Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.29
no.3
s.234
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pp.425-431
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2005
The efficiency of complex slurry preparation route for developing the high performance SiC matrix of $RS-SiC_{f}/SiC$ composites has been investigated. The green bodies for RS-SiC materials prior to the infiltration of molten silicon were prepared with various C/SiC complex slurries, which associated with both the sizes of starting SiC particles and the blending conditions of starting SiC and C particles. The characterization of Rs-SiC materials was examined by means of SEM, EDS and three point bending test. Based on the mechanical property-microstructure correlation, the process optimization is also discussed. The flexural strength of Rs-SiC materials greatly depended on the content of residual Si. The decrease of starting SiC particle size in the C/SiC complex slurry was effective for improving the flexural strength of RS-SiC materials.
$Al_2O_3$/SiC particulate composites were fabircated by pressureless sintering. The dispersed phase was SiC of which the content was varied from 1.0 to 10 vol%. Three SiC powders having different median diameters from 0.28 $\mu\textrm{m}$ to 1.9 $\mu\textrm{m}$ were used. The microstructure became finer and more uniform as the SiC content increased except the 10 vol% specimens, which were sintered at a higher temperature. Under the same sintering condition, densification as well as grain growth was retarded more severly when the SiC content was higher or the SiC particle size was smaller. The highest flexural strength obtained at 5.0 vol% SiC regardless of the SiC particle size seemed to be owing to the finer and more uniform microstructures of the specimens. Annealing of the specimens at $1300^{\circ}C$ improved the strength in general and this annealing effect was good for the specimens containing as low as 1.0 vol% of SiC. Fracture toughness did not change appreciably with the SiC content but, for the composites containing 10 vol% SiC, a significantly higher toughness was obtained with the specimen containing 1.9$\mu\textrm{m}$ SiC particles.
Manufactured $SiC_f/SiC$ composites by NITE method was investigated fracture characteristics according to the size of the surface crack. Coated surface crack with a $SiO_2$ colloid in several ways was evaluating the possibility of healing. The strength of CCS and UCS is 313 and 230MPa, respectively and it is about 1/3 of the SPS. Bending strength of $SiC_f/SiC$ composites has no effect with the pre-crack size to the critical crack size. $SiC_f/SiC$ composites can not generate large amount of $SiO_2$ oxides to the bottom of crack, and is only generated randomly on surfaces, and can not contribute to the recovery of bending strength.
Liquid phase sintered silicon carbides were obtained by sintering of $\alpha$-SiC and $\beta$-SiC powders as starting materials at 2173K and 2273K respectively. The SiCplatelet seeds of different sizes were obtained by a repeated ball milling and sedimentation. Their mean size (d50) were 2.217 ${\mu}{\textrm}{m}$ 13.67 ${\mu}{\textrm}{m}$, 22.17${\mu}{\textrm}{m}$ respectively 6wt%Al2O3-4 wt% Y2O3 was used as the sintering additives for the liquid phase sintering. The two silicon carbides had a bimodal microstructure consisting of small matrix grains and large platelike grains when the SiCplatelet seeds were added. In the case of the $\beta$-SiC the appreciable phase transformation occurred as sintering temperature increased from 2173K to 2273K and resulted in matrix shape change from equiaxed into platelike grains. In contrast there was no shape change for the $\alpha$-SiC. The size of large grains in the $\alpha$-SiC of large grains in the $\alpha$-SiC was larger than that of the large grains in the $\beta$-SiC These results suggested that the growth of the $\alpha$-SiCplatelet in the $\alpha$-SiC matrix was more favored than that of the $\alpha$-SiCplatelet in the $\beta$-SiC matix. The three point flexural strength decreased as the added seed size increased. Fracture toughness values of samples sintered at 2273K were higher than those of samples sintered at 2173K.
Dispersed type Al2O3-SiC composite powders were synthesized from Al-isopropoxide (Al(i-OC3H7)3) and Si(OC2H5)4 precursors by hydrolysis of mixed alkoxides and carbothermal reaction method. The characteristics of the synthesized (dispersed type) Al2O3-SiC composite powders were investigated using XRD, SEM, TEM, BET and particle size analyzer. Carbothermal reaction to produce Al2O3-SiC composite was completed in 10h at 135$0^{\circ}C$ on 3~4㎤/s (0.21~0.28cm/s) of H2 flow rate and about 1/1 of carbon/oxides(=SiO2+Al2O3) molar ratio. The synthesized powders were observed to have the mean particle size range of 0.4~1.26${\mu}{\textrm}{m}$ and showed finer particle size with increasing SiC content.
