• 한국공작기계학회:학술대회논문집
• /
• 한국공작기계학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.128-133
• /
• 1999

In recent years, LSI devices have become more powerful and lower-priced, caused by a development of various wafer materials and an increase in the diameter of wafers. On the other hand, these have created some serious problems in manufacturing of wafers because materials used as semiconductor substrate are very brittle. In view of this fact, there are some trials to apply shear-mode(or ductile-mode) grinding for efficient manufacturing of semiconductor wafers instead of conventional lapping process. In fact grinding process that has not only more excellent degree of accuracy but also more adaptable to fully automated manufacturing than lapping, is already used in Si machining field. This paper described the elementary studies to establish the grinding technology of wafers. First, we investigated the variation of grinding force and the transition of grinding mode as various grinding conditions. Then, it was inspected that the change of grinding force affected the integrity such as the topography and the roughness of ground surfaces, and led to the chemical defects generation and distribution in damaged layer. The degree of defects was estimated by FT-IR(Fourier Transformed Infrared) Spectroscopy and Auger Electron Spectroscopy

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
• /
• 한국정밀공학회 2010년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.199-200
• /
• 2010

• 한국정밀공학회지
• /
• 제13권6호
• /
• pp.45-51
• /
• 1996

Silicon wafers are required to be finished under the roughness of nanometer order for the subsequent chip fabrication processes. Recently, the finish grinding techniques have been researched for the improvement of accuracy and surface roughness simultaneously. Among them, the grinding technique using fine abrasive has been known as an easily accessible method. However, the manufacture of the fine grit grinding wheel has been very difficult because of the coherence of the grits. In this paper, the development of the ultrafine grit silica($SiO_2$) grinding wheel by the combination of the binder coating and the vacuum forming techniques is reported. And, the mechanochemical removal effects of the grinding conditions are discussed. Finally, a successful result of Ra O.4nm. Rmax 4nm in the ground surface roughness of a 6 inch silicon wafer was achieved.

• 한국화재소방학회논문지
• /
• 제32권6호
• /
• pp.108-116
• /
• 2018

구리 용융흔(Melted bead) 미세조직(Microstructure)은 변형층(Deformed layer)과 원조직(Undeformed layer)으로 구분할 수 있다. 변형층이 존재하는 경우에는 측정오류가 발생되어 연마/미세연마(Grinding/Polishing)를 통하여 변형층을 제거하고 원조직을 관측하여야 한다. 이에 따라 본 연구에서는 구리 용융흔의 미세조직 분석을 위한 연마/미세연마 절차(Process)를 제시하였다. 변형층 제거를 위해 연마재 종류/크기, 연마시간, 연마율의 상관성을 분석하였고 변형층의 두께를 $1{\mu}m$ 이하가 되도록 하였다. 연구결과, 실리콘카바이드 연마재 $15{\mu}m$ (SiC P1200) 2 min, $10{\mu}m$ (SiC P2400) 1 min, 다이아몬드 연마재 $6{\mu}m$ 8 min, $3{\mu}m$ 6 min, $1{\mu}m$ 10 min, $.25{\mu}m$ 8 min 실시하는 새로운 연마/미세연마 절차를 제시하였다. 또한 최종 단계에서 3 min 동안 콜로이달 실리카 $.04{\mu}m$로 화학적 미세연마를 실시함으로써 미세조직의 선명성을 증대시키는 방안도 제시하였다. 연마/미세연마 시간은 총 38 min이 소요되며, 기존에 제시된 시간, 절차보다 단순화 하였다.

