• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.2
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• pp.93-101
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• 1997

Lead titanate박막을 $Pt/Ti/SiO_{2}/Si(Pt/Ti기판)와\;Pt/Ta/SiO_{2}/SiO_{2}$Si(Pt/Ta 기판) 위에서 전자 사이크로트론 공명플라즈마 화학증착법(ECR PECVD)으로 증착하였다. 증착온도, 산소유입량, MO source유입비등의 증착변수에 따른 lead titanate박막의 조성과 미세구조를 주사전자현미경(SEM), 투과전자현미경(TEM), X선 회절법(XRD)으로 조사하였다. 산소유입량이 적을 경우,Tisource와 Pb source의 산소화의 반응성 차이 때문에 Pb 농도가 부족한 화학양론비가 잘 맞는 박막이 증착되었다. Pt/ti기판은 lead titanate박막증착도중 기판의 Ti층과 Pt층의 확산으로 기판변형이 발생하는 반면, Pt/Ta기판은 기판변형이 일어나지 않았다. Pt/Ta기판에서 페롭스카이트 화학양론비를 갖는 매우 평탄한 lead titanate박막을 증착 하였는데, 산소유입량이 lead titanate박막의 결정성을 크게 지배하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.07d
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• pp.1355-1357
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• 1998

TFT의 게이트 절연막으로 사용되는 절연체는 우수한 절연특성과 낮은 계면포획전하밀도($D_{it}$)를 요구한다. 이에 본 연구에서는 우수한 절연특성을 가지며, 격자상수가 Si과 유사한 $CaF_2$의 증착 특성을 연구하였다. 진공증착법을 이용하여 p형 Si(100) 기판위에 $CaF_2$의 기판온도, 두께를 변화시켜 전기적, 구조적 특성을 평가하였다. 또한 Si 기판에 방향에 따른 박막의 특성을 조사하였다. 구조적 특성분석으로부터 Si(100) 기판의 경우 $CaF_2$는 (200)방향으로 주도적인 성장을 하였으며 기판온도를 상승시킴에 따라 (220)방향으로도 성장을 하는 것으로 나타났다. 열처리 전후의 구조적 특성은 SEM을 통해서 확인 할 수 있었다. 열처리 전후의 특성 변화로부터 저온($100^{\circ}C$이하)에서는 기판과의 성장방향과 동일하였으며 고온($200^{\circ}C$이상)에서는 기판방향과는 다른 방향 성장 결과를 얻었다. 전기적 특성평가를 위하여 C-V 특성을 평가하였다. C-V 특성으로부터 Si(100) 기판의 온도가 $100^{\circ}C$, $1455\AA$ 두께로 증착한$CaF_2$ 박막의 $D_{it}$는 $1.8{\times}10^{11}cm^{-1}eV^{-1}$로 낮은 값을 가지 고 있었으며 0.1MV/cm에서 누설전류밀도가 $10^{-8}A/cm^2$ 이었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.40 no.7
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• pp.481-485
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• 2003

Amorphous silicon (a-Si:H) based TFT process has been studied at the maximum temperature of 15$0^{\circ}C$ with 25${\mu}{\textrm}{m}$ thick flexible and adhesive tape type polyimide foil substrate, which has benefit on handling a rugged, flexible plastic substrate trough sticking simply it to glass. This paper summarize the process procedure of the TFT on the plastic substrate and shows its electrical characteristics in comparison with glass substrate using primarily the ON/OFF current ratio and the field effect mobility as the quality criterion. The a-SiN:H coating layer played an important role in decreasing surface roughness of plastic substrate, so leakage current of TFT was decreased and mobility was increased. The results show that high quality a-Si:H TFTs can be fabricated on the plastic substrates through coating a rough plastic surface with a-SiN:H.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.405-405
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• 2010

Thermocouple 을 통해 Inductively coupled plasma 에 노출된 실리콘 기판 표면온도를 공정조건 변화 에 따라 실시간 (in-situ) 측정하였다. 이를 바탕으로 공정변화에 따른 플라즈마 내 활성종의 거동을 연구하였다. 더 나아가 기판의 표면온도변화 및 활성종의 거동해석을 토대로 공정변화에 의한 딥 실리콘 구조형성 메커니즘을 해석하였다. 플라즈마에 노출된 기판표면 온도를 상승시키는 주 활성종은 positive ion 이며 ICP power, Bias power, 플라즈마 압력 변화에 따라 positive ion 의 밀도 및 가속에너지가 변화하는데 이러한 거동변화는 기판의 표면온도를 변화시킴을 알 수 있었다. 딥 실리콘 구조의 측벽 및 바닥에 형성되어 있는 passivaiton layer 즉 $SiO_xF_y$(silicon oxyflouride) 는 온도에 매우 민감한 물질이며 이는 딥 실리콘 구조 내부로 입사하는 positive ion 거동변화에 따라 그 성질이 변화하여 deep Si 구조 형상을 변화시킴을 알 수 있었다. 기판표면 온도가 $0^{\circ}C$ 이하의 극저온으로 유지된 상황에서 플라즈마를 방전할 경우 positive ions 의 가속에너지로 인해 기판표면온도가 상승하며 액화질소 유량증가를 통해 다시 기판의 표면온도를 유지시킬 수 있었다. 이를 통해 플라즈마 방전 전과 방전 후의 기판 표면온도는 상온의 기판뿐만 아니라 극저온의 기판에서도 다름을 알 수 있었다. 냉각환경 변화에 따른 딥 실리콘 구조형성 메커니즘을 positive ions 거동 그리고 온도 감소에 의한 $SiO_xF_y$ 성질 변화를 이용해 해석할 수 있었다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1993.05a
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• pp.62-63
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• 1993

