급경사 산지하천 수충부의 호안은 대부분 콘크리트 옹벽으로 되어있다. 표면이 매끄러운 콘크리트 옹벽호안은 유속을 더 강화시키기 때문에 수충부 홍수피해의 원인이 되기도 한다. 본 연구에서는 개수로의 한 측벽에 설치한 정사각형 단면의 세로돌출줄눈이 흐름저항에 미치는 영향을 파악하기 위해 수리실험을 수행하였다. 돌출줄눈의 설치간격은 무차원 돌출줄눈 간격 ${\lambda}_{nv}$를 기준으로 조도유형 d형과 k형을 포함하도록 설계하였다. 흐름의 Froude 수는0.81~1.12의 범위였다. 흐름저항은 돌출줄눈의 설치간격과 유량에 좌우되었다. ${\lambda}_{nv}$가 9일 때 흐름저항이 가장 큰 것으로 나타났다. 세로돌출줄눈은 유량이 증가하면 d형 조도에서는 흐름저항을 감소시켰으나 k형 조도에서는 흐름저항을 증가시켰다. 흐름저항의 증가폭은 ${\lambda}_{nv}$이 9~12의 범위에서 상대적으로 더 크게 나타났다. 세로돌출줄눈에 의한 흐름저항은 대부분 형상저항에 의한 것이며 그 등가조도높이는 수심규모로 발생할 수 있고 흐름저항에 미치는 영향이 매우 크다. 측벽의 세로돌출줄눈은 흐름저항을 증가시키고 최대유속의 발생위치를 수로의 횡단면 중앙방향으로 이동시키는 수단으로 사용될 수 있을 것이다.
PET, 나일론 등과 같이 타이어코드용으로 사용되는 섬유는 타이어 내에서 계속적인 신장, 굽힘 및 압축변형을 받기 때문에 이들로 인하여 내피로성이 아주 중요한 의미를 가진다. 일반적으로 타이어는 Tread, Bead, Carcass, Sidewall, Belt 등으로 구성되어 있는데, 여기에서 타이어 코드용 섬유는 타이어의 뼈대를 이루는 것으로 타이어의 성능과 수명을 좌우하는 아주 중요한 소재인 것이다[1-2]. (중략)
Cui, Hao;Zhang, Xiaoxing;Zhou, Yongjian;Zhang, Jun
Carbon letters
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제26권
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pp.61-65
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2018
Comprehensive calculations of the Rh decoration effect on zigzag CNTs with n ranging from 7 to 12 were conducted in this work to understand the effect of Rh doping on geometric structures and electronic behaviors upon metallic and semiconducting CNTs. The obtained results indicated that Rh dopant not only contributes to the deformation of C-C bonds on the sidewall of CNTs, but also transforms the electron distribution of related complexes, thereby leading to a remarkable increase of the conductivity of pure CNTs given the emerged novel state within the energy gap for metallic CNTs and the narrowed energy gap for semiconducting CNTs. Our calculations will be meaningful for exploiting novel CNT-based materials with better sensitivity to electrons and higher electrical conductivity compared with pure CNTs.
본 연구에서는 토목섬유의 일종인 지오셀과 새로 고안된 폐타이어로 제작된 타이어셀, 타이어 매트의 지반보강 효과를 비교ㆍ고찰 하였다. 동일한 밀도, 복토두께 조건에서 실험용 토조내 평판재하시험을 수행하였다. 시험결과 타이어셀과 타이어측면의 조합 보강재가 가장 큰 지지력 증가와 침하량 감소를 나타내었다. 타이어셀과 같은 높이로 만든 지오셀의 보강효과는 타이어측면으로 만든 매트와 유사한 보강효과를 나타냈다.
This study presented the reinforcing effect of sands by newly devised $Tirecell^{(R)}$ made by waste tires, tire mat by sidewalls of tires and Geocell. Plate loading tests were conducted for different reinforcing materials at the same condition. The combination of Tirecell and sidewall gives the highest increase of bearing capacity and reduction of settlement. The Geocell with the same hight of Tirecell gives similar reinforcement effect to the tire mat made by sidewalls.
