The oxygen barrier films were formed on poly(ethylene terephthalate) (PET) substrate by a sol-gel process using 3-aminoproprytrimethoxysilane (APTMOS). The effects of solvent type, coating times and incorporation of fumed silica on oxygen permeability coefficient were investigated. The APTMOS coating film prepared from methanol as a solvent exhibited higher oxygen barrier properties than that using THF. The oxygen permeability coefficient of coated film with APTMOS/methanol by coating 7 times was measured to be $2.28{\times}10^{-6}$, while that of PET film was $1.16{\times}10^{-4}$ GPU. The addition of fumed silica does not affect the oxygen barrier properties. It may be explained that silica particles disrupt chain packing, which leads to an increase in free volume for permeation.
$TiO_2$ thin films were spin coated on commercial Nickel-Silver with 2%Ti-naphthanate toluene solution by sol-gel process. The thin films were heat-treated at $500^{\circ}C$ for 2min and then decorative-protective coating was obtained. The conditions for gold colored coating, and the morphology, microstructure and color of the coating surface were have been characterized by Optical microscope, Photospectrometer and XRD. The heating temperature of colored-$TiO_2$ coating was $500^{\circ}C$ and was preferable. The average thickness of 1 time coating was $0.24{\mu}m$ and the total thickness increased linearly as a function of the coating time. The color of amorphous colored-$TiO_2$ coating was changed from gold to dark redish gold with coating time. 'L' as lightness and 'b' were decreased to red, but 'a' was decreased to blue after increase with coating time.
Self-patterning of thin films using photosensitive sol solution has advantages such as simple manufacturing process compared to photoresist/dry etching process. In this study, ferroelectric $Sr_{0.9}Bi_{2.1}Ta_2O_9$ thin films have been prepared by spin coating method using photosensitive sol solution. Strontium ethoxide, tertramethylheptanedionato bismuth and tantalum ethoxide were used as starting materials. As UV exposure time to the SBT thin film increased, the UV absorption peak intensity of metal ${\beta}$-diketonate decreased due to reduced solubility by M-O-M bond formation. Solubility difference by UV irradiation on SBT thin film allows to obtain a fine patterning of thin film. Also, The ferroelectric properties of the UV irradiated SBT thin films were superior to those of the no-UV irradiated films.
In this study, to prepare the dielectric (Ba, Sr)TiO3 thin films by the sol-gel process, Titaminum (IV) sio-propoxide (Ti[OCH(CH3)2]4), Ba and Sr acetate were used for sol and thin films were prepared by dip-coating process. Stability of sol decreased with the increase of Sr, and thickness of thin films were obtained 0.13~0.17${\mu}{\textrm}{m}$ by 1 coating cycle. Transmittance of amorphous thin films heated at 500 and 55$0^{\circ}C$ was very good, and crystallization tendency of thin films according to heat-treatment temperature and crystallization characteristics of thin films heated at 11$0^{\circ}C$ for 3 hrs were analysed. As a result, good perovskite structure was obtained higher than 100$0^{\circ}C$, and tetragonality of thin film was decreased but pyrochlore was formed with increasing Sr. In case of addition to substitute 0.4mol% Sr for Ba, dielectric constant was 288 and loss factor (tan $\delta$) was 0.04.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.8
no.2
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pp.315-323
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1998
$TiO_2$films of rutile and anatase phase have been prepared on silica glass substrates by the sol-gel method using $Ti(i-OC_3H_7)_4$. The effect of additives on the polymorph of $TiO_2$film has been examined in view of degree of crystallization. Third-order nonlinear optical properties of the both film have been investigated by the third harmonic generation method. The measured 3rd order nonlinear optical susceptibility of rutile and anatase thin films were about $1.4{\times}10^{-12}$ and $9.7{\times}10^{-13}$ esu, respectively.
Ferroelectric BaTiO3 thin film was produced using BaTi-ethoxide sol. This sol was prepared from BaTi-ethoxide by a partial hydrolysis with ammonia as a basic catalyst and ethylene glycol as a chelating agent. BaTiO3 thin film was prepared from three continuous spin-coating layers of the sol on bare Si(100) wafer at 2500 rpm followed by pyrolysis at $700^{\circ}C$ for 30 min. After the heat treatment, the film was 0.200$\pm$0.010 ${\mu}{\textrm}{m}$ thick and its grain size was 0.059 ${\mu}{\textrm}{m}$. On the other hand, electrical properties were measured for BaTiO3 thin film separately prepared on Au-deposited silicon wafer. The dielectric constant and loss of the BaTiO3 thin film at room temperature was 150~160 and 0.04 respectively, which was measured at 10 kHz and oscillation level of 0.1 V. In the measurements of the dielectric properties at high temperatures, it was observed that the capacitance of the thin film increases steeply, while the dielectric loss reaches maximum around 1$25^{\circ}C$, which corresponds a phase transition from tetragonal to cubic BaTiO3.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.44
no.7
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pp.914-918
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1995
In this study, Pb(Zr$_{x}$ Ti$_{1-x}$ )O$_{3}$ (x=0.65, 0.52, 0.35) thin films were fabricated by Sol-Gel method. A stock solution with excess Pb 10[mol%] of Pb(Zr$_{x}$ Ti$_{1-x}$ )O$_{3}$ was made and spin-coated on the Pt/SiO$_{2}$/Si substrate at 4000[rpm] for 30[sec.]. Coated specimens were dried on the hot-plate at 400[.deg. C] for 10[min.]. Sintering temperature and time were 500~800[.deg. C] and 1~60[min.]. The coating process was repeated 6 times and the final thickness of the thin films were about 4800[A]. To investigate crystallization condition, PZT thin films were analyzed with sintering temperature, time and composition by the XRD. The microstructure of thin fulms were investigated by SEM. The ferroelectric perovskite phases precipitated under the sintering of 700[.deg. C] for 1 hours. In the PZT(52/48) composition, dielectric constant and dielectric loss were 2133, 2.2[%] at room temperature, respectively.ively.
A crack-free ceramic composite membrane with micropores has been synthesized by the pressurized sol-gel coating technique using the mixed Al2O3-SiO2 sols. The mixed sols were prepared by mixing nanoparticulate SiO2 and boehmite sols. These sols were more stable at lower pH, but very unstable when their copositions were in the range of 50~75mol% of SiO2 at the same pH. The mixed Al2O3-SiO2 membrane prepared from the mixed sol (0.2mol/$\ell$ of solid content and pH=2) containing 40mol% of SiO2 had the mean pore radius of 0.80nm and the specific surface area of 280$m^2$/g. The nitrogen permeability through the coated Al2O3-SiO2 layer was 42$\times$107mol/$m^2$.s.Pa. It was found that the thermal stability of aluminosilicate membranes, even through similar to that of SiO2 membranes, was much improved in comparison with ${\gamma}$-alumina membranes.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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