Si3N4/SiC nanocomposite ceramics containing 5 wt%dispersed SiC particles were prepared by gas-pressure-sintering at 200$0^{\circ}C$ under nitrogen atmosphere. SiC particles with average sizes of 0.2 and 0.5${\mu}{\textrm}{m}$ were used, and the effect of the SiC particle size on the microstructure was investigated. The addition of SiC particles effectively suppressed the growth of the Si3N4 matrix grains. The effect of grain growth inhibition was higher in the nanocomposites dispersed with fine SiC. SiC particles were dispersed uniformly inside Si3N4 matrix grains and on grain boundaries. When the fine SiC particles were added, large fraction of the SiC particles was trapped inside the grains. On the other hand, when the large SiC particles were added, most of the SiC particles were located on grain boundaries. Typically, the fraction of SiC particles located at grain boundaries was higher in the specimen prepared from $\beta$-Si3N4 than in the specimen prepared from $\alpha$-Si3N4.
In this study, chopped Hi-Nicalon SiC fiber Reinforced Porous Reaction Bonded SiC (RBSC) composites and it fabrication process were developed by using Si melt infiltration process. The porosity and average pore size in fabricated chopped SiC fiber reinforced porous RBSC composites were in the range of $30{\sim}40%$ and $40-90{\mu}m$, which mainly determined by the SiC powder size used as starting material and amount of residual Si in porous composites. The maximum flexural strength of chopped SiC fiber reinforced porous RBSC composite was as high as 80 MPa. The delayed fracture behavior was observed in chopped SiC fiber reinforced porous RBSC composites upon 3-point bending strength test.
Si3N4(p)-SiC(p) composites were prepared by gas pressure sintering at 190$0^{\circ}C$ for 1 hour. $\alpha$-SiC with average particle size of 0.48${\mu}{\textrm}{m}$ were dispersed from zero to 50vol% in $\alpha$-Si3N4 with average particle size of 0.5${\mu}{\textrm}{m}$. Y2O3-Al2O3 system was used as sintering aids. When 10vol% of SiC was added to Si3N4, optimum mechanical properties were observed; relative density of 98.8%, flextural strength of 930MPa, fracture toughness of 5.9MPa.m1/2 and hardness value of 1429kg/$\textrm{mm}^2$. Grain growth of $\beta$-Si3N4 was inhibited as the amount of added SiC was increased. SiC particles were found inside the $\beta$-Si3N4 intragrains in case of 10, 20 and 30vol%SiC added composites.
Kim, Seong-Won;Kwon, Chang-Sup;Oh, Yoon-Suk;Lee, Sung-Min;Kim, Hyung-Tae
Journal of Powder Materials
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v.19
no.5
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pp.379-384
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2012
This paper reports the microstructures and thermal conductivities of $ZrB_2$-SiC composite ceramics with size and amount of SiC. We fabricated sintered bodies of $ZrB_2$-x vol.% SiC (x=10, 20, 30) with submicron and nanosized SiC densified by spark plasma sintering. Microstructure retained the initial powder size of especially SiC, except the agglomeration of nanosized SiC. For sintered bodies, thermal conductivities were examined. The observed thermal conductivity values are 40~60 W/mK, which is slightly lower than the reported values. The relation between microstructural parameter and thermal conductivity was also discussed.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.27
no.1
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pp.57-63
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2017
High-purity ${\beta}-SiC$ powders for SiC single-crystal growth were synthesized by direct carbonization. The use of high-purity raw materials to improve the quality of a SiC single crystal is important. To grow SiC single crystals by the PVT method, both the particle size and the packing density of the SiC powder are crucial factors that determine the sublimation rate. In this study, we tried to produce high-purity ${\beta}-SiC$ powder with large particle sizes and containing low silicon by introducing a milling step during the direct carbonization process. Controlled heating improved the purity of the ${\beta}-SiC$ powders to more than 99 % and increased the particle size to as much as ${\sim}100{\mu}m$. The ${\beta}-SiC$ powders were characterized by SEM, XRD, PSA, and chemical analysis to assess their purity. Then, we conducted single-crystal growth experiments, and the grown 4H-SiC crystals showed high structural perfection with a FWHM of about 25-48 arcsec.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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