• 한국결정성장학회지
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• 제9권2호
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• pp.173-179
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• 1999

본 연구에서는 비정질 규소 박막의 결정화를 촉진시키기 위하여 표면 활성화 처리의 영향을 관찰하였다. 표면 활성화 방법으로는 습식 연마법(Wet Blasting)과 Nd:YAG 레이저의 빔을 사용하였고, 700~$800^{\circ}C$에서 관상로 열처리를 행하여 고살 결정화에 미치는 영향을 보았다. 결정화 정도의 기준으로는 XRD 분석을 통해 얻은 (111) 피크강도를 이용하였으며, 결정의 품질을 분석하기 위해 Raman 분석을 행하였다. 결정화의 표면 형상에 대한 관찰은 주사전자 현미경(SEM)을 사용하였다. 본 실험 결과 표면 활성화 처리는 비정질 규소박막의 결정화를 촉진하고, 결정의 품질을 향상시키는 것으로 확인되었다. 습식 연마법(Wet Blasting)의 경루 2 Kgf/$\textrm{cm}^2$의 압력이 가장 효과적이었고, 레이저의 에너지는 100~200mJ/$\textrm{cm}^2$가 효과적이었다. 이것은 표면활성화처리를 통하여 비정질 실리콘 박막의 표면에 strain energy가 형성되어 결정화에 필요한 엔탈피에 영향을 미친 효과 때문으로 예상된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제45권3호
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• pp.142-145
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• 2008

The growth of amorphous silica nanowires by on-site feeding of silicon and oxygen is reported. The nanowires were grown on a nickel-coated oxidized silicon substrate without external silicon or oxygen sources. Transmission electron microscopy observation revealed that the nanowires, which have diameters of less than 50 nm and a length of several micrometers, were grown using a traditional vapor-liquid-solid mechanism. Blue photoluminescence was observed from these nanowires at room temperature. An approach to grow nanowires without external precursors may be useful when integrating nanowires into devices structures. This can benefit the fabrication of nanowire-based nanodevices.

• 한국광물학회지
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• 제22권3호
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• pp.191-197
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• 2009

고순도 금속급 실리콘 제조에서는 원료가 되는 실리카 광물의 $SiO_2$ 품위가 매우 중요한 요소이다. 베트남 규사광에 대한 광물학적 분석결과를 토대로, 석영과 불순광물의 광물학적 특성차이를 이용하는 분급, 비중 및 자력선별을 포함하는 물리적 종합정제공정을 구성하여 적용시켰다. $SiO_2$ 품위 99.8 wt% 이상의 고순도 규사 정광을 93 wt% 이상 회수하였다. 이러한 고순도 규사 정광은 금속급 실리콘의 순도 규격에 적합하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제43권6호
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• pp.327-332
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• 2006

The effect of the processing parameters on the sintered density and strength of silica-bonded SiC (SBSC) ceramics was investigated for three types of batches with different particle sizes. The SBSC ceramics were fabricated by an oxidation-bonding process. The process involves the sintering of powder compacts in air so that the SiC particles bond to each other by oxidation-derived $SiO_2$ glass or cristobalite. A finding of this study was that a higher flexural strength was obtained when the starting powder was smaller. When a ${\sim}0.3_{-{\mu}m}$ SiC powder was used as a starting powder, a high strength of $257{\pm}42\;MPa$ was achieved at a relative density of ${\sim}80%$.

• 통합자연과학논문집
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• 제3권3호
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• pp.153-156
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• 2010

Oxidation behaviors of porous silicon were investigated by the measurement of area of $SiO_2$ vibrational peaks in FT-IR spectra during thermal oxidation of porous silicon at corresponding temperatures. Visible photoluminescent porous silicon samples were obtained from an electrochemical etch of n-type silicon of resistivity between 1-10 ${\Omega}/cm$. The etching solution was prepared by adding an equal volume of pure ethanol to an aqueous solution of HF. The porous silicon was illuminated with a 300 W tungsten lamp for the duration of etch. Etching was carried out as a two-electrode galvanostatic procedure at applied current density of 200 $mA/cm^2$ for 5 min. The porosity of samples prepared was about 80%. After formation of porous silicon, the samples were thermally oxidized at $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, and $400^{\circ}C$, respectively. The growth rate of $SiO_2$ layer of porous silicon was investigated by using FT-IR spectroscopy. The effect of oxidation of porous silicon was presented.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권6호
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• pp.594-597
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• 2002

