Intermolecular hydrogen-bonding between phenol and N,N'-dimethylanilines (DMA) has been studied by infrared spectrophotometry. Results show that DMA acts as n-and ${\pi}$-donor although n-complex predominates. O-H stretching frequency shifts (${\Delta}{\nu}$) were proportional to basicitys of DMA and excellent linearity was observed between ${\Delta}{\nu}$ and the Hammett substituent constant, ${\sigma}$.
Hexagonal $\delta$-FeOOH was coated with Ba-Sol, which was produced by hydrolizing Ba(OC2H5)2, Ba-Sol coated $\delta$-FeOOH spread on a stainless plate, dried at 8$0^{\circ}C$ and then heat-treated. In this way, Ba-ferrite fine particles were produced. although there was a difference in a degree of hydrolysis of Ba(OC2H5)2, crystalline phase of Ba-ferrite appeared around 617$^{\circ}C$, and Ba-ferrite single phase was obtained after heat treatment at 80$0^{\circ}C$ for 2 hr. When Ba-ferrite was made from Ba-Sol coated $\delta$-FeOOH, $\delta$-FeOOH was thermally decomposed to $\alpha$-Fe2O3 at $700^{\circ}C$, producing a porous structure which was observed by TEM photographs. But the porous structure was not observed at 80$0^{\circ}C$. Ba-ferrite, heat-treated at 80$0^{\circ}C$ for 2 hr, had mean particle size of 1000$\AA$, lattice parameter of a0=5.889243 $\AA$ and c0=23.214502 $\AA$, a saturation magnetization ($\sigma$8) of 45.3 emu/g and a coercive force (Hc) of 5200Oe.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics C
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v.35C
no.6
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pp.39-47
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1998
A fourth-order $\Sigma$-$\Delta$ modulator is designed and implemented in 0.6 $\mu\textrm{m}$ CMOS technology. The modulator is verified by introducing nonlinear factors such as DC gain and slew rate in system model that determines the transfer function in S-domain and in time-domain. Dynamic range is more than 110 dB and the peak SM is 102.6 dB at a clock rate of 2.8224 MHz for voiceband signal. The structure of a ∑-$\Delta$ modulator is a modified fourth-order ∑-$\Delta$ modulator using direct feedback loop method, which improves performance and consumes less power. The transmission zero for noise is located in the first-second integrator loop, which reduces entire size of capacitors, reduces the active area of the chip, improves the performance, and reduces power dissipation. The system is stable because the output variation with respect to unit time is small compared with that of the third integrator. It is easy to implement because the size of the capacitor in the first integrator, and the size of the third integrator is small because we use the noise reduction technique. This paper represents a new design method by modeling that conceptually decides transfer function in S-domain and in Z-domain, determines the cutoff frequency of signal, maximizes signal power in each integrator, and decides optimal transmission-zero frequency for noise. The active area of the prototype chip is 5.25$\textrm{mm}^2$, and it dissipates 10 mW of power from a 5V supply.
This work presents the effect of the cooling rate on the precipitation of super duplex stainless steel. Specimens of super duplex stainless steel with a specific composition were cooled at various cooling rates after being melted at $1550^{\circ}C$ in a directional solidification furnace. Ferrite (${\delta}$), Austenite (${\gamma}$), Sigma (${\sigma}$), and Chi (${\chi}$) phases were precipitated when the cooling rate was lower than 0.22 K/s. When the cooling rate was 0.22 K/s or faster, ${\sigma}$ and ${\chi}$ phases were not precipitated.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.8
no.4
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pp.311-317
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2008
The measurement of dark ${\sigma}_D$, gamma-induced ${\sigma}_{\gamma}$ conductivities and the expected conductivity modulation ${\Delta}_{\sigma}$ in silicon wafers/samples is studied for developing a new technique for carrier lifetime evaluation. In this paper a simple method is introduced to find the carrier lifetime variations with the measured conductivity and conductivity modulation under dark and gamma irradiation conditions. It will be concluded that this simple method enables us to give an improved wafer evaluation, processing and quality control in the field of photovoltaic materials and other electronic devices.
It is well-known that the sample mean and the sample variance are jointly sufficient under normality assumption. In this paper a proof of the joint sufficiency is given without using the factorization criterion. It is related to a finite Sanov-type conditional theorem, i.e., the conditional probability density of $Y_1$ given sample mean $\mu$ and sample variance $\sigma^2$, where $Y_1, Y_2, \cdots, Y_n$ are independently and identically distributed (i.i.d.) normal random variables with mean m and variance $\delta^2$, equals that of $Y_1$ given sample mean $\mu$ and sample variance $\sigma^2$, where $Y_1, Y_2, \cdots, Y_n$ are i.i.d. normal random variables with mean $\mu$ and variance $\sigma^2$.
Chemical shift values of ${\alpha}$-proton of trans- and cis-methyl cinnamates are well correlated with ${\sigma}({\sigma}_1,\; {{\sigma}_R}^{\alpha})$, and (F, R) (r=0.999-0.879). It is observed that (1) the degree of variation of ${\delta}H_{\alpha}$ value by varying the substituents in trans-cinnamates is similar to that of cis-cinnamates $({\rho}_{trans}=0.296,\;{\rho}_{cis}=0.2840, (2) resonance contribution is larger in the trans-cinnamates than that in the cis-cinnamates, but inductive contribution is reversed, (3) for m-substitued derivatives, resonance contribution is very small compared to that for p-substituted derivatives.
