• Title/Summary/Keyword: Si-Cl-H

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피클용 오이 (Cucumis sativus)에 함유된 Lipoxygenase 효소활성의 변화와 효소의 분포 특성 (Characteristics and Localization of Lipoxygenase Activity in Cucumber (Cucumis sativus) Fruit)

  • 장미진;조일영;이시경
    • Applied Biological Chemistry
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    • 제38권5호
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    • pp.414-421
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    • 1995
  • Lipoxygenase (LOX) 효소의 최적 활성 조건과 활성 억제등 LOX 활성 측정의 중요한 정보를 확립하기 위하여, 추출 Buffer의 영향, 기질, pH, 저장, 온도, NaCl, $CaCl_2$외 cations 및 antioxidants의 요소들이 LOX 활성에 미치는 영향을 조사하였다. 그리고 오이 tissue내의 LOX의 편재도 시험하였다. LOX에 대한 우수한 기질은 linolenic acid, linoleic acid, arachidonic acid 순서였다. 오이 껍질이나, mesocarp tissue내에 존재하는 LOX의 활성은 pH 5.5가 최적 조건이었으며, 섭씨 $40^{\circ}C$$50^{\circ}C$에서는 비교적 안정성을 보였다. LOX의 활성은 pH 5.0와 0.2M NaCl 조건을 같이 주었을때 opitimum 안정성을 보였다. LOX 활성은 $Mn^{2+},\;Cu^{2+}$ 또는 $Al^{3+}$와 같은 양이온에 의해서는 감소되었지만, 오히려 $Ca^{2+}$은 효소의 활성을 자극시켰다. 한편 butylated hydroxy anisole (BHA)와 propyl gallate의 농도가 증가할수록 LOX 활성은 감소되었다. 오이 껍질에서의 LOX의 활성은 다른 tissue에, locule, mesocarp, 비해 최고치를 보였다.

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SiC 증착물의 형상에 미치는 과포화도의 영향 (Effect of Supersaturation on Morphology of Silicon Carbide Deposits)

  • 소명기
    • 산업기술연구
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    • 제6권
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    • pp.13-17
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    • 1986
  • The effect of supersaturation on morphology of silicon carbide by chemical vapor deposition using $CH_3SiCl_3-H_2$ gas mixture system was investigated. The experimental results show that the final structure of silicon carbide deposits is coarser as total pressure increases or ${\alpha}$-ratio decreases. It is believed because supersataration of Si-source decreases as total pressure increases or ${\alpha}$-ratio decreases.

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PECVD 로 합성된 Ti-Si-C-N 코팅막의 미세구조 및 기계적 성질 (Microstructure and Mechanical Properties of Ti-Si-C-N Coatings Synthesized by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)

  • 홍영수;김광호
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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    • pp.83-85
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    • 2008
  • 4성분계 Ti-Si-C-N 코팅막은 $TiCl_4$, $SiH_4$, $CH_4$, Ar, 그리고 $N_2$ 가스 혼합체를 이용하여 RF-PECVD 기법에 의해 Si 와 AISI 304 기판위에 합성하였다. Ti-C-(0.6)-N(0.4) 조성의 코팅막에 Si를 첨가함으로 Ti(C,N) 결정질은 줄어들고, Si3N4 및 SiC 비정질상이 나타났다. Ti-Si(9.2 at.%)-C-N의 조성에서 나노 크기의 nc-Ti(C,N) 결정질을 비정질 a-Si3N4/SiC가 둘러싸고 있는 형태의 나노 복합체를 나타내었다. 경도 24 Gpa의 Ti-C-N 코팅막은 Si를 첨가함으로 Ti-Si(9.2 at.%)-C-N 조성에서 46 Gpa의 최고 경도를 나타내었으며, 마찰계수의 경우에도 Ti-C-N 코팅막에 Si를 첨가함으로 크게 낮아졌다.

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PECVD법에 의한 3C-SiC막 증착(I): 증착변수에 따른 SiC 증착거동 (Deposition of 3C-SiC Films by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (I): Deposition Behaviors of SiC with Deposition Parameters)

  • 김광호;서지윤;윤석영
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권6호
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    • pp.531-536
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    • 2001
  • SiCl$_4$/CH$_4$/H$_2$계를 사용한 플라즈마 화학증착법(PECVD)으로 실리콘(100) 기판 위에 3C-SiC막을 117$0^{\circ}C$~1335$^{\circ}C$의 온도범위에서 증착하였다. 증착온도, 유입가스비, R$_{x}$ [=CH$_4$/(CH$_4$+H$_2$)], 그리고 r.f. power를 변화시켜 증착막의 결정성에 대해 검토하였다. Thermal CVD에 비해 PECVD법은 박막의 증착속도를 향상시켰다. 증착된 3C-SiC은 (111) 면으로 최대의 우선배향성을 지님을 알 수 있었다. 실리콘 기판 위의 3C-SiC막의 결정성은 R$_{x}$값에 의존하였으며, R$_{x}$가 감소할수록 결정성이 더욱 향상되었다. Free Si가 3C-SiC막과 함께 증착되었으나, 증착온도와 r.f power가 증가함에 따라 free Si의 함량은 감소하였다. 증착온도 127$0^{\circ}C$, 유입가스비 R$_{x}$=0.04, r.f. power가 60W에서 비교적 결정성을 가진 3C-SiC막을 얻을 수 있었다.

