• 제목/요약/키워드: Short-circuit mode

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포톤 계수 방식의 $32{\times}32$ 픽셀 어레이를 갖는 디지털 CMOS X-ray 이미지 센서 설계 (A Design of Digital CMOS X-ray Image Sensor with $32{\times}32$ Pixel Array Using Photon Counting Type)

  • 성관영;김태호;황윤금;전성채;진승오;허영;하판봉;박무훈;김영희
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제12권7호
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    • pp.1235-1242
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    • 2008
  • 본 논문에서는 $0.18{\mu}m$ triple-well CMOS 공정을 사용하여 포톤계수 방식의 $32{\times}32$ 픽셀 어레이를 갖는 CMOS ray 영상센서를 설계하였다. 설계된 영상센서의 카픽셀은 $100{\times}100\;{\mu}m2$ 면적을 가지고 있고 약 400개의 트랜지스터로 구성되어 있으며, 범프 본딩을 통해 ray 검출기와 CSA(Charge Sensitive Amplifier)의 연결을 위한 $50{\times}50{\mu}m2$의 오픈패드를 가지고 있다. 각각의 싱글픽셀 CSA에서 전압 바이어스 회로를 사용한 folded cascode CMOS OP amp 대신 레이아웃 면적을 줄이기 위하여 self biased folded cascode CMOS OP amp를 이용하였으며, 계수 모드 진입 전후에 CLK에서 발생 할 수 있는 short pulse를 제거하는 15bit LFSR 계수기 (Linear Feedback Shift Register Counter) 클럭 발생회로를 제안하였으며, 읽기 모드에서 CMOS X-ray 영상센서의 최대 전류를 줄이기 위하여 열 어드레스 디코더를 이용하여 한 열씩 읽도록 설계하였다.

고온고습 전압인가(Biased HAST) 시험에서 인쇄회로기판의 이온 마이그레이션 불량 메커니즘 (Ion Migration Failure Mechanism for Organic PCB under Biased HAST)

  • 허석환;신안섭;함석진
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제22권1호
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    • pp.43-49
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    • 2015
  • 전자 제품의 경박 단소화 및 고집적화가 이루어 지면서 반도체 칩뿐만 아니라 유기 기판도 고집적화가 요구되고 있다. 본 연구는 인쇄회로기판의 미세 피치 회로에 대한 고온고습 전압인가 시험을 실시하여 불량 메커니즘을 연구하였다. $130^{\circ}C/85%RH/3.3V$$135^{\circ}C/90%RH/3.3V$ 시험조건에서 고온고습 전압시험(Biased HAST)의 가속 계수는 2.079로 계산되었다. 불량 메커니즘 분석을 위하여 집속이온빔(FIB) 분석이 이용되었다. (+)전극에서는 콜로이드 형태의 $Cu_xO$$Cu(OH)_2$가 형성되었으며, (-)전극에서는 수지형태의 Cu가 관찰되었다. 이를 통해 $Cu^{2+}$ 이온과 전자($e^-$)가 결합한 수지상 Cu에 의해 절연파괴가 일어난다는 것을 확인하였다.

LCD 구동 IC를 위한 Power-Up 순차 스위치를 가진 Latch-Up 방지 기술 (Latch-Up Prevention Method having Power-Up Sequential Switches for LCD Driver ICs)

  • 최병호;공배선;전영현
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권6호
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    • pp.111-118
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    • 2008
  • 액정 구동 IC에서 발생하는 기생 p-n-p-n 회로의 래치업 문제를 개선하기 위해 power-up 순서상에 순차 스위치를 삽입하는 방법을 제안하였다. 제안된 순차 스위치는 2차-승압회로와 3차-승압회로 내에 삽입되며, power-up 순서상에서 해당 승압회로가 동작하기 전에 기생 p-n-p-n 회로의 분리된 에미터-베이스 단자를 순차적으로 연결하게 된다. 제안된 구조의 성능을 검증하기 위해 0.13-um CMOS 공정을 이용하여 테스트 IC를 설계 제작하였다 측정 결과, 기존의 경우 $50^{\circ}C$에서 액정 구동 전압이 VSS로 수렴하면서 과전류를 동반하며 래치업 모드로 진입하였으나, 제안 회로를 삽입한 경우는 고온($100^{\circ}C$)에서도 정상 전류 0.9mA와 정상 액정 구동 전압을 나타내어 래치업이 방지되고 있음을 확인하였다.

