useful mechanical properties such as thermal resistance, abrasion resistance and thermal conductivity at high temperature. RF Thermal plasma (PL-35 Induction Plasma, Tekna CO., Canada) has been utilized for synthesis of high purity SiC powder from cheap inorganic solution (Tetraethyl Orthosilicate, TEOS). It is found that the powders by thermal plasma consist of SiC with free carbon and amorphous silica ($SiO_2$) and, by thermal treatment and HF treatment, the impurities are driven off resulting high purity SiC nano-powder. The synthesized SiC powder lies below 30 nm and its properties such microstructure, phase composition, specific surface area and free carbon content have been characterized by X-ay diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), thermogravimetric (TG) and Brunauer-Emmett-Teller (BET).
In this study, we have investigated new plasma resistant materials with less usage of rare-earth oxides than $Y_2O_3$ which is currently used in the semiconductor industry. We observed the stability ranges of $(Gd{\cdot}Y)_3Al_5O_{12}$ and $(La{\cdot}Y)Al_{11}O_{18}$ ternary systems, and measured their etch rates under typical fluorine plasma. $(Gd{\cdot}Y)_3Al_5O_{12}$ system showed an extensive solid solution up to 80 mol% gadolinium, but $(La{\cdot}Y)Al_{11}O_{18}$ showed a negligible substitution between rare-earth ions, which can be explained by the differences between the ionic radii. The etch rates depended on the total amount of rare-earth oxides but not on the substitution of the rare-earth ions. When the specimen was examined using XPS after the exposure to fluorine plasma, the strong surface fluorination was observed with a shift of the binding energy to higher energy.
Mirtazapine is an antidepressant agent with dual action on both the noradrenergic and serotonergic neurotransmitter systems. A simple high performance liquid chromatographic method has been developed and validated for the quantitative determination of mirtazapine in human plasma. A reversed-phase Cl8 column was used for the determination of mirtazapine with a mobile phase composed of 0.01M ammonium acetate solution (pH 4.2) and acetonitrile (75:25, v/v%) at a flow rate of 1.2 mL/min. Terazosin hydrochloride was used as an internal standard. The fluorescence detector was set at excitation and emission wavelengths of 290 and 350 nm, respectively. Intra- and inter-day precision and accuracy were acceptable for all quality control samples including the lower limit of quantification of 3 ng/mL. Mirtazapine was stable in human plasma under various storage conditions. This method was used successfully for a pharmacokinetic study using plasma samples after oral administration of a single 30 mg dose as mirtazapine base to 8 healthy volunteers. The maximum plasma concentration of mirtazapine was $64.1{\pm}28.0ng/mL$ at 1.8 h, and the area under the curve and elimination half-life were calculated to be $674.1{\pm}218.5ng\;h/mL\;and\;23.4{\pm}3.8h$, respectively.
A flotation process has a shorter processing time and needs less space than a sedimentation process. Dissolved air flotation process (DAF) is an efficient flotation method and used in a conventional wastewater treatment process. However, DAF requires the circulation of water containing compressed air and requires expensive installation and operation cost. Plasma Air Flotation (PAF) process is able to float flocs by micro bubbles generated from underwater plasma without the circulation of bubbly water and additional saturators. Therefore, PAF can be an alternative solution overcoming economic barriers. In this study, Humic acid removal efficiency by PAF process was compared with that of sedimentation process. 44.67% and 87.3% reduction rate based on UV 254 absorbance has been measured in sedimentation and PAF respectively. In particular, PAF in the flocculation zone can dramatically remove humic acid from water. In flocculation zone, PAF can separate organic matters but sedimentation cannot.
Decomposition of non-biodegradable contaminants such as phenol contained in water was investigated using a dielectric barrier discharge (DBD) plasma reactor in the aqueous solutions with continuous oxygen bubbling. Effects of various parameters on the removal of phenol in aqueous solution with high-voltage streamer discharge plasma are studied. In order to choose plasma gas, gas of three types (argon, air, oxygen) were investigated. After the selection of gas, effects of 1st voltage (80 ~ 220 V), oxygen flow rate (2 ~ 7 L/min), pH (3 ~ 11), and initial phenol concentration (12.5 ~ 100.0 mg/L) on phenol degradation and change of $UV_{254}$ absorbance were investigated. Absorbance of $UV_{254}$ can be used as an indirect indicator of phenol degradation and the generation and disappearance of the non-biodegradable organic compounds. Removal of phenol and COD were found to follow pseudo first-order kinetics. The removal rate constants for phenol and COD of phenol were $5.204{\times}10^{-1}min^{-1}$ and $3.26{\times}10^{-2}min^{-1}$, respectively.
Bismuth antimony telluride (BiSbTe) thermoelectric materials were successfully prepared by a spark plasma sintering process. Crystalline BiSbTe ingots were crushed into small pieces and then attrition milled into fine powders of about 300 nm ~ 2${\mu}m$ size under argon gas. Spark plasma sintering was applied on the BiSbTe powders at 240, 320, and $380^{\circ}C$, respectively, under a pressure of 40 MPa in vacuum. The heating rate was $50^{\circ}C$/min and the holding time at the sintering temperature was 10 min. At all sintering temperatures, high density bulk BiSbTe was successfully obtained. The XRD patterns verify that all samples were well matched with the $Bi_{0.5}Sb_{1.5}Te_{3}$. Seebeck coefficient (S), electric conductivity (${\sigma}$) and thermal conductivity (k) were evaluated in a temperature range of $25{\sim}300^{\circ}C$. The thermoelectric properties of BiSbTe were evaluated by the thermoelectric figure of merit, ZT (ZT = $S^2{\sigma}T$/k). The grain size and electric conductivity of sintered BiSbTe increased as the sintering temperature increased but the thermal conductivity was similar at all sintering temperatures. Grain growth reduced the carrier concentration, because grain growth reduced the grain boundaries, which serve as acceptors. Meanwhile, the carrier mobility was greatly increased and the electric conductivity was also improved. Consequentially, the grains grew with increasing sintering temperature and the figure of merit was improved.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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