• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2003.11a
• /
• pp.225-225
• /
• 2003

실리카글라스를 기초로 하는 PLC소자는 가격, 광 손실 성질과 광섬유와의 결합효율이 좋아 광통신에 응용되어지고 있으며 Ge 도핑된 실리카 글라스는 PLC소자의 코어물질로 널리 사용되고 있다. 소작제작을 위해서는 높은 식각률과 깨끗하고 적은 표면손상을 얻어야 하므로 유도결합플라즈마를 이용한 건식식각공정개발이 이루어 져야 한다. 본 연구에서는 Ge 도핑된 실리카글라스의 식각특성을 연구하기 위해 $C_2$F/6 와 NF$_3$가스를 사용하였고 ICP power, bias power, 압력, 플라즈마와 샘플간의 거리를 변화시키면서 식각속도, 표면거칠기, 메사수직도, 마스크선택도등 기본공정 조건을 연구하고 첨가가스(CH$_4$, $O_2$), 마스크 물질(Ni, Cr, PR) 도핑농도(0.3, 0.45, 0.7%)등을 변화시키면서 식각특성을 연구하였다. 그 결과 300nm/min, 정도의 식각속도를 가지고 수직한 메사각도(~89$^{\circ}$)와 미려한 표면(표면거 칠기 1.5nm 이하)를 갖는 결과를 얻었다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
• /
• v.23 no.2
• /
• pp.207-212
• /
• 2012

In this work, a 70/140 GHz dual-band push-push voltage controlled oscillator(VCO) has been developed based on a 0.18-${\mu}m$ SiGe BiCMOS technology. The lower band and the upper band oscillation frequency varied from 67.9 GHz to 76.9 GHz and from 134.3 GHz to 154.5 GHz, respectively, with tuning voltage swept from 0.2 to 2 V. The calibrated maximum output power for each band was -0.55 dBm and -15.45 dBm. The VCO draws DC current of 18 mA from 4 V supply.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
• /
• v.22 no.2
• /
• pp.199-207
• /
• 2011

A Ku-band low noise amplifier has been designed and fabricated by using 0.25 um SiGe BiCMOS process. The developed Ku-band LNA RFIC which has been designed with hetero-junction bipolar transistor(HBT) in the BiCMOS process have noise figure about 2.0 dB and linear gain over 19 dB in the frequency range from 9 GHz to 14 GHz. Optimization technique for p-tap value and electro-magnetic(EM) simulation technique had been used to overcome the inaccuracy in the PDK provided from the foundry service company and to supply the insufficient inductor library. The finally fabricated low noise amplifier of two fabrication runs has been implemented with the size of $0.65\;mm{\times}0.55\;mm$. The pure amplifier circuit layout with the reduced size of $0.4\;mm{\times}0.4\;mm$ without the input and output RF pads and DC bais pads has been incorporated as low noise amplication stages in the multi-function RFIC for the active phased array antenna of Ku-band satellite VSAT.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.157-157
• /
• 2011

