Amorphous Fe$_{79.7}$Si$_{9.3}$B$_{9.7}$Ni$_{1.4}$ ribbon alloys were fabricated by a single roll method. To enhance D. C. bias properties, the magnetic and micro-structural changes have been investigated as the variation of annealing time and condition. The D. C. bias properties were found to be directly related to micro-structural changes. Primary ${\alpha}$-Fe dendrites with 200∼300 nm showed the best D. C. bias properties, which resulted from the magnetic domain wall pinning effect. Due to the differences of cooling rate, the growth shape and distribution of the dendrites is divided into two areas.
Look direction bias in a single look SAR image can often be misinterpreted in the geological application of radar data. This paper investigates digital processing techniques for SAR image data integration and compensation of the SAR data look direction bias. The two important approaches for reducing look direction bias and integration of multiple SAR data sets are (1) principal component analysis (PCA), and (2) wavelet transform(WT) integration techniques. These two methods were investigated and tested with the ERS-1 (VV-polarization) and CCRS*s airborne (HH-polarization) C-SAR image data sets recorded over the Sudbury test site, Canada. The PCA technique has been very effective for integration of more than two layers of digital image data. When there only two sets of SAR data are available, the PCA thchnique requires at least one more set of auxiliary data for proper rendition of the fine surface features. The WT processing approach of SAR data integration utilizes the property which decomposes images into approximated image ( low frequencies) characterizing the spatially large and relatively distinct structures, and detailed image (high frequencies) in which the information on detailed fine structures are preserved. The test results with the ERS-1and CCRS*s C-SAR data indicate that the new WT approach is more efficient and robust in enhancibng the fine details of the multiple SAR images than the PCA approach.
Graphical lasso is one of the most popular methods to estimate a sparse precision matrix, which is an inverse of a covariance matrix. The objective function of graphical lasso imposes an ${\ell}_1$-penalty on the (vectorized) precision matrix, where a tuning parameter controls the strength of the penalization. The selection of the tuning parameter is practically and theoretically important since the performance of the estimation depends on an appropriate choice of tuning parameter. While information criteria (e.g. AIC, BIC, or extended BIC) have been widely used, they require an asymptotically unbiased estimator to select optimal tuning parameter. Thus, the biasedness of the ${\ell}_1$-regularized estimate in the graphical lasso may lead to a suboptimal tuning. In this paper, we propose a two-staged bias-correction procedure for the graphical lasso, where the first stage runs the usual graphical lasso and the second stage reruns the procedure with an additional constraint that zero estimates at the first stage remain zero. Our simulation and real data example show that the proposed bias correction improved on both edge recovery and estimation error compared to the single-staged graphical lasso.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.251-252
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2012
Recently, the growing interest in organic microelectronic devices including OLEDs has led to an increasing amount of research into their many potential applications in the area of flexible electronic devices based on plastic substrates. However, these organic devices require a gas barrier coating to prevent the permeation of water and oxygen because organic materials are highly susceptible to water and oxygen. In particular, high efficiency OLEDs require an extremely low Water Vapor Transition Rate (WVTR) of $1{\times}10^{-6}g/m^2$/day. The Key factor in high quality inorganic gas barrier formation for achieving the very low WVTR required ($1{\times}10^{-6}g/m^2$/day) is the suppression of defect sites and gas diffusion pathways between grain boundaries. In this study, we developed an $Al_2O_3$ nano-crystal structure single gas barrier layer using a Neutral Beam Assisted Sputtering (NBAS) process. The NBAS system is based on the conventional RF magnetron sputtering and neutral beam source. The neutral beam source consists of an electron cyclotron Resonance (ECR) plasma source and metal reflector. The Ar+ ions in the ECR plasma are accelerated in the plasma sheath between the plasma and reflector, which are then neutralized by Auger neutralization. The neutral beam energies were possible to estimate indirectly through previous experiments and binary collision model. The accelerating potential is the sum of the plasma potential and reflector bias. In previous experiments, while adjusting the reflector bias, changes in the plasma density and the plasma potential were not observed. The neutral beam energy is controlled by the metal reflector bias. The NBAS process can continuously change crystalline structures from an amorphous phase to nano-crystal phase of various grain sizes within a single inorganic thin film. These NBAS process effects can lead to the formation of a nano-crystal structure barrier layer which effectively limits gas diffusion through the pathways between grain boundaries. Our results verify the nano-crystal structure of the NBAS processed $Al_2O_3$ single gas barrier layer through dielectric constant measurement, break down field measurement, and TEM analysis. Finally, the WVTR of $Al_2O_3$ nano-crystal structure single gas barrier layer was measured to be under $5{\times}10^{-6}g/m^2$/day therefore we can confirm that NBAS processed $Al_2O_3$ nano-crystal structure single gas barrier layer is suitable for OLED application.
