• 한국결정학회지
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• 제1권1호
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• pp.19-28
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• 1990

단결정 6H-SiC는 에너지갭이 3.0eV인 반도체로서 청색발광소자 및 고온반도체소자로 응용이 기대되는 재료이다. 본 연구에서는 청색발광소자 제작을 위해 6H-SiC 단결정을 승화법으로 성장시켰다. 승화법으로 성장시 성장도가니내의 온도구배를 44℃/cm, 성장온도는 1800-1990℃ 압력은 50-1000 mTorr이었다. 사용한 종자정은 에치슨법으로 성장시킨 SiC 단결정을 사용하였다. 성장된 6H-SiC 결정은 종자징위에 epitaxial growtll를 하였음을 편광현미경과 Back reflection Xray Laue 법으로 확인하였다. 성장조건을 변화시켰을 때 생성되는 결정상의 변화를 XRD로 조사하였다. 성장 온도가 1840℃ 이상일 경우에는 6H-SiC이 성장되었으며, 그 이하에서는 6H-SiC가 성장되었다. 또한 3C-SiC는 저온 저파포화도 성장조건에서 성장되는 상임을 확인하였다. van der Pauw측정법에의한 전기적 특성을 조사하였는데, 전도형은 p형이고 hole 농도와 이동도는 7.6x1014cm-3와 19cm2 V-1sec-1였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제33권3호
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• pp.307-312
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• 1996

In following addition of 0.3, -0.6, 0.8, 1.0 and 5 weight percent MgSiF66H2O studies have been made of the setting and hardening characteristics of ordinary portland cement. MgSiF66H2O retarded the setting time of ordinary portland cement and extended the induction pariod of the hydration. In ordinary portland cement the setting characteristics were drastically altered especially at high MgSiF66H2O contents. Evidence was also obtained by the formation of a KSiF6 which was very fine particle. The results wee as follows. 1. Slump was slightly decreased when MgSiF66H2O added. 2. Setting time was retarded depending on the amount of retarding agent 2 to 8 hours 3. Compressive strength was almost same or some increased in comparision with opc. 4. When MgSiF66H2O was added to cement paste K2SiF6 were formed It was fine-sized distributed uniformly in cement grain and caused retardation of cement setting.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1994년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.39-39
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• 1994

• 한국진공학회지
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• 제11권1호
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• pp.16-21
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• 2002

$Si_2H_6$가스를 이용한 LPCVD내에서의 실리콘의 선택적 에피텍시 성장을 $1000^{\circ}C$ 이하의 초청정 분위기하의 저온에서 수행하였다. HCI 첨가없이 초청정 공정으로 인한 양질의 에피텍시 Si층이 균일하게 얻어 졌으며, $SiO_2$위에 증착된 실리콘의 잠복기를 발견할 수 있었다. 단결정위의 에피텍시 층은 산화물 층위 보다 더 두껍게 증착되었다. 산소첨가로 잠복기가 20~30초간 증가하였다. 증착된 박막의 절단면과 표면 형상은 SEM으로 관찰되었으며, XRD를 통해 막질을 평가하였다.

• 공업화학
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• 제4권2호
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• pp.291-299
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• 1993

생석회-규사-수계 및 시멘트 슬러지-규사-수계에서 1.13nm tobermorite를 수열합성하였다. 생석회-규사-수계의 경우 반응온도 $180^{\circ}C$, $CaO/SiO_2$의 몰비 0.4, 0.8에서 공히 양질의 tobermorite($5CaO{\cdot}6SiO_2{\cdot}5H_2O:C_5S_6H_5$)가 형성되었으나 $CaO/SiO_2$의 몰비 0.4일 때는 반응시간 6시간에서, 0.8일 때는 4시간에서 결정전이 현상이 관찰되었다. 그러나 시멘트 슬러지를 생석회 대신 전량 사용한 시멘트 슬러지-규사-수계는 동일한 몰비에서 반응시간 10시간 이내에 결정전이 현상이 나타나지 않았는데 이는 시멘트 슬러지로부터 용출되어 나온 알루미늄 이온의 지연작용으로 판단되며 생석회-규사-수+알루미늄계에서 확인되었다. 알루미늄 분말의 첨가량이 0.8에서 3.0%로 증가함에 따라 결정은 보다 넓고 평평하게 형성되었다. 또한 동일한 반응시간 내에서 재결정화 현상이 관찰되지 않았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권1호
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• pp.29-35
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• 1998

