Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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v.20
no.3
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pp.32-36
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2016
Test equipment was designed and manufactured to evaluate thermal reaction characteristic of internal insulators of solid rocket motor. Test is allowed up to chamber pressure 2,500 psi, burn-time 100 s. A cross section of test sample part is quadrature, and various test samples can be comparable at the same time. Inner temperature of test sample can be measured by thermocouples during burning. Test was executed in condition of efficient average chamber pressure 1,000 psi, efficient burn-time 10 s and safety of equipment was confirmed. Basic data for understanding thermal characteristics of internal insulator, that is, pressure-time curve, temperature-time curve in the test sample, and thermal destruction thickness of test sample was gained successfully.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.572-572
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2012
Growth of metal oxides on graphene may lead to a better understanding of delicate effects of their growth habits on their underlying physics. The vanadium dioxide ($VO_2$) is well known for its metal-to-insulator transition accompanied by a reversible first order structural phase transition at 340 K. This transition makes $VO_2$ a potentially useful material for applications in electrical and optical devices. We report a successful growth of $VO_2$ nanostructures on a graphene substrate via a vapor-solid transport route. As-grown $VO_2$ nanostructures on graphene were systematically characterized by field emission scanning electron microscopy, x-ray diffraction, Raman spectroscopy, FT-IR spectroscopy and high resolution transmission electron microscopy. These results indicate that the strain between $VO_2$ and graphene layers may be easily controlled by the number of underlying graphene layer. We also found that the strain in-between $VO_2$ and graphene layer affected its metal-to-insulator transition characteristics. This study demonstrates a new way for synthesizing $VO_2$ in a desired phase on the transparent conducting graphene substrate and an easy pathway for controlling metal-to-insulator phase transition via strain.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.28
no.10
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pp.630-635
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2015
A vacuum Interrupter (VI), a core part that composes the breaking part of medium-voltage vacuum circuit breaker (VCB), has the excellent insulation performance and arc-extinguishing capability. $SF_6$ gas had been used for the external insulation of VIs since the dielectric strength of $SF_6$ gas is superior to that of other insulation gases. However, because of environmental problems related with global warming, a solid-insulated technology was recently researched. The functionally graded material (FGM), as changing spatially the distribution of the relative permittivity inside an insulator, can reduce the electric field stress at the specific region. Especially, the external insulation performance of the VI with the molded FGM insulator is greatly improved as compared with that of the existing VI or the VI with a new external shield. In this paper, the effectiveness of this FGM insulator is verified by the numerical simulation.
In roder to investigate the influence of treeing on electric breakdown of solid organic insulator the initiation and growing mechanism of tree itself, and the correlation between corona discharge and treeing phenomena in solid orgainc insulating materials, several experiments were carried out by means of needle test on polymethyl-methacrylate. The obtained results showed that the existence of voids in specimen had important effects on initiation voltage of trees and, when the direct voltage was applied, the initiation voltage of trees increased by space charge effect. And also the stagnation phenomena due to the transfer of vacancy cluster or polymekr cage in specimen might beconsidered in process of growth of trees, and corona discharge seemed to be the pre-phenomena of treeing because trees were normally initiated by internal discharge in voids.
Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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2002.02a
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pp.237-240
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2002
Fiberglass - reinforced plastic (FRP) can have high breakdown puncture strength and has high mechanical strength. So the research of its dielectric properties have been conducted in liquid nitrogen(L$N_{2}$). In this study, we discussed the characteristics of surface flashover on FRP in L$N_{2}$ for applying it to spacer of a superconducting power equipment. We distinguished four types of surface flashover along solid insulator with arrangement of electrodes and tested the surface flashover voltage of each types of electrode arrangement. The type of a electrode set at the back of the insulator showed the worst dielectric property.
Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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1998.10a
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pp.30-30
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1998
Solid rocket motor case의 internal insulator로 미가류 형태의 내열재에 적당하게 tacky성과 삭막 특성을 고려한 조성을 개발하여 시스템에 성공적으로 적용하였다. 개발된 내열재의 주요 조성으로는 base polymer로 EPDM과 CR을 80/20으로 blend하여 적용했으며, 삭막 특성 향상을 위해 아라미드 섬유인 Kevlar 29를 5 phrs, Hydrated silica인 Zeosil 155를 30phrs 적용하였다. 이와 같은 조성으로 제작된 내열재는 삭마시험, 인장시험, 열특성시험 등 각종 특성시험을 수행하여 시스템에 적용하기 위한 성능을 확인하고 공정에 적용하였다. ST-8 표준 모타에 적용하여 삭막시험한 결과 삭마율 0.21mm/sec를 얻었고, 추진기관 사용 온도인 -4$0^{\circ}C$-6$0^{\circ}C$ 온도 범위에서 기계적성질 값을 측정하여 성능 저하가 없는 안정된 값을 얻었으며, DSC로 Tg point 측정 결과 -55$^{\circ}C$로 나타나 저온특성이 우수한 EPDM 내열재 특성을 확인할 수 있었다.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers A
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v.51
no.11
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pp.585-590
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2002
In this paper, the 3 dimensional surface charge method is applied to calculate electric fields distribution inside a general and an optimal model of GIS with a metal impurity and a void respectively. We know the optimal model can reduce tangential electric fields at solid insulator surface to 70% of the general model and infulence fields distribution near a metal impurity. Meanwhile, we find the optimal model does not decrease field distribution inside a void in the insulator.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.5
no.2
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pp.136-147
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2005
A theoretical design evaluation based on a hydrodynamic transport simulation of strained Si-SiGe on insulator (SSOI) type nMOSFETs is reported. Although, the net performance improvement is quite limited by the short channel effects, simulation results clearly show that the strained Si-SiGe type nMOSFETs are well-suited for gate lengths down to 20 nm. Simulation results show that the improvement in the transconductance with decreasing gate length is limited by the long-range Coulomb scattering. An influence of lateral and vertical diffusion of shallow dopants in the source/drain extension regions on the device performance (i.e., threshold voltage shift, subthreshold slope, current drivability and transconductance) is quantitatively assessed. An optimum layer thickness ($t_{si}$ of 5 and $t_{sg}$ of 10 nm) with shallow Junction depth (5-10 nm) and controlled lateral diffusion with steep doping gradient is needed to realize the sub-50 nm gate strained Si-SiGe type nMOSFETs.
In this study, we discussed the characteristics of breakdown and surface flashover of FRP in L$N_2$ for applying it to spacer of a superconducting power equipment. Fiberglass reinforced plastic(FRP) has high breakdown puncture strength and has high mechanical strength. So the research of its dielectric properties have been conducted in liquid nitrogen($LN_2$). We measured breakdown voltage of FRP and distinguished four types of surface flashover along solid insulator with arrangement of electrodes and measured the surface flashover voltages of each types of electrode arrangement. The type of a electrode set at the back of the insulator showed the worst dielectric property. The property of surface flashover depending on pressure was tested.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.11a
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pp.555-558
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2000
Layered perovskite La$_{2-x}$Ca$_{l-x}$Mn$_2$O$_{7}$ phases were synthesized by solid state reaction. Single phase R-P could be obtained in the range of 0.4$_{2-x}$Ca$_{l-x}$Mn$_2$O$_{7}$. About 30% of MR ratio was obtained at 270K when 5 T of magnetic field was applied.ied.ied.ied.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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