Repetitive transcranial magnetic stimulation (rTMS) modulates cortical excitability beyond the duration of the rTMS trains themselves. Depending on rTMS parameters, a lasting inhibition or facilitation of cortical excitability can be induced. Therefore, rTMS of high or low frequency over motor cortex may change certain aspects of motor learning performance and cortical activation. This study investigated the effect of high and low frequency subthreshold rTMS applied to the motor cortex on motor learning of sequential finger movements and brain activation using functional MRI (fMRI). Three healthy right-handed subjects (mean age 23.3) were enrolled. All subjects were trained with sequences of seven-digit rapid sequential finger movements, 30 minutes per day for 5 consecutive days using their left hand. 10 Hz (high frequency) and 1 Hz (low frequency) trains of rTMS with 80% of resting motor threshold and sham stimulation were applied for each subject during the period of motor learning. rTMS was delivered on the scalp over the right primary motor cortex using a figure-eight shaped coil and a Rapid(R) stimulator with two Booster Modules (Magstim Co. Ltd, UK). Functional MRI (fMRI) was performed on a 3T ISOL Forte scanner before and after training in all subjects (35 slices per one brain volume TR/TE = 3000/30 ms, Flip angle $60^{\circ}$, FOV 220 mm, $64{\times}64$ matrix, slice thickness 4 mm). Response time (RT) and target scores (TS) of sequential finger movements were monitored during the training period and fMRl scanning. All subjects showed decreased RT and increased TS which reflecting learning effects over the training session. The subject who received high frequency rTMS showed better performance in TS and RT than those of the subjects with low frequency or sham stimulation of rTMS. In fMRI, the subject who received high frequency rTMS showed increased activation of primary motor cortex, premotor, and medial cerebellar areas after the motor sequence learning after the training, but the subject with low frequency rTMS showed decreased activation in above areas. High frequency subthreshold rTMS on the motor cortex may facilitate the excitability of motor cortex and improve the performance of motor sequence learning in normal subject.
Non-mass analyzed ion shower doping (ISD) technique with a bucket-type ion source or mass-analyzed ion implantation with a ribbon beam-type has been used for source/drain doping, for LDD (lightly-doped-drain) formation, and for channel doping in fabrication of low-temperature poly-Si thin-film transistors (LTPS-TFT's). We reported an abnormal activation behavior in boron doped poly-Si where reverse annealing, the loss of electrically active boron concentration, was found in the temperature ranges between $400^{\circ}C$ and $650^{\circ}C$ using isochronal furnace annealing. We also reported reverse annealing behavior of sequential lateral solidification (SLS) poly-Si using isothermal rapid thermal annealing (RTA). We report here the importance of implantation conditions on the dopant activation. Through-doping conditions with higher energies and doses were intentionally chosen to understand reverse annealing behavior. We observed that the implantation condition plays a critical role on dopant activation. We found a certain implantation condition with which the sheet resistance is not changed at all upon activation annealing.
The global ultrasonic system for the self-localization of a mobile robot consists of several ultrasonic transmitters fixed at some reference positions in the global coordinates of robot environment. By activating the ultrasonic transmitters, the mobile robot is able to get the distance to the ultrasonic transmitters and compute its own position in the global coordinate. Due to the limitation on the ultrasonic signal strength and beam width as well as the environmental obstacles however, the ultrasonic signals from some generator may not be transmitted to the robot. Thus, instead of activating the all ultrasonic transmitters, it is necessary to select some ultrasonic generators to activate based on the current robot position. In this paper, we propose a selective activation algorithm for self-localization with the global ultrasonic system. The selective activation algorithm gets the meaningful ultrasonic data at every sampling instants, which results in the faster and more accurate response of the self-localization than the conventional sequential activation. Through the self-localization and path following control, we verify the effectiveness of the proposed selective activation algorithm.
결정성 그린 코크스 상의 메조카본 마이크로비즈를 이용하여 약품 및 전기화학 부활 법을 적용하여 23 F/cc 급의 신형 고밀도 활성탄을 합성하였다. 전기화학 부활과정 중에 고성능을 발현하기 위한 전기화학 거동을 순차적인 전압인가법을 이용하여 검토하였다. 전기화학 부활의 유효전압은 높은 비표면적 활성탄의 표면활성 저하에 의해 적용전압에 무관하게 2.7~3.2 V로 확인되었다.
A carbon felt electrode was prepared using ozone and ammonia sequential treatment and applied as an electrode for a vanadium redox flow battery (VRFB). The physical and electrochemical analyses demonstrate that the oxygen groups facilitate nitrogen doping in the carbon felt. Carbon felt (J5O3+NH3), which was subjected to ammonia heat treatment after ozone treatment, showed higher oxygen and nitrogen contents than carbon felt (J5NH3+O3), which was subjected to ammonia heat treatment first and then ozone treatment. From the charging/discharging of VRFB, the J5O3+NH3 carbon felt electrode showed 14.4 Ah/L discharge capacity at a current density of 150 mA /cm2, which was 15% and 33% higher than that of J5NH3+O3 and non-activated carbon felt (J5), respectively. These results show that ozone and ammonia sequential treatment is an effective carbon felt activation method to increase the performance of the vanadium redox flow battery.