Kim, Y.H.;Jang, A.Y.;Choi, C.H.;Kang, D.H.;Jeon, J.H.;Byun, J.C.;Jung, G.H.;Lee, S.H.;Lee, H.W.
Proceedings of the KWS Conference
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2010.05a
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pp.21-21
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2010
AISI 316L 용접금속의 크롬/니켈 당량비에 따른 시그마상의 영향을 알아보기 위하여 응고모드가 다른 3종류의 플럭스 코어드 와이어를 제작하였다. AISI 316L 시편에 FCAW 프로세스를 적용한 용접재를 $650^{\circ}C$, $750^{\circ}C$, $850^{\circ}C$, $950^{\circ}C$에서 각 각 1H, 5H, 24H, 72H동안 열처리하였다. 크롬/니켈 당량비가 높을수록 즉, 크롬의 함량이 높아질수록 $\delta$-페라이트 함량은 증가하였으며, $\delta$-페라이트는 고온에서 시그마상으로 변태되었다. $\delta$-페라이트는 $650^{\circ}C$에서 가장 느리게 분해되었으며 $850^{\circ}C$에서 가장 활발히 분해되었다. 용접부의 특성상 크롬과 니켈 등의 합금원소에 의하여 응고온도범위가 넓어져 $950^{\circ}C$에서도 시그마상이 석출되었으며, 5시간 이상 유지 시 구형으로 존재하였다. 충격시험 시 시그마상에 의해 취약해진 inter-dendrite 를 따라 파면이 형성되었으며, $-100^{\circ}C$이하의 극저온에서는 시그마상의 양과 무관하게 충격흡수에너지는 0에 가까워졌다. 하지만 3%미만의 $\delta$-페라이트를 함유하는 AF모드에서 발생한 DDC와 미량의 시그마상은 충격흡수에너지에 결정적인 영향을 미치지 않았다.
The recent tendency in the automobile industries is toward light weighting vehicle body to improve the problems by environmental pollution as well as improving fuel cost. The effective way to reduce the weight of vehicle body seems to be application of new materials for body structure and such trend is remarkable. Among the various materials for vehicle body, stainless steel sheet (for example, 301L and 304L), TRIP steel and cold rolled steel sheets are under the interests. However, in order to guarantee reliability of new material and to establish the long life design criteria of body structure, it is important and require condition to assess spot weldability of them and fatigue strength of spot welded lap joints which were fabricated under optimized spot welding condition. And, recently, a new issue in the design of the spot welded structure is to predict economically fatigue design criterion without additional fatigue tests. In general, for fatigue design of the spot-welded thin sheet structure, additional fatigue tests according to the welding condition, material, joint type, and fatigue loading condition are generally required. This indicates that much cost and time for it should be consumed. Therefore, in this paper, the maximum stresses at nugget edge of spot weld were calculated through nonlinear finite element analysis first. And next, obtained the ${\Delta}P-N_{f}$ relation through the actual fatigue tests on spot welded lap joints of similar and dissimilar high strength steel sheets. And then, the ${\Delta}P-N_{f}$ relation was rearranged in the ${\Delta}{\sigma}-N_{f}$ relation. From this ${\Delta}{\sigma}-N_{f}$ relation, developed the fatigue design technology for spot welded lap joints of them welded using the optimized welding conditions.
Let ${\pi}_1,...,{\pi}_{k}$k($\geq$2) independent logistic populations such that the cumulative distribution function (cdf) of an observation from the population ${\pi}_{i}$ is $$F_{i}\;=\; {\frac{1}{1+exp{-\pi(x-{\mu}_{i})/(\sigma\sqrt{3})}}},\;$\mid$x$\mid$<\;{\infty}$$ where ${\mu}_{i}(-{\infty}\; < \; {\mu}_{i}\; <\; {\infty}$ is unknown location mean and ${\delta}^2$ is known variance, i = 1,..., $textsc{k}$. Let ${\mu}_{[k]}$ be the largest of all ${\mu}$'s and the population ${\pi}_{i}$ is defined to be 'good' if ${\mu}_{i}\;{\geq}\;{\mu}_{[k]}\;-\;{\delta}_1$, where ${\delta}_1\;>\;0$, i = 1,...,$textsc{k}$. A selection procedure based on sample median is proposed to select a subset of $textsc{k}$ logistic populations which includes all the good populations with probability at least $P^{*}$(a preassigned value). Simultaneous confidence intervals for the differences of location parameters, which can be derived with the help of proposed procedures, are discussed. If a population with location parameter ${\mu}_{i}\;<\;{\mu}_{[k]}\;-\;{\delta}_2({\delta}_2\;>{\delta}_1)$, i = 1,...,$textsc{k}$ is considered 'bad', a selection procedure is proposed so that the probability of either selecting a bad population or omitting a good population is at most 1 $P^{*}$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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