• 한국광물학회지
• /
• 제23권3호
• /
• pp.227-234
• /
• 2010

본 연구에서는 라테라이트광의 건식 분쇄가 니켈 및 코발트의 침출에 미치는 영향을 조사하였다. 시료로 사용한 라테라이트광은 주로 $SiO_2$, $Fe_2O_3$, MgO로 이루어져 있으며, 니켈과 코발트의 함량은 0.81% Ni, 0.02% Co이었다. 주 구성 광물은 리자다이트와 석영이며, 미량의 포스터라이트와 엔스터타이트를 함유하고 있었다. 분쇄가 진행됨에 따라 시료의 평균입도, 비표면적, 밀도는 감소하는 경향을 보였으며, X-선 회절분석을 통해 리자다이트의 비정질화가 진행됨을 확인하였다. 분쇄에 의한 석영의 물성변화는 나타나지 않았으나, 리자다이트의 Mg-OH 결합이 파괴됨으로써 니켈 및 코발트의 침출율이 향상됨을 알 수 있었다. 분쇄가 진행됨에 따라 니켈과 코발트의 침출율은 증가하였으며, 60분 분쇄한 시료의 경우, 사용한 무기산의 종류에 관계없이 니켈과 코발트의 침출율은 약 80%로 나타났다.

• 한국정밀공학회지
• /
• 제7권4호
• /
• pp.40-54
• /
• 1990

Recently, Fine Ceramics have been concerned significantly with some excellent properties and many functions as new industrial materials to the industry at alrge. For the manufacture of Fine Ceramics, sintering is essential process. Thus the most of a Fine Ceramics used for precision parts are in need of machining proces. It is, however, very difficult to manufacture the Advanced Ceramics with high efficiency because they have not only high strength and brittl- eness but also high hardness. In present research, experiments are carried out to obtain the basic knowledge of Fine Ceramics grinding with high efficiency. Representative advanced ceramics, such as A1/sub 2/0/sub 3/, Z/sub r/O/sub 2/SiC snd Si/sub 2/N/sub 4/are ground with diamond wheels using conventional surface grinding machine. This research is carried out for the purpose of saving machining technology required for manufactiring Fine Ceramics parts

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
• /
• 한국분말야금학회 1994년도 추계학술대회강연 및 발표대회 강연및 발표논문 초록집
• /
• pp.9-9
• /
• 1994

• 한국세라믹학회지
• /
• 제40권8호
• /
• pp.770-776
• /
• 2003

(111) 및 (100) 단결정 실리콘 웨이퍼에 대하여 #140 mesh와 #600 mesh의 연삭숫돌을 사용하여 연삭가공을 행하고 가공에 의한 표면품위의 변화를 관찰하였다. 이를 위하여 Atomic Force Microscope(Am)을 사용하여 미세거칠기를 분석하고 라만 분광법(Raman spectroscopy)을 통하여 결정구조, 상변화 및 잔류응력을 분석하였다. 그 결과 연삭가공 후에 (111) 면에서 미세거칠기가 더 크게 나타났으며 실리콘이 다이아몬드구조의 Si-I에서 Si-III(body centered tetragonal) 및 Si-XII(rhombohedral)로 전이하는 현상을 라만스펙트럼 분석을 통해 확인하였다. 또한 연삭가공에 의하여 패인 구덩이에서는 일반적인 가공표면과 다른 라만스펙트럼이 관찰되어, 표면에 인가된 잔류응력이 새로운 표면생성으로 해소되었음을 알수 있었다. 또한 열처리에 의한 재료의 표면품위개선효과를 분석하기 위하여 대기 중에서 열처리를 시행한 결과 열처리는 잔류응력의 해소와 상전이의 회복에 효과적인 것으로 나타났다.

• 한국정밀공학회지
• /
• 제23권6호
• /
• pp.29-36
• /
• 2006

• The Korean Journal of Ceramics
• /
• 제1권2호
• /
• pp.106-110
• /
• 1995

A structural analysis of dickite prepared by dry grinding with different grinding time has been made by X-ray diffraction. The $SiO_4$ tetrahedra are found to remain unchanged in the ground dickite samples by analysing the radial distribution function(RDF). On the other hand, with an increase of the grinding time a change in oxygen coordination number around aluminum has been quantitatively confirmed. This variation may be attributed to the change of hydroxyl induced by the prolonged grinding.