• 한국진공학회지
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• 제3권4호
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• pp.405-413
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• 1994

초고진공에서 기판 Si(111)-7$\times$7 위에 Ti:Si 또는 1:2의 조성비로 Ti와 Si을 동시증착한 후 in situ 열처리하여 TiSi2 박막을 에피택셜 성장시켰다 XRD와 XPS 분석결과 동시증착된 혼합 층에서 C49-TiSi2 박막의 성장은 핵형성에 의함을 확인하였으며 양질의 C49-TiSi2 박막은 Ti를 증착한후 Ti와 Si를 동시 증착한 (Ti+2Si)/(Ti)/Si(111)-7$\times$7구조의 시료를 초고진공에서 50$0^{\circ}C$에서 열처리하여 얻을수 있었다. 형성된 C49-TiSi2/Si(111)의 계면은 깨끗하였고 HRTEM 분석 결과 C49-TiSi2\ulcornerSi(111)의 계면은 약 10。 의 편의를 가지면서 TiSi2[211]∥Si[110] TiSi2(031)/Si(111) 의 정합성을 가졌으며 시료의 전 영 역에 에피택셜 성장되었다.

• 한국축산식품학회:학술대회논문집
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• 한국축산식품학회 1997년도 제18차 정기총회 및 학술발표회
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• pp.110-110
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• 1997

• 한국식물생명공학회:학술대회논문집
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• 한국식물생명공학회 2003년도 식물바이오벤처 페스티발
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• pp.110-110
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• 2003

• 대한설비공학회:학술대회논문집
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• 대한설비공학회 2003년도 하계학술대회 논문집
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• pp.110-110
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• 2003

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 IUMRS-ICEM ABSTRACT BOOK
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• pp.110.3-110
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• 1998

• 폴리머
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• 제24권2호
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• pp.237-244
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• 2000

탄화 매트릭스의 전구체로 사용된 페놀수지에 세라믹 분말인 이규화몰리브덴 (MoSi$_2$)을 0, 4, 12, 20%의 중량비로 각각 고르게 분산시켜, 여기에 PAN계 탄소섬유를 함침하여 프리프레그법을 이용하여 일방향 탄소섬유/페놀수지 복합재료를 제조하였으며, 이를 다시 탄화(110$0^{\circ}C$) 시켜서 일방향 탄소/탄소 복합재료를 제작하였다. 본 연구에서는 난소/탄소 복합재료에 산화 억제제로 사용된 MoSi$_2$의 첨가량에 따른 복합재료의 산화거동을 산화분위기 하 600-100$0^{\circ}C$의 온도범위에서 조사하였다. 그 결과, MoSi$_2$를 함유한 탄소/탄소 복합재료는 복합재료 내치 기공 감소와 산소에 대한 유동 확산 방지막의 형성으로 인하여 카본 활성종이 방해를 받아 MoSi$_2$를 함유하지 않은 것에 비해 산화속도가 감소되어 내산화성이 향상되었다. 이는 산소의 공격에 대한 보호층을 형성하는 MoSi$_2$ 고유의 특성에 따른 영향이라 사료된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.71-74
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• 2006

In this paper, we investigated the characterization of silicon oxide(SiOx) thin film on Ethylene Terephthalate(PET) substrates by e-beam deposition for transparent barrier application. The temperature of chamber increases from $30^{\circ}C$ to $110^{\circ}C$, the roughness increase while the Water vapor transmission rate (WVTR) decreases. Under these conditions, the WVTR for PET can be reduced from a level of $0.57 g/m^2/day$ (bare subtrate) to $0.05 g/m^2/day$ after application of a 200-nm-thick $SiO_2$ coating at 110 C. A more efficient way to improve permeation of PET was carried out by using a double side coating of a 5-${\mu}m$-thick parylene film. It was found that the WVTR can be reduced to a level of $-0.2 g/m^2/day$. The double side parylene coating on PET could contribute to the lower stress of oxide film, which greatly improves the WVTR data. These results indicates that the $SiO_2$ /Parylene/PET barrier coatings have high potential for flexible organic light-emitting diode(OLED) applications.

• 대한금속재료학회지
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• 제47권1호
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• pp.32-37
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• 2009

Molecular dynamic simulations on the structural evolution of the Si(001) vicinal surfaces, which are tilted with respect to [100] and [110] directions were performed by using the empirical Tersoff potential. Tersoff potential was implemented at LAMMPS code and confirmed to describe the properties of Si. When the steps are generated along [100] direction, symmetric dimer rows formed with respect to the step edges. On the other hand, when the steps are generated along [110] direction, alternating dimer rows form with respect to the step edges. The configurational differences between the two vicinal surfaces were discussed in terms of the surface diffusion and the possibility of preventing step bunching for the (001) vicinal surface tilted along [100] direction was suggested.

• 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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• 한국소음진동공학회 2012년도 추계학술대회 논문집
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• pp.110-114
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• 2012

We studied on the nondestructive evaluation of the elastic wave signal of SiC ceramics and SiC/SiC composite ceramics under monotonic tensile loading. The elastic wave signal of cross and unidirectional SiC/SiC composite ceramics were obtained by pencil lead method and bending test. It was applied for the time-frequency method which used by the discrete wavelet analysis algorithm. The time-frequency analysis provides time variation of each frequency component involved in a waveform, which makes it possible to evaluate the contribution of SiC fiber frequency. The results were compared with the characteristic of frequency group from SiC slurry and fiber. Based on the results, if it is possible to shift up and design as a higher frequency group, we will can make the superior material better than those of exiting SiC/SiC composites.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.57-61
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• 2001

열간 압연판에 남아있던 {110}<001> 고스 집합조직으로부터 유기된 {111}<112> 냉간압연 집합조직은 기존 발표된 내용들과는 달리, 최종 재결정 집합조직인 {110}<001>고스 집합조직과는 상호 연관성이 없는 것으로 확인되었다. 최종 아닐링하는 동안 표면에 편석된 황의 농도에 따라 표면에너지 유기 선택적 결정성장 현상이 관찰 되었다. 최종 압하율이 작아짐에 따라 초기 생성된 고스 결정립들은 다량의 황이 편석된 범위에서 {100} 또는 {111} 결정립들에 의해 완전히 잠식당하지 않고 살아 남아, 편석이 없는 후반 열처리 시간대에서 완전한 고스집합조직을 형성하는 선택적 결정성장의 기회를 갖게 됨에 따라, 최종적으로는 1.9 Tesla 이상의 우수한 자성 특성을 나타내는 극박 규소강 박대를 얻을수 있었다.