• Applied Chemistry for Engineering
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• v.29 no.1
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• pp.122-126
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• 2018

Mesoporous molecular sieves were prepared by the reaction of $Na_2SiO_3$ and $H_2SiF_6$ using nonionic micelle templates in an aqueous solution. Well-crystalline mesoporous molecular sieves were obtained after several seconds at atmospheric conditions. Powder samples exhibited d-spacing of 3.8-5.1 nm with the sharpness of the d00l peak, showing well-crystalline mesoporous molecular sieves, pore size distributions of 2.5-3.1 nm and large specific surface areas of $290-1,018m^2/g$, depending on types of surfactants. SEM images of samples showed well-divided spherical particles with an uniform size of ${\sim}0.5{\mu}m$ and TEM images demonstrated uniform pores with a worm hole shape.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• v.18 no.9
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• pp.1002-1006
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• 1997

1H NMR spectra of D2O solutions containing 2,2-dimethylaziridine (1) or 2-methylaziridine (2) and [SiW11COⅡO39]6- (SiW11Co) or [SiW11NiⅡO39]6- (SiW11Ni) exhibit separate signals for the free ligand and the complex, indicating that the ligand exchange is slow on the NMR time scale. Identified are two linkage isomers with the methyl group of 2 at trans or cis position with respect to the metal. The isotropic shifts of 1 and 2 coordinated to SiW11Ni originate mainly from the contact shifts, and they agree reasonably with the relative values reported for similar ligands coordinated to bis(2,4-pentanedionato)nickel(Ⅱ). The isotropic shifts for the SiW11Co complexes were separated into contact and pseudocontact contributions. The pseudocontact shifts show that (χ∥-χ⊥) is positive, while that for the SiW11Co complexes of pyridine derivatives is negative. This result indicates that the ordering of dxy and dxz, dyz orbitals in SiW11Co complexes can be reversed by ligands.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.23 no.2
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• pp.13-20
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• 1986

Composite polycrystals including ${\gamma}$-$6Bi_2O_3$.$SiO_2$ crystal which have needlelike regular structure are useful for the high resolution optical devices. For the purpose of obtaining the composite polycrystals described above the melts of eutectic composition in the three eutectic systems including $6Bi_2O_3$.$SiO_2$ composition were unidirectionally solidified at a rate of 0.05 and 0.25 cm/h under a thermal gradient of 10$0^{\circ}C$/m. Composite polycrystals of relatively regular structure in which needlelike ${\gamma}$-$6Bi_2O_3$.$SiO_2$ crystals were arrayed in parallel with $2Bi_2O_3$.$B_2O_3$ crystal matrix were obtained when the eutectic melt of $6Bi_2O_3$.$SiO_2 -2Bi_2O_3$.$B_2O_3$ system was solidified at a rate of 0.25 cm/h. Partial structural irregularity however was found in the obtained composite polycrystals.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.137-137
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• 1999

DLC(diamond-like carbon) 필름은 경도가 높고 마찰계수가 낮다는 장점을 가지고 있기 때문에 내마모성 코팅이나 윤활성 코팅에 대한 많은 응용이 이루어지고 있다. 그러나 DLC 필름은 수 GPa 정도의 높은 필름 자체의 큰 잔류 응력을 가지며, 마찰 계수가 주변환경에 매우 큰 영향을 받는다는 단점이 있다. 이러한 단점은 DLC 필름의 응용에 대한 저해 요인이 되며, 이 점을 보완하기 위하여 DLC 필름에 Si를 첨가한 연구들이 진행되고 있다. 본 실험에서는 r.f-PACVD 법을 이용하여 Si이 첨가된 DLC 필름의 바이어스 전압에 따른 특성변화를 연구하였다. 사용한 반응 가스는 벤젠(C6H6)과 희석된 (SiH4:H2=10:90)이며, 희석된 실랜과 벤젠의 첨가비율은 6:4 고정시키고, 음전압은 -150V에서 -750V까지, -150V씩 증가하여 바이어스 전압의 변화에 따른 필름의 특성을 분석하였다. 바이어스 전압을 증가시킴에 따라 수소의 함량은 48.8 at.%에서 20.3 at.%로, Si의 함량은 1.5 at.%에서 2.4 at.%로 증가하였다. 그리고 잔류응력은 0.5GPa에서 2.1GPa로 증가하였고, 경도의 경우 5GPa에서 21.5GPa로 증가하는 경향을 보였다. 이러한 경향은 필름내부의 3차원 상호결합과 이온의 충돌에너지의 영향임을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.194-195
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• 2006

