• 제목/요약/키워드: Si(111)-H

검색결과 180건 처리시간 0.129초

극저온($150^{\circ}C$)에서 ICP-CVD로 증착한 Nanocrystalline-Si 박막 (Nanocrystalline-Si Thin Film Deposited by Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition (ICP-CVD) at $150^{\circ}C$)

  • 박상근;한상면;신광섭;한민구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
    • /
    • pp.12-14
    • /
    • 2005
  • Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition(ICP-CVD)를 이용하여 공정온도 $150^{\circ}C$에서 Nanocrystalline silicon (nc-Si) 박막을 증착하였다. 실험에서 헬륨(He)가스, 수소($H_2$)가스 그리고 헬륨(He)과 수소($H_2$)의 혼합가스로 희석한 사일렌($SiH_4$)을 반응가스로 이용하였다. 이 혼합가스는 3sccm의 사일렌($SiH_4$)에 헬륨(He)과 수소($H_2$)의 주입율을 20sccm에서부터 60sccm까지 변화시켜 조건을 달리하여 사용했다. 증착한 Nc-Si 박막을 X-ray diffraction (XRD)으로 분석하여 각각의 조건에 대한 Nc-Si 박막의 속성을 연구하였다. 헬륨(He) 또는 수소($H_2$) 혼합가스의 주입율이 커지면서 <111>과 <222>의 최고점(peak)이 더 높아졌으며 결정화 되지 않고 비결정질로 남아 있는 성장층(incubation layer)이 얇아졌다. 이 결과는 nc-Si를 증착할 때 사용한 수소($H_2$) 플라즈마와 헬륨(He) 플라즈마의 효과로 설명할 수 있다. 실험을 통해 ICP-CVD로 증착한 nc-Si 박막을 박막 전계효과트랜지스터 (TFT)에서 우수한 특성의 전자수송층(active layer)으로 사용할 수 있는 것을 확인하였다.

  • PDF

Mn-Ir/Ni-Fe/buffer/Si 다층박막에서 하지층에 따른 교환이방성 및 거대자기저항에 대한 연구 (A Study on the exchange anisotropy and the giant magnetoresistance of Mn-Ir/Ni-Fe/buffer/Si with various buffer layers)

  • 윤성용;노재철;전동민;박준혁;서수정;이확주
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제9권5호
    • /
    • pp.486-492
    • /
    • 1999
  • 본 실험에서는 D.C magnetron sputtering을 사용하여 Mn-Ir/Ni-Fe/buffer/Si 다층박막의 교환결합 자계와 보자력에 영향을 주는 인자를 미세구조의 관점에서 분석하였다. (111) 우선방위에 상관없이 모든 시편에서 155 Oe 이상의 교환결합 자계가 발생하였다. Mn-Ir/Ni-Fe 의 계면에서 Mn-Ir의 결정립 크기와 게면 거칠기가 Mn-Ir/Ni-Fe 다층박막의 교환결합 자계와 보자력에 가장 많은 영향을 주는 것을 알 수 있었다. Mn-Ir/Ni-Fe/Cu/Ni-Fe/buffer/Si spin-valve 다층박막에서 각 층의 두께와 하지층에 따른 자기저항비와 coulping field을 분석하였다. Mn-Ir(10 nm)/Ni-Fe(7.5 nm)/Cu(2 nm)Ni-Fe(6 nm)/Ta (5 nm)/Si에서 최대 자기저항비가 발생하였다. 강자성체의 결정립 크기가 거대자기저항비에 영향을 주는 것을 알 수 있었다. 그리고 계면 거칠기와 강자성체의 결정립 크기가 coulping field 에 많은 영향을 주는 것을 알 수 있었다.

  • PDF

입력기체비를 이용한 미세구조 변화로부터 화학증착 탄화규소의 복층구조 제작 (Fabrication of CVD SiC Double Layer Structure from the Microstructural Change Through Input Gas Ratio)

  • 오정환;왕채현;최두진;송휴섭
    • 한국세라믹학회지
    • /
    • 제36권9호
    • /
    • pp.937-945
    • /
    • 1999
  • 반응결합 탄화규소(RBSC) 반응관을 보호하기 위하여, 반응결합 탄화규소 기판 위에 탄화규소를 1~10 범위의 입력기체비(${\alpha}=P_{H2}/P_{MTS}=Q_{H2}/Q_{MTS}$)와 1050~1300$^{\circ}C$범위의 증착온도에서 methyltrichlorosilane(MTS)로부터 수소분위기에서 저압화학기상법으로 증착하였다. 1250$^{\circ}C$의 증착온도에서 입력기체비가 감소함에 따라 증착속도는 증가하다가 감소하였다 입력기체비가 높을 때에는 (111) 우선배향성을 나타내고 과립형의 미세구조를 보이며, 입력기체비가 작을 경우에는 (220) 우선배향성을 가지는 마면주상의 미세구조가 관찰되었다. 증착온도가 증가함에 따라 입력기체비와 비슷하게 미세구조의 변화하는결과를 얻었으며, 이러한 결과는 증착기구의 변화와 밀접한 관련이 있다. 일정한 증착온도에서 입력기체비의 조정를 통하여 얻었으며, 이러한 결과는 증착기구의 변화와 밀접한 관련이 있다. 일정한 증착온도에서 입력기체비의 조절을 통하여 과립형과 미면주상의 미세구조를 함께 가지는 복층구조를 연속공정을 통하여 성공적으로 제조하였다.