도파관 슬롯 커플러용 비대칭 복합 아이리스에 의해 급전되는 중심 종방향 션트-시리즈 결합 슬롯에 관한 연구 (A Study of Center Longitudinal Shunt-Series Coupling Slot Fed by Asymmetric Compound Iris for Waveguide Slot Coupler)

  • 김병문;고지환;조영기
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제24권6호
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    • pp.586-594
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    • 2013
  • 본 논문에서는 도파관 슬롯 배열 안테나 설계 시 분기 도파관 내에서 결합 슬롯과 복사 슬롯 간의 원하지 않는 고차 모드 결합을 줄일 수 있는 슬롯 커플러용 결합 요소를 제안하였다. 제안된 소자는 수직 교차하는 두 도파관이 공유하는 도파관 광벽에 위치한 중심 종방향 션트-시리즈 결합 슬롯과 이를 여기시키는 비대칭 복합아이리스로 구성된다. 먼저 HFSS를 사용하여 커플러 구조의 산란 계수를 구하고, 결합 슬롯의 T - 회로망 등가 회로의 파라미터를 추출하였다. 또한, 소자의 구조적인 치수를 변화시키면서 공진 길이 및 정규화 어드미턴스와같은 공진 특성을 분석하였다. 결합 슬롯으로부터 ${\lambda}_g/4$ 떨어진 단락 블록을 갖는 커플러를 설계 제작하여 측정한 실험 결과는 모의실험 결과와 잘 일치하였다.

펄스 및 직류 중첩형 전기집진기용 고전압 전원장치 개발 연구 (A High Voltage Poorer Supply for Electrostatic Precipitator with Superimposing Voltage Pulse on DC Source)

  • 김종수;임근희;이성진;김승민;조창호
    • 대한전기학회논문지:전기기기및에너지변환시스템부문B
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    • 제50권12호
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    • pp.624-630
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    • 2001
  • The trend of the regulations on environmental issues are getting tight. Responding to this trend new technologies such as moving electrodes, wide pitch and pulsed power supply are also introduced in the electrostatic precipitator(EP) systems. The introduction of wide pitch and moving electrodes enhances the system performance of the EPs by improving air-flow and by improving the ash reentrainment on rapping. The power supplies for the EPs developed up to date include thyristor-based dc or intermittent type, SMPS(switching mode power supply) type and the pulsed-power supply type. The use of the pulsed ones is known to improve dust-collecting efficiency of high resistivity ash and reduces back corona occurrence in the collecting plate. There are two kinds of pulsed-power supplies; one with pulsed transformers and the other with direct dc switching devices. The latter uses rotary spark gap switches or semiconductor switches. Both have the merits and demerits: the spark gap switches are simple and robust but has short life time, hence, high maintenance cost, whereas the semiconductor switches have long life time but are costly. In this study, A high voltage power supply with superimposing voltage pulse on dc source was developed for EPs. This study describes circuit topology, operating principle of the scheme, and analysis of experimental results on Dong-Hae Power Plant. The pulsed power supply consists of a variable dc power supply with ratings of 60kV, 800mA and pulse generator which is made of high voltage thyristor-diode switch strings, an LC resonant tank and a blocking inductor. The pulse generator generates variable pulse-voltage up to 70kV using a high frequency resonant inverter with a variable dc source. Two prototypes were built and tested on 250MW DongHae power plant to verify the possibility of the commercial use and the normal operation in the transient states.

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N-ethylmaleimide(NEM)가 개구리 피부의 $Na^+$ 이동에 미치는 영향 (Effect of N-ethylmaleimide(NEM) on $Na^+$ Transport Across the Frog Skin)

