• 한국막학회:학술대회논문집
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• 한국막학회 2008년도 춘계 총회 및 학술발표회
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• pp.151-153
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• 2008

• 한국막학회:학술대회논문집
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• 한국막학회 1997년도 추계 총회 및 학술발표회
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• pp.129-130
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• 1997

1. 서론 : 반도체 제조공정중 wafer가공 공정에 사용되는 많은 양의 RO 초순수는 미세한 규소입자를 비롯하여 비교적 낮은 농도의 불순물을 포함하고 있으나, 현재 1차세정후 공정폐수로 전량 희석되어 폐기되고 있다. 반도체 제조공정에서 발생되는 이러한 세정폐수를 적절한 전처리와 분리막 처리를 통하여 유가물질인 Si 입자를 회수하고, 처리수를 재이용함으로써 환경오염의 감소 및 공업용수의 증대를 도모할 수 있다. 본 연구에서는 고분자 분리막을 이용하여 반도체 제조공정중 발생한 세정중의 유가물질인 Si를 회수하고, 용수를 재이용하기 위하여 한외여과용 평막을 제조하여 Si 함유 폐수에 대한 막성능을 평가하였으며, 또한 상용 tubular 및 hallow fiber막의 성능과도 비교하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제8권1호
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• pp.39-43
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• 2001

$SiC_{x}N$_{y}$ film is deposited by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition system using $SiH_4$(5% in Ar), $CH_4$ and $N_2$. Ternary phase $SiC_{x}N$_{y}$ thin film deposited at the microwave power of 600 W and substrate temperature of 700 contains considerable amount of strong C-N bonds. Change in $CH_4$flow rate can effectively control the residual film stress, and typical surface roughness of 34.6 (rms) was obtained. Extreme]y high hardness (3952 Hv) and optical transmittance (95% at 633 nm) was achieved, which is suitable for a LIGA mask membrane application.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.86.1-86.1
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• 2012

나노재료와 나노기술의 연구개발 지원을 위하여 국가나노인프라인 나노종합팹센터에서 개발되고 있는 나노재료/나노현상의 실시간 관찰을 위한 SiN membrane chip 기술 및 나노그래핀 기반구축에 대한 최근 결과와 향후계획을 소개하고자 한다. 나노재료의 합성, 배열, 구조 등의 실시간 관찰을 가능하게 하기 위하여 제작된SiN membrane chip은 투과전자현미경(transmission electron microscope, TEM)에서 투명한 기판으로, 그 위에 나노재료를 합성, 배열하고 원하는 모양의 전극을 형성하여 나노재료 및 나노소자의 온도변화 및 전기적 특성 측정 등이 가능하다. 이러한 기술은 Ag, Sn, Cu 등 nano-cluster의 percolation 소자, SiN 및 Graphene 나노기공 소자, SiGe, BiTe, Si, ZnO 나노선 및 CNT의 내부구조변화, 상변화 등 다양한 나노재료/나노소자의 나노현상 관찰 및 해석에 적용되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권7호
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• pp.612-616
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• 2000

This paper describes on the fabrication and characteristics of hot-film type micro-flowsensors integrated with Pt-RTD(resistance thermometer device) and micro-heater on the Si membrane in which MgO thin-film was used as medium layer in order to improve adhesion of Pt thin-film to SiO$_2$layer. The MgO layer improved adhesion of Pt thin-film to SiO$_2$layer without any chemical reactions to Pt thin-film under high annealing temperatures. Output voltages increased due to increase of heat-loss from sensor to external. The output voltage was 82 mV at $N_2$flow rate of 2000 sccm/min heating power of 1.2 W. The response time($\tau$:63%) was about 50 msec when input flow was stepinput

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.252-252
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• 2008