고품질의 6H-SiC 단결정을 성장하기 위하여 기판, 원료 및 성장에 사용되는 도가니에 대한 고순도 처리공정을 통하여 고순도화하여 결정성장을 시행하였다. 특히, 원료에 대해서는 순화처리전후의 XRD 분석을 행하여 고순도화된 원료의 상태를 확인하였다. 성장된 6H-SiC 단결정의 크기는 직경이 33mm, 길이는 11mm이었고, 기판으로의 사용 및 내부결함에 대한 관찰을 위하여 결정을 절단 및 연마하여 직경 33mm, 두께 0.5mm인 wafer를 제작하였으며, 광학현미경 및 Raman 분석을 이용하여 순화공정을 통해 제작된 wafer의 내부결함밀도 및 결정성을 측정하였다. 분석결과, micropipe 및 planar defect의 밀도는 각각 100개/$\textrm{cm}^2$, 30개/$\textrm{cm}^2$으로 순화처리를 통한 내부결함의 감소로 인해 고품질의 6H-SiC 단결정의 성장이 가능하였다

• 한국표면공학회지
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• 제37권6호
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• pp.319-325
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• 2004

Fe thin films containing Si particles were prepared on metallic substrates by electrodeposition method in sulfate solutions and the content of codeposited Si particles in the films was investigated as a function of applied current density, the content of Si particels in the solution, solution pH, solution temperature and concentration of $FeSO_4$$7H_2$O in the solution. The amount of Si codeposited in the film was not dependent on the applied current density, solution pH and solution temperature, while it was dependent on the content of Si particles in the solution and the concentration of $FeSO_4$$7H_2$O in the solution. The amount of Si codeposited in the film increased with increasing content of Si particles in the solution but reached a maximum value of about 6 wt% when the content of Si particles in the solution exceeds 100 g/l. On the other hand, the content of Si codeposited in the film increased up to about 17 wt% with decreasing concentration of $FeSO_4$$7H_2$O in the solution. These results would be applied to the fabrication of very thin Fe-6.5 wt% Si sheets for electrical applications.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제22권12호
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• pp.1337-1340
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• 2001

The bulk photopolymerization of methyl methacrylate (MMA) with para-substituted phenylsilanes such as F-C6H4SiH3 (1), H3C-C6H4SiH3 (2), and H3CO-C6H4SiH3 (3) was performed to produce poly(MMA)s containing the respective silyl moiety as an end group. For all the hydrosilanes, the polymerization yields and the polymer molecular weights decreased, whereas the TGA residue yields and the relative intensities of Si-H IR stretching bands increased as the relative silane concentration over MMA increased. The polymerization yields and polymer molecular weights of MMA with 1-3 increased in the order of 3 < 1 < 2. These hydrosilanes influence significantly upon the photopolymerization of MMA as both chain-initiation and chain-transfer agents.

• 한국재료학회지
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• 제28권12호
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• pp.709-713
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• 2018

To improve the etch rate of $Si_3N_4$ thin film, $H_2SiF_6$ is added to increase etching rate by more than two times. $SiO_3H_2$ is gradually added to obtain a selectivity of 170: 1 at 600 ppm. Moreover, when $SiO_3H_2$ is added, the etching rate of the $SiO_2$ thin film increases in proportion to the radius of the wafer. In $Si_3N_4$ thin film, there is no difference in the etching rate according to the position. However, in the $SiO_2$ thin film, the etching rate increases in proportion to the radius. At the center of the wafer, the re-growth phenomenon is confirmed at a specific concentration or above. The difference in etch rates of $SiO_2$ thin films and the reason for regrowth at these positions are interpreted as the result of the flow rate of the chemical solution replaced with fresh solution.

• 한국표면공학회지
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• 제29권6호
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• pp.797-802
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• 1996

Hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC:H) films have been deposited on unheated substrates by low frequency (50Hz) plasma using $SiH_4+CH_4+H_2$ gas mixtures. Deposition rate, refractive index, optical band gap, Vickers hardness and IR spectrum of the deposited a -SiC:H films have been measured for various rations of gas flow rates k(=$CH_4/SiH_4$, 0.5k4) with a constant $H_2$ flow rate (100sccm). As k increases, the deposition rate of the a-SiC:H films increases up to the maximum value of about 220nm/h at k=2.5, and then it decreases. The refractive index of the films was 2.6 for k=2.5, while the optical band gap of the films was 3.3eV for k=2.2. The maximum value of Vickers hardness of the films was 1500Hv at k=1. The infrared transmission measurement shows that the films contain both Si-C and Si-$CH_3$ bonds.