도시 내에서 기반시설을 확충하기 위해 지하공간의 활용이 급증하고 있으며, 이에 따라 얕은터널의 수요가 늘고 있다. 도시 내 얕은터널은 자체 안정성 뿐만 아니라 상부 건축물과 터널 주변 지중매설물의 안전성도 확보해야 하는 특성이 있다. 지금까지 얕은터널에 대한 연구는 천단부나 측벽부 등 국부적 변형에 따른 주변지반 거동에 집중되었고 터널 전체의 변형에 따른 주변지반의 거동을 연구한 예가 거의 없다. 따라서, 본 연구에서는 터널 전체의 변형에 의해 발생되는 주변지반 거동의 모형시험을 수행하여 분석하고 그 안정성을 검토하였으며, 이를 위해 터널 상부지표의 경사와 토피별로 구분하여 모형시험을 수행하였다. 모형터널(폭 300 mm, 높이 200 mm)은 도로 2차선 터널 단면을 기준으로 수직 수평방향으로 동시에 내공변위가 일어나도록 제작하였으며, 모형지반은 3가지 규격(직경 4 mm, 6 mm, 8 mm)의 탄소봉으로 조성하였고, 터널 전체를 변형시키면서 터널 토피와 상부지표의 경사에 따른 지표침하, 천단하중, 측벽하중, 하중전이를 측정하였다. 그 결과 얕은터널의 지표침하는 터널상부에서 가장 크게 발생하였고, 터널에서 멀어질수록 감소하여 일정영역을 벗어나면 발생하지 않았으며, 경사지에서는 토피가 높은 곳의 지표침하가 넓게 나타났다. 천단하중과 측벽하중은 지표경사의 영향이 뚜렷하였으나 토피가 일정깊이 이상이면 지표경사의 영향을 받지 않았다. 터널의 하중전이는 수평지표에서는 토피가 높을수록, 경사진 지표에서 지표가 높을수록 하중전이 폭이 넓고 크기가 작게 나타났으며, 경사진 지표 하부 얕은 터널에서는 토피가 낮은 쪽의 터널 측벽부 주변 하중전이가 뚜렷하게 나타났다.
The development of low rolling resistance tire with weight reduction in tire and vehicle may induce high level of tire/road noise, especially the rumble road noise on rough road. In this paper, the design factor for good rumble noise is considered in view of tire and vehicle. For the 3 mid-sized sedans, the rumble noise is very sensitive to the test vehicle. And it is concluded that the tire with high tread part stiffness and low sidewall part stiffness shows best rumble noise performance, and the rumble noise is in trade-off relation with cavity resonance noise. So, it is desirable to select and change proper construction design factors to have good tire/vehicle rumble noise.
Jeong, C.;Song, K.;Park, C.;Jeon, Y.;Lee, D.;Ahn, J.
한국표면공학회지
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제29권6호
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pp.869-875
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1996
In this article the effects of process parameters of inductively coupled plasma etching with $SF_6$ /$N_2$/Ar mixture gas and mask materials on the etched profile of W were investigated. While the etched profile was improved by $N_2$-addition, low working presure, and reduced $SF_6$ flow rate, the etching selectity (W against SAL resist) was decreased. Due to the difficulty of W etching with single layer resist, sputter deposited $Al_2O_3$ film was used as a hardmask. Reduction of required EB resist thickness through $Al_2O_3$ mask application could reduce proximity effect during e-beam patterning, but the etch anisotropy was degraded by decreased sidewall passiviation effect.
We developed three dimensional Monte carlo ion implantation simulator which simulate distributions of impurities under the ion implantation on the tilted multi-layered layer. Our simulation reveals three dimensional shadow effect and sidewall scattering effect due to the geometrical shapes. For the evaluation of the developed three dimensional Monte carlo ion implantation simulator, calculations with 100,000 ions have been performed for the island and hole structures with a thin oxide of 100$\AA$ and nitride of 2000$\AA$. The simulation results showed that the distribution of ion decreases near the conner of the hole structure covered with a nitride layer and increases near the conner for the island structure open to oxide. Moreover, three dimensional distributions of ions were obtained with varying incident energy, tilt and rotation angle, mask depth and three-dimensional structure geometry.
In this paper, we present the effect on a novel transmission line filter response by the etch hole position on the suspended ground and the residue on the resonator under ground plane. We defined the etch hole offset as the distance from the sidewall of the suspended ground to the nearest side of the etch holes. We simulated new filter responses to reflect the real value of the changed etch hole offset caused by characteristics of negative photoresist. Return loss is distorted by the residue on the center conductor remained after sacrificial layer removing. By comparison of simulation and measurements, we concluded the residue on the resonator distorted the RF response worse than etch hole offset variation did.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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