본 연구는 Poly-Si에 이온 주입된 Boron의 Activation 거동을 연구하고자 SLS (Sequential Lateral Solidification) Poly-Si과 ELA (Excimer Laser Annealing) Poly-Si의 활성화 거동을 비교 분석하였다. SLS 및 ELA 결정화 방법으로 제조된 Poly-Si을 모재로 비 질량 분리 방식의 ISD (Ion Shower Doping) System을 사용하여 2.5~7.0 kV까지 이온주입 하였다. 이온주입 후 두 가지의 열처리 방법, 즉, FA 열처리(Furnace Annealing)와 RTA 열처리(Rapid Thermal Annealing)를 사용하여 도펀트 활성화 열처리를 수행하고 이온주입 조건 및 활성화 열처리 방법에 따른 결함 회복 및 도펀트 활성화 거동의 변화를 관찰하였다. TRIM-code Simulation 결과 가속 이온 에너지와 조사량이 증가 할수록 이온주입 시 발생하는 결함의 양이 증가하는 것을 정량적으로 계산하였다. 실험 결과 결함의 양이 증가 할수록 Activation이 잘되는 것을 관찰할 수 있었다. SLS Poly-Si에 비하여 ELA Poly-Si의 경우 도펀트 활성화 열처리 후 활성화 효율이 높게 나타났다. 본 결과는 Grain Boundary의 역할과 밀접한 관계가 있으며 간단한 정성적인 Model을 제시하였다. 활성화 효율의 경우 RTA 열처리 시편이 FA 시편에 비하여 높은 것이 관찰되었다. 본 결과는 열처리 온도 및 시간에 따라 변화하는 Boron의 특이한 활성화 거동인 Reverse Annealing 효과에 기인하는 것으로 규명되었다.
By the 505 chromotest which utilized Escherichia bolt PQ 37, Korean medicinal plants had been screened to Investigate the antimutagenic effect to aflatoxin B1(AFBl). Ikmocho(IMC, Leonurus sibiricus L.) was extracted with hot water. The extract was not found to be mutagenic in the Salmonella mutation test with or without metabolic activation, and the extract was showed to possess the antimutagenic properties towards AFB1-induced metation. The mutagenicity of AFB1 was inhibited by methanol soluble fracstion (IMC-MS) in dose-dependent. However, water-soluble fraction exhibited comutagenic activity. The greatest inhibitory effect of IMC-MS on AFB1 mutagenicity occurred when IMC-MS was first incubated, AFB1 followed by a second incubation with the cells and 59 mixture. Also lower inhibition was occurred when S9 mixtures were first incubated, with IMC-MS followed by a second incubation with AFBI. The results of the sequential incubation study support the probability that one mechanism of inhibition could involve the formation of chemical complex between IMC-MS and AFB1 rather than deactivation of S9 enzyme.
Thin film transistors(TFT) were made based on the polycrystalline Si (poly-Si) crystallized by sequential lateral solidification(SLS) method. The electrical characteristics of the devices were analyzed. n-type TFTs did not show a superior characteristics compared to p-type TFTs. We analyzed the causes of the failure by focused ion beam(FIB) analysis and automatic spreading resistance(ASR) measurement, to study the structural integrity and the doping distribution, respectively. FIB showed no structural problems but it revealed a non-intermixed layer in the contact holes between the polysilicon and the aluminum electrode. ASR analyses on poly-Si layer with various doping concentrations and activation temperatures showed that the inadequately doped areas were partially responsible for the inferior behavior of the whole device.
Communications for Statistical Applications and Methods
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제9권1호
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pp.155-166
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2002
Neural networks have been studied as a popular tool for classification and they are very flexible. Also, they are used for many applications of pattern classification and pattern recognition. This paper focuses on Bayesian approach to feed-forward neural networks with single hidden layer of units with logistic activation. In this model, we are interested in deciding the number of nodes of neural network model with p input units, one hidden layer with m hidden nodes and one output unit in Bayesian setup for fixed m. Here, we use the latent variable into the prior of the coefficient regression, and we introduce the 'sequential step' which is based on the idea of the data augmentation by Tanner and Wong(1787). The MCMC method(Gibbs sampler and Metropolish algorithm) can be used to overcome the complicated Bayesian computation. Finally, a proposed method is applied to a simulated data.
We report a low-temperature fabrication of organic/inorganic nanohybrid dielectrics for organic thin film transistors. The self-assembled organic layers (SAOLs) were grown by repeated sequential adsorptions of C=C-terminated alkylsilane and metal (Al or Ti) hydroxyl with ozone activation, which was called "molecular layer deposition (MLD)". The $TiO_2$ and $Al_2O_3$ inorganic layers were grown by ALD, which relies on sequential saturated surface reactions resulting in the formation of a monolayer in each sequence and is a potentially powerful method for preparing high quality multicomponent superlattices. The MLD method combined with ALD (MLD-ALD) was applied to fabricate SAOLs-$Al_2O_3$-SAOLs-$TiO_2$ nanohybrid superlattices on polymer substrates at relatively low temperature. The MLD method is an ideal fabrication technique for various flexible electronic devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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