  • 송선옥;정노팔;박양생
    • The Korean Journal of Physiology
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    • 제13권1_2호
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    • pp.13-22
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    • 1979
  • Studies have been conducted using isolated surviving skin of Rana temporalia in an attempt to evaluate the effect of N-ethylmaleimide (NEM) on the epithelial $Na^+$ transport. Active transport of $Na^+$ across the skin was estimated by measuring short circuit current (SCC). NEM administered to the outside surface of the skin in concentration of $0.5{\times}10^{-4}-2.5{\times}10^{-4}M$ induced $20{\sim}40%$ increase during the first 30 mintues, followed by a gradual reduction in SCC. With NEM above $4{\times}10^{-4}M$, SCC was inhibited from the beginning. Qualitatively similar results were obtained when NEM was added to the inside bathing medium. However, the concentration of NEM for a similar effect was much higher with the drug in the inside bathing medium than in the outside bathing medium. The oxygen consumption of the skin was inhibited by NEM of above $10^{-4}M$, the effect being of approximately the same magnitude as that on SCC. The activity of $Na^+-K^+$ ATPase of the skin was not inhibited by NEM below $10^{-3}M$, but it was dramatically reduced with $1.2{\times}M$ NEM. The effects of NEM $(10^{-4}M)$ on the SCC and oxygen consumption could be eliminated by adding cysteine $(10^{-4}-10^{-3}M)$ in the medium, indicating that the SH group is involved in the action of NEM in the frog skin. On the basis of these results, the mode of action of NEM on the $Na^+$ transport across the frog skin was discussed.

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Postmortem analysis of a failed liquid nitrogen-cooled prepolarization coil for SQUID sensor-based ultra-low field magnetic resonance

  • Hwang, Seong-Min;Kim, Kiwoong;Yu, Kwon Kyu;Lee, Seong-Joo;Shim, Jeong Hyun
    • 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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    • 제16권4호
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    • pp.44-48
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    • 2014
  • A liquid nitrogen-cooled prepolarization ($B_p$) coil made for ultra-low field nuclear magnetic resonance and magnetic resonance imaging (ULF-MR) designed to generate 7 mT/A was fabricated. However, with suspected internal insulation failure, the coil was investigated in order to find out the source of the failure. This paper reports detailed build of the failed $B_p$ coil and a number of analysis methods utilized to figure out the source and the mode of failure. The analysis revealed that pyrolytic graphite sheet linings put on either sides of the coil for better thermal conduction acted as an electrical bridge between inner and outer layers of the coil to short out the coil whenever a moderately high voltage was applied across the coil. A simple model circuit simulation corroborated the analysis and further revealed that the failed insulation acted effectively as a damping resistor of $R_{d,eff}=6{\Omega}$ across the coil. This damping resistance produced a 50 ms-long voltage tail after the coil current was ramped down, making the coil not suitable for use in ULF-MR, which requires complete removal of magnetic field from $B_p$ coil within milliseconds.

배터리 응용을 위한 1.5V 단일전원 256Kb EEPROM IP 설계 (Design of 256Kb EEPROM IP Aimed at Battery Applications)

  • 김영희;김일준;하판봉
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제10권6호
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    • pp.558-569
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    • 2017
  • 본 논문에서는 MCU 내장형 1.5V 단일전원 256Kb EEPROM IP는 배터리 응용을 위해 설계되었다. 기존의 body-potential 바이어싱 회로를 사용하는 cross-coupled VPP (Boosted Voltage) 전하펌프회로는 erase와 program 모드에서 빠져나올 때 5V cross-coupled PMOS 소자에 8.53V의 고전압이 걸리면서 junction breakdown이나 gate oxide breakdown에 의해 소자가 파괴될 수 있다. 그래서 본 논문에서는 cross-coupled 전하펌프회로의 출력 노드는 VDD로 프리차징시키는 동시에 펌핑 노드들을 각 펌핑 단의 입력전압으로 프리차징하므로 5V PMOS 소자에 5.5V 이상의 고전압이 걸리지 않도록 하므로 breakdown이 일어나는 것을 방지하였다. 한편 256Kb을 erase하거나 program하는 시간을 줄이기 위해 all erase, even program, odd program과 all program 모드를 지원하고 있다. 또한 cell disturb 테스트 시간을 줄이기 위해 cell disturb 테스트 모드를 이용하여 256Kb EEPROM 셀의 disturb를 한꺼번에 인가하므로 disturb 테스트 시간을 줄였다. 마지막으로 이 논문에서는 erase-verify-read 모드에서 40ns의 cycle 시간을 만족하기 위해 CG disable 시간이 빠른 CG 구동회로는 새롭게 제안되었다.