• 제목/요약/키워드: Silicon Fen

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빔 위치변화에 따른 4빔 압저항형 실리콘 가속도 센서의 제조 및 특성비교 (Fabrication and Characteristics Comparison of Piezoresistive Four Beam Silicon Accelerometer Based on Beam Location)

  • 신현옥;손승현;최시영
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D권7호
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    • pp.26-33
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    • 1999
  • 4빔 브릿지형 압저항형 실리콘 가속도 센서에서 빔의 위치가 가속도 센서의 특성에 어떤 영향을 주는지 조사하기 위해서 빔의 위치가 서로 다른 3가지 형태의 가속도 센서를 FEM(finite element method)을 사용하여 해석하고, SDB(silicon direct bonding) 웨이퍼를 사용하여 RIE(reactive ion etching)와 KOH(potassium hydroxide) 애칭 공정으로 제조하였다. 세가지 형태의 가속도 센서에 대한 FEM 해석 경과, 첫 번째 공진 주파수와 Z축 감도는 세구조 모두 같게 나타났으나, 두 번째와 세 번째의 공진 주파수 및 X, Y축의 감도는 다른 것으로 나타났다. 제조된 가속도 센서의 특성을 살펴볼 때, 세 가지 형태의 센서는 비록 첫 번째 공진 주파수와 Z축 감도가 정확하게 일치하지는 않았지만, 첫 번째 공진 주파수는 1.3 ~ 1.7 KHz, Z축 감도는 5 V 인가시 180 ~ 220 lN/G, 타축감도는 1.7 ~ 2 %를 가지는 것으론 나타났다.

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클러스터의 동태적 진화와 대학의 역할 - 케임브리지 클러스터를 사례로 - (The Dynamic Evolution of the Cambridge Cluster and the Entrepreneurial University)

  • 이종호;이철우
    • 한국지역지리학회지
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    • 제21권3호
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    • pp.489-502
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    • 2015
  • 실리콘펜 또는 케임브리지 현상으로도 알려져 있는 케임브리지 클러스터는 생명공학 산업 및 정보통신 산업에 특화되어 있는 혁신 클러스터로 잘 알려져 있다. 본 연구는 케임브리지 클러스터의 진화구조를 트리플힐릭스 관점을 중심으로 고찰한 것이다. 케임브리지 클러스터는 케임브리지대학을 중심축으로 형성된 자연발생적 클러스터로 간주할 수 있으나, 오늘날 케임브리지가 세계적인 첨단산업 클러스터의 기반을 갖추게 된 밑바탕에는 1960년대 후반에 결성된 산-학-관 협력체인 '케임브리지지역발전위원회'의 활동과 그 결과로 만들어진 모트보고서가 중요한 영향을 미쳤다. 그 후 1970년대부터 본격화된 클러스터의 성장과정에는 케임브리지대학의 칼리지들이 조성하기 시작한 사이언스 파크와 케임브리지대학의 스핀오프(스핀아웃) 활동이 활발하게 나타났다. 클러스터 진화의 역동성을 주도하는 지역 내 스핀오프 활성화의 기저에는 케임브리지 지역에 오랜 세월 누적되어 온 기업가주의 문화와 창업 및 기업 활동을 촉진하는 기업가 네트워크와 사회자본의 영향이 중요하게 작용했다. 그러나 2000년대 들어 대학의 재정 지원을 축소하고 기업가적 대학으로의 전환을 유도하는 정부의 정책기조가 심화됨에 따라 케임브리지대학의 스핀오프 활동은 크게 위축되었고, 이것이 케임브리지 클러스터의 역동적 진화를 위협하는 요소로 작용하고 있다.

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