The microhotplates consisting of a Pt-ased heating element on AlN/poly 3C-SiC layers were fabricated. The microhotplate has a $600{\mu}m{\times}600{\mu}m$ square shaped membrane which made of $1{\mu}m$ thick ploycrystalline 3C-SiC suspended by four legs. 3C-SiC is known for excellent chemical durability, mechanical strength and sustaining of high temperature. The membrane is fabricated by surface micromachining using oxidized Si sacrificial layer. The Pt thin film is used for heating material and resist temperature sensor. The fabrication methodology allows intergration of an array of heating material and resist temperature detector. For reasons of a short response time and a high sensitivity a uniform temperature profile is desired. The dissipation of microhotplate was examined by a IR thermoviewer and the power consumption was measured. Measured and simulated results are compared and analyzed. Thermal characterization of the microhotplates shows that significant reduction in power consumption was achieved using suspended structure.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.625-626
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• 2013

• 센서학회지
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• 제12권3호
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• pp.103-111
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• 2003

$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$ 열차단막을 이용한 크로멜-알루멜(chromel-alumel) 열전(thermoelectric) 유량센서를 제작하였다. 백금 박막 히터의 저항온도계수는 약 $0.00397/^{\circ}C$이었고, 크로멜-알루멜 열전쌍(thermocouple)의 Seebeck 계수는 약 $36\;{\mu}V/K$이었다. 기체의 열전도도가 증가할수록 유량센서가 나타내는 열기전력은 감소하였으며, 히터의 온도가 증가하거나 히터와 열전쌍 사이의 간격이 감소할수록 유량센서의 $N_2$ 유량에 대한 감도는 증가하였다. 히터 전압을 약 2.5 V로 하였을 때 유량센서의 $N_2$ 유량에 대한 감도는 약 $1.5\;mV/sccm^{1/2}$이었고, 열 응답시간은 약 0.18초이었다. 크로멜-알루멜 열전 유량센서의 유량감도에 있어서 선형 범위가 Bi-Sb 유랑센서의 것보다 더 넓게 나타났다.

• 멤브레인
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• 제16권1호
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• pp.9-15
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• 2006

Polyvinylalcohol (PVA)을 전해질 막으로 이용하여 위하여 가교제로서 sulfosuccinic acid (SSA)와 무기물 첨가제로 phosphotungstic acid (PWA), silicotungstic acid (SiWA) 등의 HPA (heteropolyacid)를 사용하여 PVA/SSA/HPA 복합막을 제조하였다. PVA/SSA/HPA 복합막은 HPA의 농도가 증가함에 따라 함수율은 감소하였으나 IEC값은 증가하는 경향을 나타내었다. PVA/SSA/HPA 복합막의 XRD 분석 결과 HPA의 농도가 증가함에 따라 HPA가 복합막 속으로 잘 분산되는 것을 확인할 수 있었으며 HPA로서 PWA보다 SiWA의 분산성이 우수하였다. TGA 분석결과 PVA/SSA 복합막은 가교 결합으로 인하여 PVA 보다 열안정성이 우수하였으며 복합막의 HPA의 농도가 증가할수록 열안정성이 더욱 증대되는 것을 알 수 있었다. PVA/SSA/HPA 복합막의 메탄올 투과저항은 Nafion보다 현저히 우수하였으며 HPA의 농도가 증가할수록 메탄올의 투과도는 감소하였다.

• 멤브레인
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• 제28권1호
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• pp.37-44
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• 2018

Polysulfone 수지를 사용한 그래핀 복합조성물을 제조하고, 이것들의 멤브레인에 대한 잔류응력과 열전도 특성을 분석하였다. 그래핀을 포함하는 polysulfone 멤브레인의 잔류응력분석은 Si (100) 기판에 스핀코팅으로 $10{\mu}m$ 두께의 막을 도포하여 준비한 시료를 대상으로 하였으며, 잔류응력의 측정은 온도를 승온하고 냉각하는 완전한 1주기 동안 수행하였다. 그래핀을 포함하는 polysulfone 평막을 증류수를 사용한 상전이법으로 제조하여 두께방향과 면방향으로 열전도도를 구분하여 각각 측정하였으며 평막시료의 열전도 이방성을 분석하였다. 그래핀의 구조적 특징에 의해 이를 포함하는 polysulfone 막의 잔류응력은 그래핀 함량이 증가함에 따라 점차로 완화되는 경향을 나타내었고, 열전도특성은 평막형성의 구조적 특성과 그래핀의 고유특성에 의해 두께방향과 면방향의 차이를 확인할 수 있었다.