Hye-Nyeong Chung;Shin-Ae Yoon;Hyun-Suk Lee;U-Pyong Hong
Science of Emotion and Sensibility
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v.26
no.2
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pp.103-116
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2023
This study aims to investigate the interaction between inward bias and canonical viewpoint, which are factors known to affect preference for meaningful objects. It also considered the familiarity of each entity in terms of their influence on the existence of a canonical viewpoint and demonstrated whether the relative strength of two preferences varies depending on familiarity. To confirm this, we conducted a behavior experiment using a two-alternative forced-choice task. The experimental stimuli were eight single objects for familiarity level (high/low), whereas the entity's inward bias and canonical viewpoint were observed or violated. Results showed that when inward bias was obeyed, the frequency of being chosen as a preferred option was higher, and the reaction time for preference judgment was shorter. However, the observation of a canonical viewpoint did not affect frequency and reaction time. Moreover, familiarity played an interference role in aesthetic judgment. These results indicate that inward bias is stronger than canonical viewpoint, ultimately implying that a single object's interaction with the visual context is superior to the entity's attribute as regards to preference judgment.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.252-253
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2011
ZnO-based thin film transistors (TFTs) are of great interest for application in next generation flat panel displays. Most research has been based on amorphous indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) TFTs, rather than single binary oxides, such as ZnO, due to the reproducibility, uniformity, and surface smoothness of the IGZO active channel layer. However, recently, intrinsic ZnO-TFTs have been investigated, and TFT- arrayss have been demonstrated as prototypes of flat-panel displays and electronic circuits. However, ZnO thin films have some significant problems for application as an active channel layer of TFTs; it was easy to change the electrical properties of the i-ZnO thin films under external conditions. The variable electrical properties lead to unstable TFTs device characteristics under bias stress and/or temperature. In order to obtain higher performance and more stable ZnO-based TFTs, HZO thin film was used as an active channel layer. It was expected that HZO-TFTs would have more stable electrical characteristics under gate bias stress conditions because the binding energy of Hf-O is greater than that of Zn-O. For deposition of HZO thin films, Hf would be substituted with Zn, and then Hf could be suppressed to generate oxygen vacancies. In this study, the fabrication of the oxide-based TFTs with HZO active channel layer was reported with excellent stability. Application of HZO thin films as an active channel layer improved the TFT device performance and bias stability, as compared to i-ZnO TFTs. The excellent negative bias temperature stress (NBTS) stability of the device was analyzed using the HZO and i-ZnO TFTs transfer curves acquired at a high temperature (473 K).
Seo, M.S.;Deshpande, N.G.;Lee, S.J.;Lee, Y.P.;Rhee, J.Y.;Kim, K.W.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.436-436
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2011
Recently, spintronic devices with submicron structures are widely investigated to take advantage of their unique micromagnetic properties. In this work, we study the temperature dependence of exchange bias in bilayer anti-dot arrays made by depositing Co (40 nm)/Ni (5 nm) ferromagnetic bilayer on Si substrate to form anti-dot arrays with a diameter $1{\mu}m$. The anti-dot patterning was done only for the upper Co layer, while the Ni underlayer was kept unperforated. The temperature dependences of magnetoresistance (MR) and exchange bias were studied along magnetic easy and hard axes. The in-plane MR measurements were performed using a physical-property measurement system (PPMS ; Quantum Design Inc.) at various temperatures. The standard in-line four-point probe configuration was used for the electrical contacts. As temperature was varied, the MR data were obtained in which in-plane field (H=3 kOe) was applied in the directions along the hard and the easy axes with respect to the lattice plane. The temperature dependences of magnetic anisotropy and exchange bias were also studied along the magnetic easy and hard axes. As temperature decreases, the single peak splits into two peaks. While no exchange bias was observed along the magnetic easy axis, the exchange bias field steadily increased with decreasing temperature along the magnetic hard axis. These results were interpreted in connection with the magnetic anisotropy and the effect of the anti-dots in pinning domain wall motion along the respective direction.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.19
no.1
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pp.321-330
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2018
This study aims to analyze anti-bias education activities for young children in Korea by reviewing related research. Focusing on the themes of biases and teaching medium/methods applied in the research, it tends to enhance general understanding about anti-bias education activities for young children. For this purpose, a total of 125 research papers published from 1995- 2017 dealing with anti-bias activities/programs for young children were analyzed. The results of this study were as follows: In terms of the period of research, almost half of the studies (53 studies) were conducted from 2000- 2004. Regarding the themes of biases covered in the education activities, single bias related activities included 64.8% of the total studies reviewed, and the main themes of bias included disability and gender. In studies that included multiple bias themes, more than half investigated from three to five different bias themes, including appearance, family, disability, gender, race, and culture. The most common teaching medium/method applied in activities was children's story, accounting for 60.8% of all activities. The following was utilizing inclusive environment, which was 14.4% of the activities. Based on these findings, this study would help systematize the contents of anti-bias education and develop diverse teaching-learning approaches.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.1050-1053
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2001
There is great interest in developing magnetoresistance(MR) sensor, using ferromagnetic, electrically non-magnetic conducting and antiferromagnetic films, especially for the use in weak magnetic fields. Here, we report single and Wheatstone-bridge type of MR sensors made in Si(001)/HiO(300$\AA$)/NiFe bilayers. Angular dependence of MR profiles was measured in Si(001)/NiO(300$\AA$)/NiFe(450$\AA$) films as a function of an angle between current and applied field direction, also, linearity was determined. AMR characteristics of single MR sensors was well explained with single domain model. Good linearity in 45$^{\circ}$Wheatstone-bridge type of MR sensors consisting of 4 single MR sensors made in Si(001)/NiO(300$\AA$)/NiFe(450$\AA$) was shown in the range of about $\pm$50 Oe.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.36
no.1
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pp.56-61
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2023
The characteristics of write discharge were investigated when the conventional driving method with the unipolar sustain voltages, and the single sustain driving method applying the bipolar sustain voltage were applied in an AC plasma display. In the case of having a single sustain waveform, the strength of the write discharge is weakened compared to the conventional driving method during the address period, because the wall charge inside the panel is more dissipated by the lower scanning voltage. In the driving method with a single sustain waveform, the bias voltage of the other electrodes was changed to improve the write discharge characteristics. As a result, the intensity of the discharge was enhanced by 32% and the delay time was shortened by 60 ㎲.
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