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김해지방의 강수의 산도 및 화학적 성분 특성 (The Characteristics of Chemical Components and Acidity in the Precipitation at Kimhae Area)

  • 박종길;황용식
    • 한국환경과학회지
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    • 제6권5호
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    • pp.461-472
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    • 1997
  • This study was carried out to investigate the characteristics of chemical components and precipitation at Kimhae area from March, 1992 to June, 1994. The pH values, concentration of soluble ions($Cl^-$, $NO_2^-}$ $NO_3^-}$, $NO_4^{2-}$-, $PO_4^{3-}$. $F^-$, $Mg^{2+}$, $Ca^{2+}$, $Mn^{2+}$, $K^+) and non-soluble metals(Cr.Si. Zn, Pb, Cu, Fe, Mn, Mg, Ad. V. Cal were measured by pH meter, IC (ion Chromatography) and ICP(Inductively Coupled Plasma). The data were analyzed by the dally. hourly distribution characteristics of acidity and chemical components, as well as the correlation between them. The results are as follows. 1. The pH range of precipitation was from 3.45 to 6.80 in Kimhae area. and average value was pH 4.62 and main chemical components were $SO_4^{2-}$, $Cl^-$, $NO_3^-$. The highest pH value and concentration appeared in initial rain, which might result from urbanlzation and industrialization in this area and long term transportation from China. 2. The hourly correction distribution of main anions related to pH value In the rainwater showed $SO_4^{2-}$ > $NO_3^-$ > $Cl^-$. Hourly concentration of heavy metal and each ion was highly correlated with pH in the precipitation.

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박막 고체전지 개발에 관한 연구 (A study on the development of thin solid state batteries)

  • 권혁상;이홍로
    • 한국표면공학회지
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    • 제25권5호
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    • pp.215-221
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    • 1992
  • This research is aimed at developing(110) preferred TiS2 cathode films and glass typed solid electro-lytes which have high ionic migrations and low electron conductivities for thin secondary solid batteries. To obtain preferred oriented TiS2 thin films on a substrate by CVD method using TiCl4 and H2S gases three factors of heating temperature, inner pressure of furnace and TiCl4/H2S gas mole fraction were ex-amined systematically. To obtain solid films of Li2O-B2O3-SiO2 electrolytes by r.f. sputtering for thin proto-type batteries of Li/Li2O-B2O3-SiO2TiS2, sputtering conditions were examined. TiS2 cathode films showed columnar structure, namely c axis oriented parallely. At low pressure of reaction chamber and low heating temperature, surface of smooth TiS2 films couldd be obtained. Ionic conductivity of Li2O-B2O3-SiO2 films manufactured by r.f. magnetron sputtering were 3$\times$10-7$\Omega$-1cm-1 and electron conductivities were 10-11$\Omega$-1cm-1. Open cell voltage of thin lithium batteries were 2.32V with a designed prototype cell.

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$8^{\circ}$-off (100) Si 기판위의 반극성을 가지는 (1-101) InGaN/GaN 다중양자우물 구조의 MOVPE 성장 (Growth of semi-polar (1-101) InGaN/GaN MQW structures on $8^{\circ}$ off -axis (100) patterned Si substrate by MOVPE)

  • 한영훈;전헌수;홍상현;김은주;이아름;김경화;안형수;양민
    • 한국결정성장학회지
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    • 제19권1호
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    • pp.1-5
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    • 2009
  • 본 연구에서는 metal organic vapor phase epitaxy(MOVPF) 방법으로 $8^{\circ}$-off (100) Si 기판 위에 분극이 완화된(1-101) GaN를 성장한 후 광소자로서의 가능성을 확인하고자 (1-101) GaN 위에 InGaN/GaN MQW 구조를 제작하였으며 암모니아 유량, TMI 유랑 그리고 성장 온도 등 다양한 성장 조건에 따른 구조적, 광학적인 특성을 scanning electron microscopy(SEM)와 cathodoluminescence(CL)을 통하여 관찰하였다. (1-101) GaN 성장시 암모니아 유량이 적을수록 관통전위가 현저히 줄어드는 것을 확인하였다. (1-101) GaN stripe 위에 성장 시킨 InGaN/GaN MQW 구조를 이용하여 성장조건에 따라서 391.5nm부터 541.2nm에 이르는 넓은 영역의 범위에서 발광 스펙트럼을 조절할 수 있음을 확인하였다.