  • PDF

신경망을 이용한 전하밀도의 예측과 해석 (Prediction and Analysis of Charge Density Using Neural Network)

  • 권상희;황보광;이규상;우형수;김병환
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
    • /
    • pp.111-112
    • /
    • 2007
  • Silicon nitride (SiN) 박막을 플라즈마 응용화학기상법을 이용하여 증착하였다. SiN박막의 전하밀도는 일반화된 회귀 신경망과 유전자 알고리즘을 이용하여 모델링하였다. PECVD 공정은 Box Wilson 실험계획표를 이용하여 수행하였다. $SiH_4$ 유량변화에 따른 온도의 영향은 미미하였다. 그러나, 저 전력에서의 온도증가 (또는 저온에서의 전력의 증가)에 따라 전하밀도는 급격히 상승하였으며, 이는 [N-H]의 증가에 기인하는 것으로 해석되었다. $SiH_4$ 유량의 증가 (또는 고온에서의 전력의 증가)에 따라 전하밀도는 감소하고 있으며, 이는 [Si-H]의 증가에 기인하는 것으로 이해된다.

  • PDF

실리콘 기판의 표면 형상에 따른 실리콘 이종접합 태양전지의 a-Si:H/c-Si 계면 특성 연구 (A study of a-Si:H/c-Si interface properties by surface morphology of Si wafer in heterojunction solar cells)

  • 강병준;탁성주;강민구;김찬석;이정철;김동환
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
    • /
    • pp.92-92
    • /
    • 2009
  • 실리콘 기판과 비정질 실리콘 박막 사이의 계면특성은 실리콘 이종접합 태양전지의 효율을 높이는데 있어서 중요한 요소이다. 이종접합 태양전지에서는 n형 실리콘 기판 위에 비정질 실리콘 막을 증착시키는데 이 때 비정질 실리콘 막이 증착되면서 (111)면과 (111)면이 만나는 조직화된 피라미드의 골 사이에서 부분적으로 실리콘의 에피층이 성장하게 된다. 이 에피층이 결정질 실리콘 기판과 비정질 실리콘 막 사이의 계면 특성을 떨어뜨려 이종접합 태양전지의 효율이 감소하게 된다. 본 연구에서는 n형 실리콘 기판을 이용한 고효율 실리콘 이종접합 태양전지 제작을 위하여 실리콘 기판의 조직화 상태를 다르게 하여 셀을 제작하였다. 이에 큰 피라미드 형상의 조직화된 기판 표면, 작은 피라미드 형상의 조직화된 기판 표면, 큰 피라미드 형상을 라운딩 시킨 기판 표면, 작은 피라미드 형상을 라운딩 시킨 기판 표면을 제작하여 기판 종류에 따른 이종접합 태양전지를 제작하여 특성을 비교 하였다.

  • PDF

저가태양전지에 응용을 위한 용액성장법에 의한 Al-Si층이 코팅된 유리기판상의 다결정 실리콘 박막성장에 관한 연구 (Solution growth of polycrystalline silicon on Al-Si coated borosilicate and quartz glass substrates for low cost solar cell application)

  • 이수홍
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제4권3호
    • /
    • pp.238-244
    • /
    • 1994
  • 보로실리케이트 유리기판과 석영기판을 사용하여 $800^{\circ}C~520^{\circ}C$의 온도 범위에서 용액 성장법에 의한 다결정 실리콘 박막의 성장에 관해 조사 하였다. 기판상에는 용애과의 젖음성을 좋게 해주기 위해 박막의 알루미늄츠오가 실리콘층이 증착되었으며, 용매로는 알루미늄과 실리콘옥사이드와의 반응에 의해서 일어난다. 결정립 크기가 수백 마이크론까지 이르는 실리콘을 얻을 수 있었으며, 석영기 판의 경우에는 보르실리 케이트 유리기판보다 강한 (111) 우선 성장 방향을 보여주고 있다.

  • PDF

알루미늄 판 표면에 용사된 Al/SiC의 마모 거동 (Wear Behavior of Al/SiC in Thermal Spray Process)

  • 김형자;유만희;이성호;이광진
    • 동력기계공학회지
    • /
    • 제10권2호
    • /
    • pp.111-116
    • /
    • 2006
  • Tribologcal property of the ceramics used in severe condition was investigated and both $Al_2O_3$ ball and Al/SiC composite made by thermal spray process[TSP] were used as a specimen in this study. Four kinds of material couple in ball and disk specimens were tested in the dry condition by using ball-on-disk type tribo-tester. Friction coefficient, surface roughness, wear rate, and photograph of the worn surface were investigated. Generally, High SiC contents[$40{\sim}50%$] specimens showed very low friction coefficient below 0.05 and little wear rate in dry condition. And also, low SiC contents[0%] specimens showed a moderate wear rate and high coefficient of friction at the same condition.

  • PDF