플라즈마 화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 p-type Si(100) 웨이퍼에 Silicon Oxynitride(SiON) 후막을 SiH$_4$ , $N_2$O, $N_2$ 가스를 혼합하여 증착하였다. Prism coupler측정을 통해 SiON 후막의 굴절률 1.4620~1.5312을 얻었으며, rf power가 180 W에서 5.92$\mu$m/h의 증착률을 나타내었다. 증착변수에 따른 화학적 조성의 영향은 X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS) 을 통하여 관찰하였다. 또한, SiON 후막 증착후에 $1.5\mu$m 부근의 흡수띠를 제거하기 위해 105$0^{\circ}C$의 $N_2$ 분위기에서 2시간 동안 열처리를 행하였다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제5권2호
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• pp.119-124
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• 1999

Silicon nitride ceramics with highly oriented microstructure were prepared by tape casting a slurry containing 5 wt% of the silicon nitride whiskers. The whiskers were aligned in the casting direction and worked as seeds for the grain growth. The anisotropy was observed from the sintering shrinkage, Vickers indentation crack lengths, and XRD patterns. The cracks were much longer on the surface normal to the aligned grains than on the tape casting surface where the lateral cracks were also observed. The effect of sintering additives and the annealing treatment on the indentation crack length was examined. The sample with higher silica content had longer cracks than the one with lower silica content. The crack length anisotropy increased after annealing at 2123K.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권5호
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• pp.518-525
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• 1996

본 고에서는 유리 집적광센서의 제작에 적합한 유리재료들의 종류와 특성을 설명하였으며, 이들 유리의 종류에 맞도록 개발되어진 제작기술 중에서 이온교환(Ion exchange)방법과 silica-on-silicon(SOS)방법을 소개하였다. 그리고 이러한 공정기술을 이용하여 제작되어진 유리 집적광센서 중에서 물체의 거리를 측정하기 위한 마이클슨 간섭계(michelson interferometer)와 물질의 농도를 측정하기 위한 화학센서(chemical sensor)들을 소개하였다.

• 통합자연과학논문집
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• 제3권4호
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• pp.219-225
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• 2010

On the surface of mesoporous silica thin films (MSTF) which were fabricated by sol-gel approach there are existences of water and three different silanol types including chained, germinal and isolated silanol. Their amounts changes as a function of aging time of used sol solution, as confirmed by FT-IR. The adsorbed water generates ionic carriers such as H+ and OH- and passivates the Si dangling bonds at the interface of silicon wafer-MSTF. The ionic carriers can not only transport across the thickness of thin film to enhance the leakage current but also diffuse toward the silicon wafer-MSTF interface to depassivate Si dangling bonds. On the other hand, chained silanols or germinal silanols promote the moisture adsorption of MSTF and tend to form strongly hydrogen bonded systems with adsorbed water molecules resulting in very high dielectric constant. Isolated silanol, on the contrary, affects less on electrical properties of thin film.

• 유기물자원화
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• 제31권3호
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• pp.5-13
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• 2023

본 연구에서는 반도체 공정에서 발생하는 폐실리콘 슬러지를 활용하여 고부가가치의 실리카 나노입자로 합성하는 방법들에 대한 비교 연구를 수행하였다. 상세히는, 폐실리콘 슬러지 내에 존재하는 금속과 유기 불순물을 산세 처리를 통해 제거한 뒤 졸-겔법과 수열합성법을 통해 실리카 나노입자로 제조하였다. 두 가지 합성법을 통해 제조된 실리카 나노입자에 대한 다양한 형상 및 특성 분석을 진행하였다. 그 결과, 졸-겔법으로 제조된 실리카 나노입자는 순도가 높고 균일한 형상으로 합성되었으며, 수열합성법은 수율과 단순한 제조법의 이점을 확인할 수 있었다. 본 비교 연구는 폐실리콘 슬러지에서 실리카 나노입자를 제조하는 두 가지 합성법에 대한 상세한 실험 결과를 제시하여, 반도체 공정에서 발생하는 부산물을 활용한 고부가가치 소재 제조법 정립에 기여할 것으로 기대된다.