Characteristics of Polycrystalline β-SiC Films Deposited by LPCVD with Different Doping Concentration

  • Noh, Sang-Soo;Lee, Eung-Ahn;Fu, Xiaoan;Li, Chen;Mehregany, Mehran
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제6권6호
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    • pp.245-248
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    • 2005
  • The physical and electrical properties of polycrystalline $\beta$-SiC were studied according to different nitrogen doping concentration. Nitrogen-doped SiC films were deposited by LPCVD(1ow pressure chemical vapor deposition) at $900^{\circ}C$ and 2 torr using $100\%\;H_2SiCl_2$ (35 sccm) and $5 \%\;C_2H_2$ in $H_2$(180 sccm) as the Si and C precursors, and $1\%\;NH_3$ in $H_2$(20-100 sccm) as the dopant source gas. The resistivity of SiC films decreased from $1.466{\Omega}{\cdot}cm$ with $NH_3$ of 20 sccm to $0.0358{\Omega}{\cdot}cm$ with 100 sccm. The surface roughness and crystalline structure of $\beta$-SiC did not depend upon the dopant concentration. The average surface roughness for each sample 19-21 nm and the average surface grain size is 165 nm. The peaks of SiC(111), SiC(220), SiC(311) and SiC(222) appeared in polycrystalline $\beta$-SiC films deposited on $Si/SiO_2$ substrate in XRD(X-ray diffraction) analysis. Resistance of nitrogen-doped SiC films decreased with increasing temperature. The variation of resistance ratio is much bigger in low doping, but the linearity of temperature dependent resistance variation is better in high doping. In case of SiC films deposited with 20 sccm and 100 sccm of $1\%\;NH_3$, the average of TCR(temperature coefficient of resistance) is -3456.1 ppm/$^{\circ}C$ and -1171.5 ppm/$^{\circ}C$, respectively.

비스(트리메틸실릴메틸) 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄니켈(II)의 합성 및 반응 (Preparation and Reactions of Bis(trimethylsilylmethyl)-1,2-bis(disphenylphosphino)ethanenickel(II))

  • 진종식
    • 대한화학회지
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    • 제25권5호
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    • pp.311-317
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    • 1981
  • 새로운 니켈(II) 화합물, 비스(트리메틸실릴메틸)1,2-(비스디페닐포스피노) 에탄니켈(II)(1)이 디클로로-1,2-비스(디페닐포스피노)에탄니켈(Ⅱ)와 트리메틸실릴메틸리튬의 반응으로부터 합성되었다. 화합물 1은 질소하, 상온에서 안정하다. 화합물 1은 열분해하여 환원성짝지음 생성물, 1,2-비스(트리메틸실릴)에탄을 생성한다. 화합물 1은 상온에서 일산화탄소 및 산소와, 그리고 80${\circ}$C에서 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄과 반응하여 역시 1,2-비스(트리메틸실릴)에탄을 생성한다.

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개방형 우물 구조를 이용한 마이크로머신형 pH 센서 (Micromachined pH Sensor Using Open Well Structures)

  • 김흥락;김영덕;정우철;김광일;김동수
    • 비파괴검사학회지
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    • 제22권4호
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    • pp.347-353
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    • 2002
  • 수용액에 포함된 수소이온$(H^+)$의 농도를 측정하는 유리 전극형 수소이용 농도(pH) 센서의 기본 구조를 bulk micromachining 기술로 구현하여 소형의 pH 센서를 제작하였다. 박막 증착이 가능한 경사 식각으로 개방된 2개의 기본 구조물을 형성하고, 일정 전위를 유지하기 위한 기준전극은 식각된 구조물 경사면에 박막형 Ag/AgCl으로 확보하였다. $H^+$과 교환 반응으로 전위를 발생시키는 감응부는 Na이 20%이상 포함된 glass로 $100{\mu}m$ 내외로 미세 연마하여 기본 구조물에 접합하여 완성하였다. 또한 외부 용액과 기준 용액의 혼합을 방지하면서 전류 도통 역할을 하는 액간 접촉부는 $50{\mu}m{\times}50{\mu}m$ 크기의 Si 이방성 식각 부분에 한천을 삽입하고 난 다음 기존의 구조물에 접합하여 형성하였다. 각 구조물을 완성한 다음 2M 농도의 KCI 기준 용액을 구조물에 채우고, 상용 에폭시로 센서 구조물을 밀봉하여 센서를 완성하였다. 제작된 pH 센서들은 표준 pH 용액에 대하여 약 90mV/pH의 전위값이 측정되었다.