서로 다른 크기의 SiC 원료분말을 첨가한 A1$_2$O$_3$-SiC 복합재료의 미세조직과 그에 따른 기계적 물성의 변화를 관찰하였다. 0.15 $mu extrm{m}$의 SiC가 첨가된 복합재료의 경우 기지상의 입성장이 효과적으로 억제되었다 그러나, 소수의 비정상입자가 생성된 이후에는 이들 입자의 급격한 성장으로 불규칙한 형상의 커다란 입자로 구성된 미세조직을 보이며, 파괴강도값은 급격히 감소하였다. 3 $\mu\textrm{m}$의 SiC가 첨가된 경우에는 기지상의 입성장이 일어났으나, 소수의 비정상입자가 생성된 이후에는 과도한 입성장은 억제되고 일정한 크기의 비정상입자가 시편 전체에 균일하게 형성된 미세조직을 보였다. 한편, 0.15 $\mu\textrm{m}$와 3 $\mu\textrm{m}$의 SiC 입자를 동시에 첨가한 시편은 균일한 크기의 비정상입성장의 미세조직을 보였으나, 비정상입성장이 일어났음에도 불구하고 기계적 물성은 우수하게 유지되었다 즉, 비정상입성장에 의해 미세조직에는 큰 변화가 일어났으나, 파괴강도값에는 변화가 없었다.
Si-SiC-graphite composites were developed by incorporating solid lubricant graphite into Si-SiC, in the light of improving tribological properties of Si-SiC ceramics. Si-SiC-graphite composites were fabricated by infilterating silicon melt into the mixture of α-SiC, carbon black and graphite powder at 1750℃ under 3 Torr. The particle size of graphite was in the range of 150 to 500㎛, and the loading content of graphite was 0, 20, 25, 30, 35 vol% in the mixture of α-SiC and carbon black. The mechanical and tribological properties of this composites were studied. The density, hardness, flexural strength, compressive strength and Young's modulus were decreased with increasing of graphite content. An additiion of solid-lubricant graphite up to 30 vol% has improved tribological properties of Si-SiC ceramics without considerable degradation of mechanical properties.
This paper describes the formation of porous 3C-SiC by anodization. 3C-SiC thin films were deposited on p-type Si(100) substrates by APCVD using HMDS (Hexamethyildisilane: $Si_2(CH_3)_6$). UV-LED(380 nm) was used as a light source. The surface morphology was observed by SEM and the pore size was increased with increase of current density. Pore diameter of 70 ~ 90 nm was achieved at 7.1 $mA/cm^2$ current density and 90 sec anodization time. FT-IR was conducted for chemical bonding of thin film and porous 3C-SiC. The Si-H bonding was observed in porous 3C-SiC around wavenumber 2100 $cm^{-1}$. PL shows the band gap enegry of thin film (2.5 eV) and porous 3C-SiC (2.7 eV).
본 연구에서는 리튬이온배터리용 고용량 음극활물질인 실리콘의 부피팽창을 완화하고 사이클 안정성을 향상시키기 위해 SiOx@C 복합소재를 제조하였다. Stӧber 법을 통해 입자 크기가 각각 100, 200, 500 nm인 SiO2를 합성하였고, 마그네슘 열환원을 통해 SiOx (0≤x≤2)를 제조하였다. 그 후 SiOx에 PVC를 탄화시켜 SiOx와 C의 비율에 따라 SiOx@C 음극활물질을 합성하였다. 제조된 SiOx와 SiOx@C 음극활물질의 물리적 특성은 XRD, SEM, TGA, 라만분광법, XPS, BET를 사용해 분석하였다. 그리고 사이클 테스트, 율속특성, CV, EIS 테스트를 통해 전기화학적 특성을 조사하였다. 입자 크기가 가장 작은 100 nm SiOx에 SiOx:C=70:30으로 탄소를 코팅하여 제조된 SiOx@C-7030은 100 사이클에서 1055 mAh/g의 방전용량과 81.9%의 용량을 유지하여 가장 우수한 전기화학적 특성을 보여주었다. 이는 SiOx 음극활물질 입자의 크기를 줄이고, 탄소를 코팅하여 사이클 안정성을 향상시킬 수 있다는 것을 의미한다.