Salicide(Self-aligned) CoSi$_2$의 형성을 알아보기 위하여, 단결정 실리콘 기판내에 불순물 주입에 따른 실리사이드의 형성영향을 알아보는, As,BF$_2$를 주입 한 시편과, 코발트와 SiO$_2$를 증착한 시편을 준비하였다. RF sputtering 방식으로 각각의 기판위에 코발트를 증착 한 후 Rapid Thermal Annealing(RTA) 온도 400-100$0^{\circ}C$영역에서 20초 동안 열처리 하였다. RTA 온도 80$0^{\circ}C$에서 비저항이 약 18$\mu$$\Omega$-cm정도의 CoSi$_2$를 형성 시켰으며 SEM 과 $\alpha$-step 으로 확인된 Si 기판과 코발트 실리사이드의 계면 roughness 및 surface roughness는 우수하였고, CoSi$_2$의 두께 증가에 따른 실리콘 소모량의 증가에 따라 기판내에 있던 As,BF$_2$ 이온들이 실리사이드내로 재분포 되는 현상을 보였다.CoSi$_2$/Si 계면간의 열적안정성은 $N_2$분위기로 30분간 Furnace Annealing 온도 100$0^{\circ}C$까지 CoSi$_2$의 응집화 현상이 일어나지 않았다.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.3 no.3
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• pp.157-161
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• 2000

In order to investigate the substrate effect on the electrochemical properties of thin-film electrode, $LiCoO_2$ was deposited onto the alumina, chemically etched-Si and flat-Si substrates. After annealing at $800^{\circ}C$ in $O_2$ for 30min, the film deposited on the alumina consisted of large particles with several cracks, whereas the film deposited on the flat-Si substrate was composed of very small and uniform particles. The films deposited on the flat-Si showed improved electrochemical properties such as peak potential divergence and rate-capability, over those deposited on the alumina and chemically etched-Si substrate, which can be attributed to the differences of the particle size surface morphology, and the electrical resistance of the current collector.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.124-124
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• 2013

마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착(MPCVD) 시스템을 이용하여 서로 다른 기판(Si,SiC,W,Ti) 위에 나노결정질 다이몬드 박막을 증착하였다. 공정압력, 마이크로웨이브 전력, $Ar/CH_4$,기판온도를 일정하게 놓고, 증착시간을 0.5,1,2h으로 변화시켜 박막의 성장과정을 관찰하였다. 기판 종류에 따라 성장 초기에 형성되는 입자의 시간이 달랐으며, 2h 이후에는 입자들이 서로 붙어 완전한 박막을 형성함을 관찰하였다. 같은 증착시간에서 서로 다른 기판을 비교하였을 때, W > (Si, SiC) > Ti 기판의 순이었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.10a
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• pp.161-162
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• 2009

하이브리드 코팅장비를 이용해 WC-CO기판위에 Ti-Si-N박막을 증착 시켰다. 이 연구는 Ti-Si-N박막의 기계적 성질에 온도와 바이어스가 미치는 영향에 대해 실험을 하였다. 증착온도가 $300^{\circ}C$까진 Ti-Si-N박막의 미세경도와 탄성률은 증가했지만 증착온도가 $300{\sim}350^{\circ}C$에서는 탄성률은 감소하고 결정 성장으로 인해 미세경도는 감소하였다. 기판 바이어스는 박막과 미세구조에 압축 잔류 응력을 야기 시킨다. 그러나 기판바이어스가 -400V 이상에서는 re-sputtering에 의해 Si함량이 감소한다. Ti-Si-N 박막의 가장 우수한 기계적 성질은 $300^{\circ}C$, -100V에서 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.2
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• pp.100-104
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• 2000

Diamond film was deposited on Si substrate by using microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition (MPECVD) system. After thinning the cross section between diamond film and Si substrate by ion milling method, we investigated its interface via transmission electron microscopy We could observe that the diamond film was grown either directly on Si substrate or via the interlayer between diamond film and Si substrate. Thickness of the interlayer was varied along the cross section. The interlayer might mainly composed of Sic andlor amorphous carbon. We could observe the well-developed electron diffraction pattern of both Si and diamond around the interface. Based on this result, we can conjecture the initial growth behavior of diamond film on Si substrate.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.4
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• pp.367-372
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• 2000

ZnO thin films were deposited on amorphous slide glass and $SiO_2$/Si substrates by Facing Targets Sputtering method with sputtering current 0.1~0.8 A, working pressure 0.5~3 mTorr and substrate temperature R.T~$400^{\circ}C$. When the sputtering current was 0.4 A, working pressure was 0.5 mTorr and substrate temperature was 30$0^{\circ}C$, ${\Delta}{\Theta}_{50}$ value of ZnO/glass and ZnO/$SiO_2$/si thin film was $3.8^{\circ}$ and $2.98^{\circ}$, respectively. In these conditions, we knew that ZnO thin film were deposited with good c-axis orientation on amorphous slide glass by FTS system.