Aluminum oxide films directly grown on n-type 6H-SiC(0001) substrates were fabricated by RF magnetron sputtering system. Metal-insulator-semiconductor(MIS) C-V properties with aluminum oxide thin films showed hysteresis and f1at band voltage shift. The dielectric constant of the film calculated from the capacitance at the accumulation region was about 5. Typical gate leakage current density of film at room temperature was the order of $10^{-9}\;A/cm^2$ at the range of within 2MV/cm. The breakdown did not occur at the film within the measurement range.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.228-228
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• 2010

pin-형 비정질 실리콘 태양전지에서 p-층은 창물질로서 전기 전도도가 크고, 빛 흡수가 작어야 한다. p층의 두께가 얇으면 i층에서 충분한 내부전위를 얻을 수 없어 개방전압이 작아진다. 반대로 p-층 두께가 두꺼워지면 p-층 자체에서 빛 흡수가 증가하고, 높은 불순물 농도(> $10^{20}/cm^3$)에 의한 표면재결합이 문제가 되어 변환효율이 감소한다. 밴드갭이 큰 물질로 창층을 만들면 짧은 파장의 입사광이 직접 i-층을 비추므로 단락전류와 곡선인자를 증가시킬 수 있다. 본 실험에서는 비정질 실리콘 증착과 박막 특성 분석을 위하여, $5cm{\times}5cm$ 크기의 eagle 2000 glass(유리)와 p형 실리콘 wafer가 사용되었다. 투과도, 흡수도, Raman, 암전도도 와 광전도도 특성 측정에 유리 기판에 증착된 박막을, 두께 측정, FTIR 측정에는 실리콘 기판에 증착된 박막이 각각 사용되었다. p형 비정질 실리콘 증착에는 $SiH_4$, $H_2$, $B_2H_6$ 가스를 사용하였고, 플라즈마 형성에는 13.56MHz의 RF 소스가 사용하였다.p층은 $SiH_4$ 가스와 $H_2$ 가스비가 1:5인 조건에서 $B_2H_6$을 도핑하여 형성하였다. $B_2H_6$가스량을 변화시키며 형성하였으며, $B_2H_6$가스량이 증가함에 따라 암전도도가 증가하였으나, 광학적 밴드갭이 감소하였다. $H_2/SiH_4$ 가스 비가 0.001일 때 밴드갭은 1.76으로 i층보다 높게 형성되었으며, 암전도도는 $10^{-7}$이었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.10
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• pp.1006-1011
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• 1999

B-doped hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC:H) thin films were prepared by plasma-enhanced chemical-vapor deposition in a gas mixture of $SiH_4$, $CH_4$ and $B_2H_6$. Microstructures and chemical properties of a-SiC:H films grown with varing the volume ratio of $CH_4$ to $SiH_4$ were characterized with various analysis methods including scanning electron microscopy(SEM), X-ray diffractometry(XRD), Raman spectroscopy, Fourier-transform infrared (FTIR) spectroscopy. X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), UV absorption spectroscopy and photoconductivity measurements. While Si:H films grown without $CH_4$ showed amorphous state, the addition of $CH_4$ during deposition enhanced the development of a microcrystalline phase. By introducing C atoms into the film, Si-Si and Si--$\textrm{H}_{n}$ bonds of a -Si:H films were gradually replaced by Si-C, C-C, and Si--$\textrm{C}_{n}\textrm{H}_{m}$ bonds. Consequently, the electrical resistivity and optical bandgap of a-SiC:H films were increased with the C concentration in the film.

• Proceedings of the Korean Environmental Sciences Society Conference
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• 2003.05a
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• pp.279-280
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• 2003

실리콘웨이퍼 제조공정에서 폐기되는 HF에는 순수한 실라카만 함유되어 있지만 브라운관 업체에서 폐기되는 HF 폐액에는 유리의 조성에 따라서 다양한 성분들이 소량씩 함유되어 있다. 몰비로 Si:F=1:6이 되도록 조정한 후에 20% NaOH를 사용하여 pH를 6으로 조정하여 규불화소다를 얻고, 이어서 pH를 9로 조정하여 NaF를 었었다. 규불화소다에 NaCl, 칠레초석을 다양하게 첨가하여 금속 융제로 사용한 결과에 의하면 규불화소다의 양이 증가할수록 융제의 특성은 우수하였고, 가장 이상적인 첨가량은 50%~60%이었다. 따라서 각 공정에서 폐기되는 HF는 $Na_2SiF_{6}$와 NaF를 제조함으로서 재활용이 가능하였다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.40 no.9
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• pp.867-873
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• 2003

$Si_{3}N_{4}$-BN based machinable ceramics were fabricated by hot-pressing at $1800^{\circ}C$ for 2 h under a pressure of 25 MPa. The microstructure, mechanical properties, and machinability were investigated. With increasing h-BN content from 5 vol% to 30 vol%, three point flexural strength decreased from 1000 MPa of monolithic S $i_3$ $N_4$ to 720～400 MPa. The fracture toughness, $K_{IC}$ , was decreased from 7.6 MPaㆍ$m^{1/2}$ of monolithic S $i_3$ $N_4$ to 6.5～4.1 MPaㆍ$m^{1/2}$. The grain size and aspect ratio of $\beta$-S $i_3$ $N_4$ slightly decreased with increasing h-BN content. S $i_3$ $N_4$ monolith could not be machined due to brittle fracture, but S $i_3$ $N_4$-BN based machinable ceramics could be machined without fracture, showing excellent machinability. With increasing h-BN content, the thurst force during cutting and micro-drilling process was decreased.

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2000.10a
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• pp.71.2-71
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• 2000