Lee, Hyun Min;Park, Kwi-Il;Park, Ji-Yeon;Kim, Weon-Ju;Kim, Do Kyung
한국세라믹학회지
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제52권6호
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pp.441-448
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2015
Silicon carbide (SiC) coatings for tri-isotropic (TRISO) nuclear fuel particles were fabricated using a chemical vapor deposition (CVD) process onto graphite. A micro-tensile-testing system was developed for the mechanical characterization of SiC coatings at high temperatures. The fracture strength of the SiC coatings was characterized by the developed micro-tensile test in the range of $25^{\circ}C$ to $1000^{\circ}C$. Two types of CVD-SiC films were prepared for the micro-tensile test. SiC-A exhibited a large grain size (0.4 ~ 0.6 m) and the [111] preferred orientation, while SiC-B had a small grain size (0.2 ~ 0.3 mm) and the [220] preferred orientation. Free silicon (Si) was co-deposited onto SiC-B, and stacking faults also existed in the SiC-B structure. The fracture strengths of the CVD-SiC coatings, as measured by the high-temperature micro-tensile test, decreased with the testing temperature. The high-temperature fracture strengths of CVD-SiC coatings were related to the microstructure and defects of the CVD-SiC coatings.
$Si_3N_4/Sic$. nano-composites were fabricated by hot-pressing, gas pressure sintering. The composites contained up to 50 wt. % of SiC. The mechanical properties such as strength, toughness, and hardness of the composite are compared each other. The flexural strength of the composites was improved significantly by introducing fine SiC particles into $Si_3N_4$ matrix, while the fracture toughness was not improved. The increase in flexural strength is attributed to the formation of uniformly elongated $\beta -Si_3N_4$ grains as well as the reduction of grain size.
The 6061 Al alloy based composites reinforced with 10 vol% SiC whiskers were prepared by powder metallurgy with the powders having the different sizes, i.e. < $30{\mu}m$ and > $30{\mu}m$ The composites were subjected to equal channel angular pressing (ECAP) at various conditions and the microstructural changes during ECAP were examined In the composites SiC whiskers were clustered and randomly aligned. The clusters were relatively well distributed in the composite with the smaller initial powder size. After ECAP, the clusters were aligned parallel to flow direction and became smaller. In addition, the shape of clusters was changed from irregular to round. The microstructure of the ECAPed samples were compared with those of the conventionally hot-extruded composites. The uniform microstructure and enhanced microhardness could be obtained by using the powders having the smaller size, decreasing ECAP temperature and repeating ECAP.
태양광 산업에서 폐기물로 발생하는 Si/SiC 혼합슬러지를 재활용하는 것은 환경과 경제적인 측면에서 중요하다. 이러한 재활용을 위해서 Si/SiC 혼합물의 소결특성을 분석하는 것이 필요하다. 본 연구에서는 SiC함량에 따른 소결특성을 살펴보기 위해서 공기분급기를 이용하여 Si/SiC 혼합물에서 SiC 함량을 변화시켰다. SiC 함량이 변화된 Si/SiC 혼합물에 카본블랙, 점토 및 수산화알루미늄을 첨가하여 소결하였다. Si/SiC 혼합물의 특성분석 및 첨가제 변화에 따른 Si/SiC 혼합물 소결체의 특성변화를 SEM, XRD, 입도분석 및 겉보기 밀도변화를 측정하여 분석하였다. SEM 및 입도분석결과, SiC 95% 시료의 경우에는 원시료 및 SiC 75% 시료와 비교하여 1 ${\mu}m$ 크기 이하의 미립입자가 크게 감소하여 공기분급을 통한 미세입자 제거가 SiC 함량 제어에 효과가 있음을 확인할 수 있었다. 수산화알루미늄을 첨가함에 따라서 ${\beta}$-Cristobalite 가 감소하고 mullite 생성량이 증가하였으며, 카본블랙의 첨가가 소결특성 향상에 영향을 주는 것을 확인하였다.
Phase transformation of TiSi$_2$ confined in sub-micron area of which the size is around or smaller than the grain size of C49 TiSi$_2$ phase is studied. It has been known that the C49 to C54 phase change is massive transformation that occurs abruptly starting from C54 nuclei located at triple point grain boundaries of C49 phase. When the C49 phase is confined in sub-micron area, however, the massive phase transformation is observed to be hindered due to the lack of the triple point grain boundaries of C49 phase. Heat treatment at higher temperatures starts to decompose the C49 phase, and the resulting decomposed Ti atoms diffuse to, and react with, the underneath Si material to form C54 phase that exhibits spherical interface with silicon. The newly formed C54 grains can also trigger the massive phase transformation to convert the remaining undecomposed C49 grains to C54 grains by serving as nuclei like conventional C54 nuclei located at triple point grain boundaries.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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