박막형태로 제작이 가능한 비정질 실리콘은 결정질 실리콘에 비하여 AM-1 (Air Mass 1:100mW/cm2)조건하에서 10-3 S/cm 정도의 높은 광전기전도도와 가시광선 영역($4000{\sim}7000{\AA}$)에서 약 10배의 높은 광흡수계수를 가지며, $300^{\circ}C$ 이하의 낮은 기판온도에서 다양한 기판위에 대면적으로 제작이 가능할 뿐만 아니라 제작공정이 단순하여 제작비용이 저렴하다는 이점이 있다. 본 실험에서 제작된 모든 박막은 PECVD로 증착하였으며 구조는 p-i-n superstrate형 구조를 사용하였고, 각 박막의 두께는 p-a-Si:H/i-a-SiGe:H/n-a-Si:H ($300{\AA}/2000{\AA}/600{\AA}$)으로 고정하였다. a-Si:H (hydrogenated amorphous silicon) 태양전지의 광 흡수층인 i-layer에서의 germane 가스 유량 변화(0, 20, 40. 60, 80, 100 sccm)에 대한 흡수율의 차이를 UV/Vis/Nir spectrophotometer (ultraviolet/visible/near infrared spectrophotometer)를 통해 확인하고, 그에 따른 a-Si:H 박막 태양전지를 제작하여 solar simulator를 사용하여 AM 1.5 G의 환경 조건에서 태양전지 특성을 평가하였다. 그 결과 germane 가스 유량이 증가함에 따라 파장에 대한 absorptance (a.u.)값이 증가함을 알 수 있었으며, 흡수되는 파장영역의 범위가 장파장으로 확대됨을 확인할 수 있었다. 또한 germane 가스 유량이 60 sccm 일때 a-SiGe:H 박막 태양전지 변환효율이 3.80%로 최대값을 가졌다. 실험에서 germane 가스 유량이 증가할수록 흡수율이 높아져 태양전지특성이 향상될 거라 예상 했지만, 100 sccm보다 60 sccm일 때가 단락전류밀도 값과 변환효율이 높다는 것을 확인할 수 있었다. 이는 각 layer사이에 계면상의 문제가 있을 거라 예상되며 직렬저항측정을 통해 확인할 수 있다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
• /
• v.32 no.5A
• /
• pp.497-502
• /
• 2007

Broadband monolithic SiGe HBT variable gain amplifier with a feedforward configuration have been newly developed to improve bandwidth and dB-linearly controlled gain characteristics. The VGA has been implemented in a $0.35-{\mu}m$ BiCMOS process. The VGA achieves a dynamic gain-control range of 19.6 dB and a 3-dB bandwidth of 4 GHz ($4{\sim}8\;GHz$) with the control-voltage range from 0.6 to 2.6 V. The VGA produces a maximum gain of 9.3 dB at 6 GHz and a output power of -3 dBm at 8 GHz.

• Journal of IKEEE
• /
• v.13 no.4
• /
• pp.23-27
• /
• 2009

Ohmic contact formation and etching processes for the fabrication of MBE (molecular beam epitaxy) grown GaSb-based p-channel HEMT devices on Si substrate have been studied. Firstly, mesa etching process was established for device isolation, based on both HF-based wet etching and ICP-based dry etching. Ohmic contact process for the source and drain formation was also studied based on Ge/Au/Ni/Au metal stack, which resulted in a contact resistance as low as $0.683\;{\Omega}mm$ with RTA at $320^{\circ}C$ for 60s. Finally, for gate formation of HEMT device, gate recess process was studied based on AZ300 developer and citric acid-based wet etching, in which the latter turned out to have high etching selectivity between GaSb and AlGaSb layers that were used as the cap and the barrier of the device, respectively.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.42 no.7 s.337
• /
• pp.1-4
• /
• 2005

A four-channel photoreceiver ways have been realized in a 0.8$\mu$m Si/SiGe HBT technology for the applications of parallel optical interconnects. The receiver array includes four-channel transimpedance amplifiers (TIAs) and p-i-n photodiodes, where the TIAs exploit a common-emitter (CE) input configuration. Measured results demonstrate that the four-channel CE TIA array provides 3.9GHz bandwidth, 62dB$\Omega$ transimpedance gain, 7.5pA/sqrt(Hz) average noise current spectral density, and less than -25dB crosstalk between adjacent channels with 40mW power dissipation.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
• /
• v.30 no.4A
• /
• pp.350-357
• /
• 2005

DSRC provides high speed radio link between Road Side Equipment and On-Board Equipment within the narrow communication area. In this paper, a 5.8 GHz up-conversion mixer for DSRC communication system was designed and fabricated using 0.8 m SiGe HBT process technology and IF/LO/RF matching circuits, IF/LO input balun circuits, and RP output balun circuit were all integrated on chip. The chip size of fabricated mixer was $2.7mm\times1.6mm$ and the measured performance was 3.5 dB conversion gain, -12.5 dBm output IP3, 42 dB LO to If isolation, 38 dB LO to RF isolation, current consumption of 29 mA for 3.0 V supply voltage.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2003.11a
• /
• pp.73-73
• /
• 2003

최근 LCD(liquid crystal display)분야에서 고해상도와 빠른 응답속도를 가지는 다결정 실리콘 박막트랜지스터에 대한 연구를 하고 있다. 그러나, poly-Si은 poly-Sil-xGex에 비해 intrinsic carrier mobility가 낮고 고온의 결정화 공정을 필요로 한다. 따라서, Poly-Si을 대체할 재료로 poly-SiGe에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 전계에 의해 결정화가 가속되고 한쪽 방향으로 결정화를 제어하여 채널내 전자나 정공의 이동도를 향상시 킬 수 있는 새로운 결정화 방법인 전계 유도 방향성 결정화법을 이용하여 Ge 함량에 따른 a-Sil-xGex(0$\leq$x$\leq$0.5)의 결정화 특성을 연구하였다. 대기압 화학 기상 증착법으로 5000$\AA$의 산화막(SiO$_2$)이 증착된 유리 기판상에 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용하여 800$\AA$의 비정질 실리콘을 증착한 후 RF magnetron sputtering법을 이용하여 Ge 함량에 따른 Sil-xGex 박막을 1000$\AA$ 증착하였다. Photolithograph방법을 이용하여 금속이 선택적으로 증착될 수 있는 특정 Pattern을 가진 mask를 형성한 후 금속을 DC magnetron sputtering법을 이용하여 상온에서 50$\AA$.을 증착하였다. 이후 시편에 전계를 인가하기 위해 시편의 양단에 전극을 형성한 후 DC Power Supply를 통해 전압을 제어하는 방식으로 전계를 인가하였다. 결정화 속도는 광학현미경을 이용하여 분석하였으며 결정화된 영역의 결정화 정도는 micro-Raman spectroscopy로 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.08a
• /
• pp.292-292
• /
• 2011

TFT (Thin Film Transistor)에서 공정을 단순화 시키고, 가격을 하락시키기 위해서는 Poly-Si을 대체할 물질이 필요하다. 이 연구에서는 Chalcogenide Material의 하나인 GeTe 박막을 이용하여 TFT Channel으로 사용 가능한 물질인지 알아보기 위하여 Post-Annealing을 한 뒤, 상 변화에 따른 박막의 저항 변화, Carrier Concentration (cm-3)과 Mobility (cm2V-1s-1)의 변화를 알아보았다. Sputtering을 이용하여 증착한 GeTe 100 nm Thin Film 위에 Sputtering을 이용하여 SiO2 5 nm를 Capping Layer로 증착한 후, Post-Annealing을 200$^{\circ}C$, 300$^{\circ}C$, 400$^{\circ}C$, 500$^{\circ}C$로 온도를 변화 시키며 진행하였고, 이로 인하여 GeTe Thin Film에 외부의 영향을 최소화 하였다. 먼저 GeTe Thin Film의 Sheet Resistance를 측정한 결과는 300$^{\circ}C$ 까지 낮은 Sheet Resistance의 거동을 보이며 반면, 400$^{\circ}C$ 이상이 되면 높은 Sheet Resistance의 거동을 보인다. Hall Measurement를 통해, Carrier Concentration과 Mobility를 알아보았다. Carrier Concentration은 온도가 증가하면 1E+19에서 1E+21 까지 증가하며, Mobility는 감소하는 경향을 보인다. 500$^{\circ}C$ Post-Annealed GeTe Thin Film에서는 Resistivity가 상당히 높아 4 Point Probe (Range : 1 mohm/sq~2 Mohm/sq)로 측정이 불가능하다. XRD로 GeTe Thin Film을 분석한 결과 as-grown, 200$^{\circ}C$, 300$^{\circ}C$에서는 Cubic의 결정 구조를 보이며, Sheet Resistance가 급격히 증가한 400$^{\circ}C$, 500$^{\circ}C$에서는 Rhombohedral의 결정구조를 보인다. GeTe Thin Film은 400$^{\circ}C$ 이상의 Post-Annealing 온도에서 cubic 구조에서 Rhombohedral 구조로 상 변화가 일어난다. 위 결과를 통해, 결정 구조의 변화가 GeTe Thin Film의 저항, Carrier Concentration과 Mobility에 밀접한 영향이 미치는 것을 확인하였다.